本申請涉及集成電路測試領(lǐng)域,公開了一種用于協(xié)助硅后測試的芯片測試方法,可以大幅降低硅后測試難度。該方法包括:獲取項(xiàng)目的模式描述文本。基于模式描述文本,通過腳本生成器調(diào)用功能仿真模板生成功能仿真用例。使用功能仿真用例進(jìn)行寄存器轉(zhuǎn)換級電路功能仿真,若功能仿真不通過則更正模式描述文本,再次生成寄存器轉(zhuǎn)換級電路仿真用例,進(jìn)行功能仿真,直至功能仿真通過。使用通過功能仿真的模式描述文本通過腳本生成器調(diào)用硅后測試模板生成與功能仿真用例同源的硅后測試用例。以及,使用硅后測試用例進(jìn)行硅后測試。后測試用例進(jìn)行硅后測試。后測試用例進(jìn)行硅后測試。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種用于協(xié)助硅后測試的芯片測試方法
[0001]本申請涉及集成電路測試領(lǐng)域,具體涉及一種用于協(xié)助硅后測試的芯片測試方法。
技術(shù)介紹
[0002]本部分旨在為權(quán)利要求書中陳述的本申請的實(shí)施方式提供背景或上下文。此處的描述不因?yàn)榘ㄔ诒静糠种芯统姓J(rèn)是已被公開的現(xiàn)有技術(shù)。
[0003]復(fù)雜芯片的bring
?
up(上電啟動(dòng)測試)或者復(fù)雜場景的配置(如多個(gè)子系統(tǒng)配合的性能測試),由于硅片無法直接觀測內(nèi)部信號,配置信息需要多次迭代才能成功,DV(Design Verification,功能驗(yàn)證,屬于設(shè)計(jì)前端仿真)與硅后測試編程語言差異、關(guān)注粒度和角度不同,可能導(dǎo)致設(shè)計(jì)驗(yàn)證的測試用例無法直接用于硅后測試,而設(shè)計(jì)驗(yàn)證在RTL(Register
?
transfer level,寄存器傳輸級)仿真中可以觀測內(nèi)部的任何信號,及時(shí)發(fā)現(xiàn)及糾正錯(cuò)誤配置或者錯(cuò)誤配置流程。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
[0004]本申請的目的在于提供一種用于協(xié)助硅后測試的芯片測試方法,可以大幅降低硅后測試難度,節(jié)省測試時(shí)間成本。
[0005]本申請公開了一種用于協(xié)助硅后測試的芯片測試方法,包括:獲取項(xiàng)目的模式描述文本;基于所述模式描述文本,通過腳本生成器調(diào)用功能仿真模板生成功能仿真用例;使用所述功能仿真用例進(jìn)行寄存器轉(zhuǎn)換級電路功能仿真,若功能仿真不通過則更正所述模式描述文本,再次生成寄存器轉(zhuǎn)換級電路仿真用例,進(jìn)行功能仿真,直至功能仿真通過;使用通過功能仿真的所述模式描述文本通過所述腳本生成器調(diào)用硅后測試模板生成與所述功能仿真用例同源的硅后測試用例;使用所述硅后測試用例進(jìn)行硅后測試。
[0006]在一個(gè)優(yōu)選例中,還包括:獲取相近項(xiàng)目的相近模式描述文本;基于所述相近模式描述文本,通過腳本生成器調(diào)用所述功能仿真模板生成所述功能仿真用例;使用所述功能仿真用例進(jìn)行寄存器轉(zhuǎn)換級電路功能仿真,若功能仿真不通過則更正所述相近模式描述文本,再次生成寄存器轉(zhuǎn)換級電路仿真用例,進(jìn)行功能仿真,直至功能仿真通過;使用通過功能仿真的所述相近模式描述文本通過所述腳本生成器調(diào)用硅后測試模板生成與所述功能仿真用例同源的硅后測試用例;使用所述硅后測試用例進(jìn)行硅后測試。
[0007]在一個(gè)優(yōu)選例中,還包括:所述腳本生成器根據(jù)所述模式描述文本提供的信息找到對應(yīng)的標(biāo)簽并找到對應(yīng)的庫文件,所述庫文件包括各團(tuán)隊(duì)的原子操作庫文件;所述腳本生成器根據(jù)所述模式描述文本中對應(yīng)的指令翻譯為對應(yīng)的操作并生成對應(yīng)的用例供各個(gè)團(tuán)隊(duì)進(jìn)行測試。
[0008]在一個(gè)優(yōu)選例中,所述描述文本包括組合成所有芯片的配置流程的指令集。
[0009]在一個(gè)優(yōu)選例中,所述描述文本被配置為用基礎(chǔ)語言和文本配置文件描述配置流程。
[0010]在一個(gè)優(yōu)選例中,硅后測試團(tuán)隊(duì)提供所述模式描述文本,功能驗(yàn)證團(tuán)隊(duì)根據(jù)所述模式描述文本生成測試用例,在驗(yàn)證環(huán)境中進(jìn)行驗(yàn)證。
[0011]在一個(gè)優(yōu)選例中,所述功能驗(yàn)證團(tuán)隊(duì)根據(jù)所述硅后測試團(tuán)隊(duì)提供的測試場景,編寫所述模式描述文本,生成測試用例,在驗(yàn)證環(huán)境中進(jìn)行驗(yàn)證。
[0012]在一個(gè)優(yōu)選例中,所述功能仿真包括觀測所述寄存器轉(zhuǎn)換級電路內(nèi)部信號并糾正錯(cuò)誤配置或錯(cuò)誤配置流程。
[0013]在一個(gè)優(yōu)選例中,所述項(xiàng)目使用獨(dú)立的文本配置文件。
[0014]在一個(gè)優(yōu)選例中,所述描述文本包括項(xiàng)目對應(yīng)標(biāo)簽及目錄、測試用例名以及由原子操作組成的任務(wù)。
[0015]本申請還公開了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì),所述計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)中存儲有計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令,所述計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如前文描述的方法中的步驟。
[0016]本申請的實(shí)施方式中,用描述文本生成功能仿真用例,用功能仿真用例進(jìn)行功能仿真,如果驗(yàn)證失敗則修改描述文本,繼續(xù)生成功能仿真用例仿真,直到仿真結(jié)果符合預(yù)期,再用仿真成功的描述文本對應(yīng)的描述文本生成硅后測試用例,功能仿真相對于硅后測試有更多測觀測信號,調(diào)試起來更容易。
[0017]進(jìn)一步地,由于功能仿真用例和硅后測試用例的同源性,可以保證用于硅后測試的用例已經(jīng)通過功能仿真,降低錯(cuò)誤配置和錯(cuò)誤配置流程發(fā)生的概率;進(jìn)一步地,對于相近項(xiàng)目的驗(yàn)證,可以生成相近項(xiàng)目的描述文本進(jìn)行功能仿真,該相近項(xiàng)目的描述文本對于相近項(xiàng)目可以進(jìn)行復(fù)用。
[0018]硅后測試難度大大高于功能仿真,因?yàn)楣δ芊抡婵梢砸院苄〉拇鷥r(jià)觀測到任意中間結(jié)果,容易調(diào)試,而硅后測試出問題時(shí),可能是硬件的問題,也可能是測試用例的問題,通過上述方法可以大大減少測試用例出問題的可能性。
[0019]上述
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
中公開的各個(gè)技術(shù)特征、在下文各個(gè)實(shí)施方式和例子中公開的各技術(shù)特征、以及附圖中公開的各個(gè)技術(shù)特征,都可以自由地互相組合,從而構(gòu)成各種新的技術(shù)方案(這些技術(shù)方案均應(yīng)該視為在本說明書中已經(jīng)記載),除非這種技術(shù)特征的組合在技術(shù)上是不可行的。例如,在一個(gè)例子中公開了特征A+B+C,在另一個(gè)例子中公開了特征A+B+D+E,而特征C和D是起到相同作用的等同技術(shù)手段,技術(shù)上只要擇一使用即可,不可能同時(shí)采用,特征E技術(shù)上可以與特征C相組合,則,A+B+C+D的方案因技術(shù)不可行而應(yīng)當(dāng)不被視為已經(jīng)記載,而A+B+C+E的方案應(yīng)當(dāng)視為已經(jīng)被記載。
附圖說明
[0020]圖1是根據(jù)本申請的一個(gè)實(shí)施方式的流程示意圖;圖2是根據(jù)本申請的一個(gè)實(shí)施方式的流程示意圖;圖3是根據(jù)本申請的一個(gè)實(shí)施方式的流程示意圖。
具體實(shí)施方式
[0021]在以下的敘述中,為了使讀者更好地理解本申請而提出了許多技術(shù)細(xì)節(jié)。但是,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解,即使沒有這些技術(shù)細(xì)節(jié)和基于以下各實(shí)施方式的種種變化和修改,也可以實(shí)現(xiàn)本申請所要求保護(hù)的技術(shù)方案。
[0022]部分概念的說明:功能驗(yàn)證,也稱為功能驗(yàn)證測試。在芯片測試中,前端設(shè)計(jì)用硬件描述語言Verilog將模塊功能以代碼來描述實(shí)現(xiàn),也就是將芯片所需的功能通過機(jī)器可以理解的語言描述出來,形成RTL代碼。功能驗(yàn)證主要負(fù)責(zé)就是驗(yàn)證前端設(shè)計(jì)工程師所出的RTL代碼是否真正實(shí)現(xiàn)了芯片所要具備的功能。
[0023]硅后驗(yàn)證:在流片后,使樣品在真實(shí)環(huán)境中進(jìn)行驗(yàn)證,稱為硅后驗(yàn)證。在硅后驗(yàn)證中,使用計(jì)算機(jī)上的軟件工具配置芯片,并將測試代碼下載到芯片中進(jìn)行各種測試。
[0024]原子操作:是指不會被線程調(diào)度機(jī)制打斷的操作;這種操作一旦開始,就一直運(yùn)行到結(jié)束,中間不會有任何切換到另一個(gè)線程的操作。
[0025]為使本申請的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合附圖對本申請的實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0026]本申請涉及一種用于協(xié)助硅后測試的芯片測試方法,其流程如圖1所示,該方法包括以下步驟:在步驟101中,獲取項(xiàng)目的模式描述文本。
[0027]在步驟102中,基于模式描述文本,通過腳本生成器調(diào)用功能仿真模板生成功能仿真用例。
[0028]在步驟103中,腳本生成器根據(jù)模式描述文本提供的信息找到對應(yīng)的標(biāo)簽并找到對應(yīng)的庫文件,庫文件包括各團(tuán)隊(duì)的原子操作庫文件。
[本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
【技術(shù)特征摘要】
1.一種用于協(xié)助硅后測試的芯片測試方法,其特征在于,包括:獲取項(xiàng)目的模式描述文本;基于所述模式描述文本,通過腳本生成器調(diào)用功能仿真模板生成功能仿真用例;所述腳本生成器根據(jù)所述模式描述文本提供的信息找到對應(yīng)的標(biāo)簽并找到對應(yīng)的庫文件,所述庫文件包括各團(tuán)隊(duì)的原子操作庫文件;使用所述功能仿真用例進(jìn)行寄存器轉(zhuǎn)換級電路功能仿真,若功能仿真不通過則更正所述模式描述文本,再次生成寄存器轉(zhuǎn)換級電路仿真用例,進(jìn)行功能仿真,直至功能仿真通過;所述腳本生成器根據(jù)所述模式描述文本中對應(yīng)的指令翻譯為對應(yīng)的操作并生成對應(yīng)的用例供各個(gè)團(tuán)隊(duì)進(jìn)行測試;使用通過功能仿真的所述模式描述文本通過所述腳本生成器調(diào)用硅后測試模板生成與所述功能仿真用例同源的硅后測試用例;使用所述硅后測試用例進(jìn)行硅后測試。2.如權(quán)利要求1所述的用于協(xié)助硅后測試的芯片測試方法,其特征在于,還包括:獲取相近項(xiàng)目的相近模式描述文本;基于所述相近模式描述文本,通過腳本生成器調(diào)用所述功能仿真模板生成所述功能仿真用例;使用所述功能仿真用例進(jìn)行寄存器轉(zhuǎn)換級電路功能仿真,若功能仿真不通過則更正所述相近模式描述文本,再次生成寄存器轉(zhuǎn)換級電路仿真用例,進(jìn)行功能仿真,直至功能仿真通過;使用通過功能仿真的所述相近模式描述文本通過所述腳本生成器調(diào)用硅后測試模板生成與所述功能仿真用例同源的硅后...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:毛焰烽,歷廣緒,陳哲,張俊,
申請(專利權(quán))人:上海類比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司,
類型:發(fā)明
國別省市:
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。