一種電子保險絲的封裝結(jié)構(gòu)、電路結(jié)構(gòu)及其封裝方法。所述封裝結(jié)構(gòu)包括：封裝框架，具有框架基體及多個引腳；位于所述框架基體上方的MOS管芯片；位于所述MOS管芯片上方的金屬連接件；以及位于所述金屬連接件上方的控制器芯片；其中，所述MOS管芯片包括：主MOS管及分MOS管；所述金屬連接件完全覆蓋所述主MOS管的源極區(qū)域，適于將所述主MOS管的源極區(qū)域與所述封裝框架的引腳連接；所述分MOS管的源極區(qū)域直接與所述封裝框架的引腳連接；所述控制器芯片，適于在所述電子保險絲軟啟動過程中，僅開啟所述主MOS管，以及在軟啟動結(jié)束后或者所述主MOS管進入線性區(qū)后，再開啟所述分MOS管。采用上述方案，可以減少MOS管被燒毀的情況。可以減少MOS管被燒毀的情況。可以減少MOS管被燒毀的情況。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
電子保險絲的封裝結(jié)構(gòu)、電路結(jié)構(gòu)及其封裝方法
[0001]本專利技術(shù)涉及電源半導體
，具體涉及一種電子保險絲的封裝結(jié)構(gòu)、電路結(jié)構(gòu)及其封裝方法。
技術(shù)介紹
[0002]電子保險絲廣泛用于家電、服務(wù)器、電腦、手機等領(lǐng)域。電子保險絲可以在系統(tǒng)插電或者上電時，讓系統(tǒng)電壓緩慢上升，防止電壓突然快速升高導致的電流過充。電子保險絲還可以作為電流過大時的斷路器，保護電路免受由過電流或過載或短路導致的損壞。
[0003]在實際應(yīng)用中，可以使用金屬
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氧化物
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半導體(Metal
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Oxide
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Semiconductor)晶體管(簡稱MOS管)來實現(xiàn)電子保險絲。集成電子保險絲(Efuse)是將控制器與MOS管集成在一顆芯片上，來代替控制器與MOS管分別集成在不同芯片的方案。
[0004]然而，現(xiàn)有集成電子保險絲，散熱性較差，在軟啟動過程中，MOS管非常容易被燒毀。
技術(shù)實現(xiàn)思路
[0005]本專利技術(shù)要解決的問題是：如何減少MOS管被燒毀的情況。
[0006]為解決上述問題，本專利技術(shù)實施例提供了一種電子保險絲的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)包括：
[0007]封裝框架，具有框架基體及多個引腳；
[0008]位于所述框架基體上方的MOS管芯片；
[0009]位于所述MOS管芯片上方的金屬連接件；
[0010]以及位于所述金屬連接件上方的控制器芯片；
[0011]其中，所述MOS管芯片包括：主MOS管及分MOS管；所述金屬連接件完全覆蓋所述主MOS管的源極區(qū)域，適于將所述主MOS管的源極區(qū)域與所述封裝框架的引腳連接；所述分MOS管的源極區(qū)域直接與所述封裝框架的引腳連接；
[0012]所述控制器芯片，與所述主MOS管的柵極區(qū)域及所述分MOS管的柵極區(qū)域連接，適于在所述電子保險絲軟啟動過程中，僅開啟所述主MOS管，以及在軟啟動結(jié)束后或者所述主MOS管進入線性區(qū)后，再開啟所述分MOS管。
[0013]可選地，所述主MOS管及所述分MOS管共用漏極區(qū)域。
[0014]可選地，所述主MOS管及所述分MOS管均為垂直結(jié)構(gòu)型MOS管。
[0015]可選地，所述分MOS管的柵極區(qū)域，由所述金屬連接件下方的柵極單元組成。
[0016]可選地，所述分MOS管的柵極區(qū)域，由所述金屬連接件下方的柵極單元中，連續(xù)的部分柵極單元組成。
[0017]可選地，所述分MOS管的柵極區(qū)域，由所述金屬連接件下方的柵極單元中，均勻分布的部分柵極單元組成。
[0018]可選地，組成所述分MOS管的柵極區(qū)域的柵極單元貫穿所述MOS管芯片。
[0019]可選地，所述主MOS管的面積大于所述分MOS管的面積。
[0020]可選地，所述分MOS管的面積占所述MOS管芯片的面積的15％～25％。
[0021]可選地，所述分MOS管的啟動方式為硬啟動。
[0022]可選地，所述金屬連接件為銅片。
[0023]本專利技術(shù)實施例還提供了一種電子保險絲的電路結(jié)構(gòu)，所述電路結(jié)構(gòu)包括：
[0024]控制器；
[0025]主MOS管及分MOS管；
[0026]其中，所述控制器，與所述主MOS管的柵極及所述分MOS管的柵極連接，適于在所述電子保險絲軟啟動過程中，僅開啟所述主MOS管，以及在軟啟動結(jié)束后或者所述主MOS管進入線性區(qū)后，再開啟所述分MOS管。
[0027]本專利技術(shù)實施例還提供了一種電子保險絲的封裝方法，所述方法包括：
[0028]提供封裝框架、MOS管芯片、金屬連接件及控制器芯片；所述封裝框架，具有框架基體及多個引腳；所述MOS管芯片包括：主MOS管及分MOS管；
[0029]將所述MOS管芯片置于所述框架基體上，并通過所述金屬連接件將所述主MOS管的源極區(qū)域與所述封裝框架的引腳連接，而將分MOS管的源極區(qū)域直接與所述封裝框架的引腳連接；所述金屬連接件完全覆蓋所述主MOS管的源極區(qū)域；
[0030]將所述控制器芯片置于所述金屬連接件上方，并將所述控制器芯片與所述主MOS管的柵極區(qū)域及所述分MOS管的柵極區(qū)域連接；
[0031]所述控制器芯片，適于在所述電子保險絲軟啟動過程中，僅開啟所述主MOS管，以及在軟啟動結(jié)束后或者所述主MOS管進入線性區(qū)后，再開啟所述分MOS管。
[0032]可選地，所述主MOS管及所述分MOS管共用漏極區(qū)域。
[0033]可選地，所述主MOS管及所述分MOS管均為垂直結(jié)構(gòu)型MOS管。
[0034]可選地，將所述金屬連接件下方的柵極單元，作為所述分MOS管的柵極區(qū)域。
[0035]可選地，將所述金屬連接件下方的柵極單元中，連續(xù)的部分柵極單元，作為所述分MOS管的柵極區(qū)域。
[0036]可選地，將所述金屬連接件下方的柵極單元中，均勻分布的部分柵極單元，作為所述分MOS管的柵極區(qū)域。
[0037]可選地，組成所述分MOS管的柵極區(qū)域的柵極單元貫穿所述MOS管芯片。
[0038]可選地，所述分MOS管的面積大于所述分MOS管。
[0039]可選地，所述分MOS管的面積占MOS管芯片的面積的15％～25％。
[0040]可選地，所述控制器芯片，適于在軟啟動結(jié)束后或者所述主MOS管進入線性區(qū)后，控制所述分MOS管硬啟動。
[0041]可選地，所述金屬連接件為銅片。
[0042]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)實施例的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點：
[0043]應(yīng)用本專利技術(shù)的方案，設(shè)置金屬連接件覆蓋主MOS管的源極區(qū)域，進而可以通過金屬連接件將主MOS管的源極區(qū)域與封裝框架的引腳連接，而分MOS管的源極區(qū)域則直接與封裝框架的引腳連接，此時，分MOS管未被金屬連接件覆蓋。這樣，在軟啟動過程中，在控制器芯片的控制下，僅開啟主MOS管，由于主MOS管通過金屬連接件與封裝框架接觸，散熱良好，而此時分MOS管并未開啟，分MOS管在軟啟動結(jié)束后或者主MOS管進入線性區(qū)后才開啟，由此可
以避免由于系統(tǒng)熱量太大以及零溫效應(yīng)造成的器件燒毀現(xiàn)象，改善集成電子保險絲的散熱性能。
附圖說明
[0044]圖1是一種電子保險絲的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0045]圖2是圖1中電子保險絲的具體電路連接示意圖；
[0046]圖3是圖1中示出的電子保險絲的封裝結(jié)構(gòu)示意圖；
[0047]圖4是圖3中電子保險絲的封裝結(jié)構(gòu)沿AA線的剖面示意圖；
[0048]圖5是為MOS管的功率隨軟啟動時長變化的曲線；
[0049]圖6是本專利技術(shù)實施例中一種電子保險絲的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0050]圖7是本專利技術(shù)實施例中一種電子保險絲的剖面示意圖；
[0051]圖8是本專利技術(shù)實施例中另一種電子保險絲的剖面示意圖；
[0052]圖9是本專利技術(shù)實施例中又一種電子保險絲的剖面示意圖；
[0053]圖10是本專利技術(shù)實施例中再一種電子保險絲本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
【技術(shù)特征摘要】
1.一種電子保險絲的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：封裝框架，具有框架基體及多個引腳；位于所述框架基體上方的MOS管芯片；位于所述MOS管芯片上方的金屬連接件；以及位于所述金屬連接件上方的控制器芯片；其中，所述MOS管芯片包括：主MOS管及分MOS管；所述金屬連接件完全覆蓋所述主MOS管的源極區(qū)域，適于將所述主MOS管的源極區(qū)域與所述封裝框架的引腳連接；所述分MOS管的源極區(qū)域直接與所述封裝框架的引腳連接；所述控制器芯片，與所述主MOS管的柵極區(qū)域及所述分MOS管的柵極區(qū)域連接，適于在所述電子保險絲軟啟動過程中，僅開啟所述主MOS管，以及在軟啟動結(jié)束后或者所述主MOS管進入線性區(qū)后，再開啟所述分MOS管。2.如權(quán)利要求1所述的電子保險絲的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述主MOS管及所述分MOS管共用漏極區(qū)域。3.如權(quán)利要求1所述的電子保險絲的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述主MOS管及所述分MOS管均為垂直結(jié)構(gòu)型MOS管。4.如權(quán)利要求1所述的電子保險絲的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述分MOS管的柵極區(qū)域，由所述金屬連接件下方的柵極單元組成。5.如權(quán)利要求1所述的電子保險絲的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述分MOS管的柵極區(qū)域，由所述金屬連接件下方的柵極單元中，連續(xù)的部分柵極單元組成。6.如權(quán)利要求1所述的電子保險絲的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述分MOS管的柵極區(qū)域，由所述金屬連接件下方的柵極單元中，均勻分布的部分柵極單元組成。7.如權(quán)利要求4至6任一項所述的電子保險絲的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，組成所述分MOS管的柵極區(qū)域的柵極單元貫穿所述MOS管芯片。8.如權(quán)利要求1所述的電子保險絲的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述主MOS管的面積大于所述分MOS管的面積。9.如權(quán)利要求8所述的電子保險絲的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述分MOS管的面積占所述MOS管芯片的面積的15％～25％。10.如權(quán)利要求1所述的電子保險絲的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述分MOS管的啟動方式為硬啟動。11.如權(quán)利要求1所述的電子保險絲的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬連接件為銅片。12.一種電子保險絲的電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：控制器；主MOS管及分MOS管；其中，所述控制器，與所述主MOS管的柵極及所述分MOS管的柵極連接，適于在所述電子保險絲軟啟動過程中，僅開啟所述主MOS管，以及在軟啟動結(jié)...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：聶坤，李海松，尹健，王欽，
申請(專利權(quán))人：無錫芯朋微電子股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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