一種半導體封裝結構及其制造方法技術

本申請公開了一種半導體封裝結構及其制造方法，結構包括：基底，基底上設有元器件，元器件遠離基底的一側設有上端子；第一互連結構，第一互連結構設于元器件遠離基底的一側，并與上端子互連；封裝體，用于將元器件和基底封裝為一體；其中，第一互連結構嵌入封裝體，且第一互連結構遠離基底的一側的至少部分露出于封裝體。本申請提供的封裝結構能夠保護內部元器件，且設置了與元器件上端子互連的第一互連結構，利用第一互連結構直接作為引腳，與元器件上端子連接，導電距離短，性能更好，電阻更小，其遠離基底的一側的至少部分暴露出來，能夠實現元器件之間的互連或連接印刷電路板，提高了整體封裝體的性能，實現高密度元器件集成方案簡單化。方案簡單化。方案簡單化。

【技術實現步驟摘要】
一種半導體封裝結構及其制造方法


[0001]本申請涉及半導體封裝
，尤其是一種半導體封裝結構及其制造過程。

技術介紹

[0002]半導體封裝結構主要用于保護內部的半導體元器件，避免遭受外部物品磕碰，也可以避免灰塵或液體等物侵入元器件內部而損害元器件的正常功能。隨著印刷電路板(Printed Circuit board，以下簡稱PCB)上的電子元器件的密度越來越高，需要在同樣甚至更小的空間內設置更多的電子元器件。
[0003]現有技術需要考慮如何將多個不同種類得高密度元器件集成封裝在一起，實現元器件引線的引出與互連，獲得功能強大的模組。

技術實現思路

[0004]技術目的：本申請旨在提供了一種半導體封裝結構及其制造方法，其導電距離較短，電阻更小，提高半導體性能。
[0005]為實現上述技術目的，本申請采用以下技術方案。
[0006]第一方面，本申請提供了一種半導體封裝結構，包括：基底；元器件，所述元器件設于所述基底上，所述元器件遠離所述基底的一側設有上端子；第一互連結構，所述第一互連結構設于所述元器件遠離所述基底的一側，所述第一互連結構與所述上端子互連；封裝體，用于將所述元器件和所述基底封裝為一體；其中，所述第一互連結構嵌入所述封裝體，且所述第一互連結構遠離所述基底的一側的至少部分露出于所述封裝體。
[0007]第二方面，本申請提供了一種半導體封裝結構的制作過程，包括：提供一基底；在所述基底上設置元器件，所述元器件遠離所述基底的一側設有上端子；對所述元器件和所述基底封裝形成封裝體；在所述封裝體中形成第一通孔，以暴露出所述上端子；在所述第一通孔中形成第一互連結構，將所述第一互連結構與所述上端子互連，且從封裝體暴露出所述第一互連結構遠離所述基底的一側的至少部分。
[0008]與現有技術相比，本申請的有益技術效果：本申請提供的半導體封裝結構及其制造方法，包括了基底、元器件和第一互連結構，元器件和基底被封裝為一體，能夠保護內部元器件，且設置了與元器件上端子互連的第一互連結構，這種互連方式利用第一互連結構直接作為引腳，與元器件上端子連接，導電距離短，性能更好，電阻更小，其遠離所述基底的一側至少部分從封裝體暴露出來，能夠實現
元器件之間的互連或連接印刷電路板，避免了連線方式不可靠，提高了整體封裝體的性能，能夠實現高密度元器件集成方案簡單化。
附圖說明
[0009]在此描述的附圖僅用于解釋目的，而不意圖以任何方式來限制本申請公開的范圍。另外，圖中的各部件的形狀和比例尺寸等僅為示意性的，用于幫助對本申請的理解，并不是具體限定本申請各部件的形狀和比例尺寸。本領域的技術人員在本申請的教導下，可以根據具體情況選擇各種可能的形狀和比例尺寸來實施本申請。
[0010]圖1是本申請實施方式一提供的一種半導體封裝結構示意圖；圖2是本申請實施方式二提供基底的結構示意圖；圖3是本申請實施方式二在基底上設置元器件后的結構示意圖；圖4是本申請實施方式二將元器件和基底封裝為一體后的結構示意圖；圖5是本申請實施方式二在封裝體中形成第一通孔后的結構示意圖；圖6是本申請實施方式二在第一通孔中形成第一互連結構后的結構示意圖；圖7是本申請實施方式二在第一互連結構遠離基底的一側形成阻焊層后的結構示意圖；圖8是本申請實施方式三在封裝體中形成第二通孔后的結構示意圖；圖9是本申請實施方式三在第二通孔中形成第二互連結構后的結構示意圖；圖10是本申請實施方式三在第一互連結構和第二互連結構遠離基底的一側形成阻焊層；圖11是本申請實施方式四提供的一種半導體封裝結構示意圖；圖12是本申請實施方式二提供的半導體封裝結構的制作方法流程圖；圖13是本申請實施方式三提供的半導體封裝結構的制作方法流程圖；圖14是本申請一實施方式提供的半導體封裝結構中基底的結構示意圖；附圖標記：1
?
基底、2
?
圍擋、3
?
元器件、4
?
上端子、5
?
粘合劑、6
?
封裝體、7
?
第一通孔、8
?
第一互連結構、9
?
阻焊層、10
?
第二通孔、11
?
下端子、12
?
焊盤、13
?
延伸部、14
?
第二互連結構、101
?
框架、102
?
凹槽、103
?
連桿。
具體實施方式
[0011]為了使本
的人員更好地理解本申請中的技術方案，下面將結合本申請實施例中的附圖，對本申請實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本申請中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都應當屬于本申請保護的范圍。
[0012]此外，應當理解的是，此處所描述的具體實施方式僅用于說明和解釋本專利技術，并不用于限制本專利技術。在本專利技術中，在未作相反說明的情況下，使用的方位詞如“上”和“下”通常是指裝置實際使用或工作狀態下的上和下，具體為附圖中的圖面方向；而“內”和“外”則是針對裝置的輪廓而言的。
[0013]本申請的一種半導體封裝結構，包括：基底1；元器件3，元器件3設于基底1上，元器件3遠離基底1的一側設有上端子4；第一互連結構8，第一互連結構8設于元器件3遠離基底1的一側，第一互連結構8與上端子4互連；封裝體6，用于將元器件3和基底1封裝為一體；第一互連結構8嵌入封裝體6，且第一互連結構8遠離基底1的一側的至少部分從封裝體6暴露出來。通過設置了與元器件上端子互連的第一互連結構，利用第一互連結構直接作為引腳，與元器件上端子連接，導電距離短，性能更好，電阻更小，其遠離基底的一側至少部分從封裝體暴露出來，能夠實現元器件之間的互連或連接印刷電路板，避免了連線方式不可靠，提高了整體封裝結構的性能，能夠實現高密度元器件集成方案簡單化。
[0014]在一些實施例中，一種半導體封裝結構還包括圍擋2，圍擋2和基底1之間設有收容空間，元器件3收容于收容空間，通過圍擋2防止焊料外溢并增加封裝的剛性。
[0015]在一些實施例中，基底1為金屬材質，通過利用金屬材質的基底1，增強了整體封裝結構的散熱功能，使該封裝結構更適用于大功率器件。
[0016]在一些實施例中，元器件3靠近基底1的一側設有下端子11；基底1為金屬材質的基底1，下端子11與基底1電連接；基底1上還設有第二互連結構14，且第二互連結構14與基底1電連接；第二互連結構14嵌入封裝體6，且第二互連結構14遠離基底1的一側的至少部分露出于封裝體6。
[0017]通過采用金屬材質的基底1，基底1與元器件3的下端子11電連接，并將第二互連結構14與基底1電連接，實現引出元器件3引線的同時，整個封裝結構的制作方法流程簡單，有較大的散熱面積，進一步增強封裝結構的散熱特性并提高強度，使加工過程本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種半導體封裝結構，其特征在于，包括：基底（1）；元器件（3），所述元器件（3）設于所述基底（1）上，所述元器件（3）遠離所述基底（1）的一側設有上端子（4）；第一互連結構（8），所述第一互連結構（8）設于所述元器件（3）遠離所述基底（1）的一側，所述第一互連結構（8）與所述上端子（4）互連；封裝體（6），用于將所述元器件（3）和所述基底（1）封裝為一體；其中，所述第一互連結構（8）嵌入所述封裝體（6），且所述第一互連結構（8）遠離所述基底（1）的一側的至少部分露出于所述封裝體（6）。2.根據權利要求1所述的一種半導體封裝結構，其特征在于，所述元器件（3）遠離所述基底（1）的一側設有多個上端子（4），所述第一互連結構（8）包括多個第一互連部，各所述第一互連部對應互連一個所述上端子（4）。3.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述基底（1）為金屬材質。4.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述基底（1）上還設有圍擋（2），所述圍擋（2）和所述基底（1）之間設有收容空間，所述元器件（3）收容于所述收容空間。5.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述半導體封裝結構還包括焊盤（12），所述焊盤（12）設于所述第一互連結構（8）遠離所述基底（1）的一側，且所述焊盤（12）與所述第一互連結構（8）互連。6.根據權利要求5所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述焊盤（12）在水平方向的尺寸大于所述第一互連結構（8）遠離所述基底（1）的一側露出于所述封裝體（6）的部分在水平方向的尺寸。7.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述半導體封裝結構還包括延伸部（13），所述延伸部（13）與第一互連結構（8）連接，且所述延伸部（13）遠離所述基底（1）的一側與所述第一互連結構（8）遠離所述基底（1）的一側齊平。8.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述元器件（3）靠近所述基底（1）的一側設有下端子（11）；所述基底（1）為金屬材質，所述下端子（11）與所述基底（1）電連接；所述基底（1）上還設有第二互連結構（14），且所述第二互連結構（14）與所述基底（1）電連接；所述第二互連結構（14）嵌入所述封裝體（6），且所述第二互連結構（14）...

【專利技術屬性】
技術研發人員：龔玉平，辜順舟，王立，
申請(專利權)人：上海納矽微電子有限公司，
類型：發明
國別省市：