一種用于檢測表面被手指印污染的半導體晶片的方法技術

本發明專利技術涉及半導體領域或光伏領域的一種用于檢測表面被手指印污染的半導體晶片的方法，特別是一種用于檢測表面被手指印污染的半導體晶片的方法，其特征在于：采用蒸汽噴至半導體晶片表面，半導體晶片表面肉眼不可見的手指印即可用人工肉眼辨別出來，完成檢測步驟。本發明專利技術成功實現了對半導體晶片表面上肉眼不可見的手指印的檢測，且本發明專利技術的技術方案簡單且易實施，成本低，非常有利于在生產中推廣使用。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及半導體領域或光伏領域的一種用于檢測表面被手指印污染的 半導體晶片的方法，特別是一種用于檢測表面被手指印污染的半導體晶片的方 法。
技術介紹
半導體晶片在生產過程中會由于各種原因，如人為因素的觸摸，造成半導 體晶片表面會被污染，手指印就是其中的一種，由于表面被手指印污染的半導 體晶片無法用人工肉眼看到，所以許多表面被手指印污染的半導體晶片被當作 正常半導體晶片來進行下一步的電池片制作。由于如果半導體晶片表面上有手 指印被做成電池片，會影響電池片的質量。目前國外已有一些技術用來檢測表面被手指印污染的半導體晶片，如美國專利US20040152250，提出采用非振動接觸電壓差傳感器來檢測被手指印污染 的晶片，但是由于采用該種技術方案的效率低，且成本高，不利于在生產中推 廣使用。US20040152250的摘要中記載的主要內容為這個方法及系統包括，提供 了一種物質，比如一種半導體晶片，采用一種非振動接觸電壓差傳感器來對半 導體晶片進行掃描，產生接觸電壓差數據以及經過對這個數據進行處理來判斷 晶片表面上的缺陷或污染物的類別和特征，比如人的手指印。US20040152250的第1條權利要求記載的主要內容為 一種用于檢測一種 材料表面的缺陷或污染物的方法，包括提供了一種物質，比如一種半導體晶片， 采用一種非振動接觸電壓差傳感器來對晶片進行掃描，通過傳感器得到產生的 接觸電壓差數據，并經過對這個非振動接觸電壓差數據進行處理后，自動檢測 出晶片表面上的缺陷或污染物的圖像和特征。US20040152250的第5條權利要求記載的主要內容為 一種用于檢測一種 材料表面的缺陷或污染物的方法，所述的圖像種類可以是從被金屬污染的晶片 圖像，被酒精污染的晶片圖像，被真空精選損傷的晶片圖像，被乳膠污染的晶 片圖像，被人的手指印污染的晶片圖像，被機械損傷的晶片圖像中的任意一種。 也有采用質譜方法來檢測以及分析被手指印污染的晶片的報道。 目前的現有技術均是采用一些昂貴的設備儀器來檢測以及分析被手指印 污染的晶片，使用也不方便，這些方法的工作效率較低，而且設備投入成本高，不利于在生產中推廣使用。所以找到一種合適的，高效的，低成本的檢測方法來檢測表面被手指印污染的半導體晶片對于整個半導體領域或光伏領域是非常有意義的。
技術實現思路
本專利技術解決的技術問題是采用簡單地蒸汽處理手段用來檢測半導體晶片 表面上肉眼不可見的手指印的方法。 本專利技術的技術方案為，其中采用蒸汽來 檢測半導體晶片表面被手指印污染的半導體晶片的手指印。，其中將蒸汽噴至 半導體晶片表面，被手指印污染的半導體晶片表面與未被手指印污染的半導體 晶片表面顯示出不同的印記，通過目測或機器識別半導體晶片表面的印記。，其中所述的蒸汽 的成分可以是水。，其中所述的蒸汽 的成分可以是任何一種水溶液。，其中所述的蒸汽 的溫度大于或等于60°C。，其中所述的蒸汽 的壓力為1 bar-100 bar。，其中所述的蒸汽 的流量為1-100克/分鐘。，其中所述的蒸汽 是采用任何一種蒸汽發生裝置釋放的。，其中所述的半導 體晶片可以是硅晶片。<table>table see original document page 4</column></row><table><table>table see original document page 5</column></row><table>本專利技術的工作原理由于半導體晶片表面結構基本一致，其表面上的肉眼 不可見的手指印作為污染物會影響半導體晶片的表面結構，不同的表面結構對 蒸汽的吸附性不同從而使半導體晶片原本肉眼不可見的手指印的輪廓呈現出 來，從而實現對半導體晶片的手指印的檢測。本專利技術的優點本專利技術成功實現了對半導體晶片表面上肉眼不可見的手指 印的檢測。蒸汽的產生是非常簡單的，而且只要將蒸汽噴至半導體晶片表面就 能立即顯示出印記的差異，這與利用非振動接觸電壓差，質譜等來檢測被手指 印污染的晶片的復雜方法相比，本專利技術的技術方案簡單且易實施，成本低，非 常有利于在生產中推廣使用。 附圖說明附圖1是未經過蒸汽處理的被手指印污染的硅晶片表面外觀圖片示意圖； 附圖2是經過蒸汽處理的被手指印污染的硅晶片表面外觀圖片示意圖； 附圖標記硅片l，手指印2。 具體實施例方式實施例1、 ，其中采用 蒸汽來檢測半導體晶片表面被手指印污染的半導體晶片的手指印。 實施例2、 ，其中采用 蒸汽噴至半導體晶片表面，半導體晶片表面肉眼不可見的手指印即可用人工肉 眼辨別出來，完成檢測步驟。其余同實施例l。實施例3、 ，其中所述 的蒸汽的成分是水。其余同實施例l、實施例2。實施例4、如權利要求1或2所述的一種用于檢測表面被手指印污染的半導體 晶片的方法，其中所述的蒸汽的成分可以是任何一種水溶液。其余同實施例 1、實施例2。實施例5、如權利要求1或2所述的一種用于檢測表面被手指印污染的半導體 晶片的方法，其中所述的蒸汽的成分可以是氫氟酸水溶液。其余同實施例1、實施例2。實施例6、 ，其中所述的蒸汽的溫度大于或等于6(TC。其余同實施例l、實施例2。實施例7、 ，其中所述的蒸汽的溫度為6(TC。其余同實施例l、實施例2。實施例8、 ，其中所述 的蒸汽的溫度為70'C。其余同實施例l、實施例2。實施例9、 ，其中所述 的蒸汽的溫度為80'C。其余同實施例l、實施例2。實施例IO、 ，其中所述 的蒸汽的溫度為90。C。其余同實施例l、實施例2。實施例ll、 ，其中所述 的蒸汽的溫度為IOO'C。其余同實施例l、實施例2。實施例12、 ，其中所述 的蒸汽的溫度為ll(TC。其余同實施例l、實施例2。實施例13、 ，其中所述 的蒸汽的溫度為120°C。其余同實施例l、實施例2。實施例14、 ，其中所述的蒸汽的溫度為130°C。其余同實施例l、實施例2。實施例15、 ，其中所述 的蒸汽的溫度為140'C。其余同實施例l、實施例2。實施例16、 ，其中所述 的蒸汽的溫度為16(TC。其余同實施例l、實施例2。實施例17、 ，其中所述的蒸汽的溫度為18(TC。其余同實施例l、實施例2。實施例18、 ，其中所述 的蒸汽的溫度為200'C。其余同實施例l、實施例2。實施例19、 ，其中所述 的蒸汽的壓力為0.1bar-100bar。其余同實施例1、實施例2。 實施例20、 ，其中所述 的蒸汽的壓力為1.1 bar。其余同實施例1、實施例2。實施例21、 ，其中所述 的蒸汽的壓力為l,3bar。其余同實施例l、實施例2。實施例22、 ，其中所述 的蒸汽的壓力為1.5bar。其余同實施例l、實施例2。實施例23、 ，其中所述 的蒸汽的壓力為1.8bar。其余同實施例l、實施例2。實施例24、 ，其中所述的蒸汽的壓力為1 bar。其余同實施例1、實施例2。實施例25、 ，其中所述 的蒸汽的壓力為2bar。其余同實施例l、實施例2。實施例26、 ，其中所述 的蒸汽的壓力為3bar。其余同實施例l、實施例2。實施例27、 ，其中所述 的蒸汽的壓力為5bar。其余同實施例l、實施例2。實施例28、 ，其中所述 的蒸汽的壓力本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種用于檢測表面被手指印污染的半導體晶片的方法，其特征在于：采用蒸汽來檢測半導體晶片表面被手指印污染的半導體晶片的手指印。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：李建敏，中野研吾，杜嘉斌，宋建平，
申請(專利權)人：江西賽維LDK太陽能高科技有限公司，
類型：發明
國別省市：36[中國|江西]