本發(fā)明專利技術(shù)提供了臥式雙蒸發(fā)光學(xué)鍍工藝及設(shè)備，工藝步驟如下：將蒸發(fā)架拉出至鍍膜室外，并將兩種靶材分別放置在第一蒸發(fā)倉和第二蒸發(fā)倉內(nèi)；結(jié)構(gòu)件固定在蒸發(fā)架上，并推回鍍膜室內(nèi)；對鍍膜室抽真空；兩種靶材進(jìn)行輪流加熱蒸發(fā)，使兩種靶材有序附著至結(jié)構(gòu)件表面；停止加熱靶材，恢復(fù)鍍膜室的壓強(qiáng)和溫度；取下結(jié)構(gòu)件。通過將兩種靶材分別放置在并列設(shè)置的2個蒸發(fā)倉內(nèi)，將兩種靶材同時加熱至對應(yīng)的蒸發(fā)臨界值溫度，并根據(jù)膜層位置需求加熱其一靶材進(jìn)行鍍膜，該靶材成功鍍膜后降低靶材溫度至臨界值溫度，然后加熱另一靶材進(jìn)行鍍膜，成功鍍膜后降低靶材溫度值臨界值溫度。通過重復(fù)操作，可以進(jìn)行快速鍍膜，提高生產(chǎn)效率。提高生產(chǎn)效率。提高生產(chǎn)效率。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
臥式雙蒸發(fā)光學(xué)鍍工藝及設(shè)備
[0001]本專利技術(shù)涉及蒸發(fā)鍍膜
，特別涉及臥式雙蒸發(fā)光學(xué)鍍工藝及設(shè)備。
技術(shù)介紹
[0002]薄膜鍍膜技術(shù)廣泛應(yīng)用于多個行業(yè)，如光學(xué)、電子、裝飾等領(lǐng)域。傳統(tǒng)的鍍膜設(shè)備往往采用立式蒸發(fā)鍍膜，立式鍍膜機(jī)結(jié)構(gòu)緊湊，但由于受重力影響，鍍膜層的厚度分布不均勻。相比之下，臥式鍍膜機(jī)具有較好的鍍膜均勻性。
[0003]而目前的臥式鍍膜機(jī)大部分采用單一蒸發(fā)源進(jìn)行鍍膜，因此對于多層鍍膜時，需要頻繁更換靶材進(jìn)行鍍膜，生產(chǎn)效率較低。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
[0004]為克服目前的臥式鍍膜機(jī)大部分采用單一蒸發(fā)源進(jìn)行鍍膜，因此對于多層鍍膜時，需要頻繁更換靶材進(jìn)行鍍膜，生產(chǎn)效率較低的技術(shù)問題，本專利技術(shù)提供了臥式雙蒸發(fā)光學(xué)鍍工藝及設(shè)備。
[0005]本專利技術(shù)提供了臥式雙蒸發(fā)光學(xué)鍍設(shè)備，其包括以下步驟：
[0006]S1：打開鍍膜機(jī)的倉門，將蒸發(fā)架拉出至鍍膜室外，并將兩種靶材分別放置在第一蒸發(fā)倉和第二蒸發(fā)倉內(nèi)；
[0007]S2：將需要鍍膜的結(jié)構(gòu)件進(jìn)行固定在蒸發(fā)架上，將蒸發(fā)架推回至鍍膜室內(nèi)，并關(guān)閉倉門；
[0008]S3：啟動鍍膜機(jī)的真空系統(tǒng)對鍍膜室抽真空；
[0009]S4：將兩種靶材進(jìn)行輪流加熱蒸發(fā)，使兩種靶材有序附著至結(jié)構(gòu)件表面；
[0010]S5：完成蒸發(fā)鍍膜后，停止靶材加熱，并將鍍膜室內(nèi)注入空氣；
[0011]S6：打開鍍膜機(jī)的倉門，將蒸發(fā)架拉出至鍍膜室外，并取下結(jié)構(gòu)件。
[0012]進(jìn)一步地，所述S1中兩種靶材分別為一氧化硅和硫化鋅，且放置一氧化硅的第一蒸發(fā)倉和放置硫化鋅的第二蒸發(fā)倉并列設(shè)置，并置于加熱源上。
[0013]進(jìn)一步地，在所述S4中還包括以下步驟：
[0014]S41：將第一蒸發(fā)倉和第二蒸發(fā)倉分別加熱至兩種靶材的蒸發(fā)臨界溫度；
[0015]S42：持續(xù)加熱第一蒸發(fā)倉，使一氧化硅霧化并附著在結(jié)構(gòu)件表面形成一氧化硅層后，第一蒸發(fā)倉停止加熱，使第一蒸發(fā)倉溫度恢復(fù)至一氧化硅蒸發(fā)臨界溫度；
[0016]S43：加熱第二蒸發(fā)倉，使硫化鋅霧化并附著在一氧化硅膜層表面形成硫化鋅膜層后，第二蒸發(fā)倉停止加熱，使第二蒸發(fā)倉溫度恢復(fù)至硫化鋅蒸發(fā)臨界溫度。
[0017]進(jìn)一步地，所述S42和所述S43可以進(jìn)行多次重復(fù)蒸發(fā)鍍膜。
[0018]進(jìn)一步地，所述一氧化硅或所述硫化鋅進(jìn)行蒸發(fā)過程中，蒸發(fā)架環(huán)繞第一蒸發(fā)倉和第二蒸發(fā)倉進(jìn)行旋轉(zhuǎn)運(yùn)動。
[0019]本專利技術(shù)還提供了臥式雙蒸發(fā)光學(xué)鍍設(shè)備，適用于上述臥式雙蒸發(fā)光學(xué)鍍工藝，其包括真空系統(tǒng)、鍍膜機(jī)和控制器，控制器分別電性連接所述真空系統(tǒng)和所述鍍膜機(jī)，所述鍍
膜機(jī)包括鍍膜室、蒸發(fā)架和放置架，所述蒸發(fā)架置于所述鍍膜室內(nèi)，所述鍍膜室一側(cè)設(shè)有倉門，且所述放置架靠近所述倉門設(shè)置。
[0020]進(jìn)一步地，所述蒸發(fā)架包括加熱部、支撐架、固定座和旋轉(zhuǎn)架，所述支撐架一端固定連接所述加熱部，所述支撐架另一端固定連接所述固定座，所述固定座還對稱設(shè)有滾輪，所述旋轉(zhuǎn)架置于所述滾輪上。
[0021]進(jìn)一步地，所述旋轉(zhuǎn)架包括2個轉(zhuǎn)盤、支撐桿和夾爪，所述支撐桿設(shè)有多根，所述支撐桿的兩端分別垂直連接所述轉(zhuǎn)盤，所述夾爪設(shè)有多個，所述支撐桿連接多個所述夾爪。
[0022]進(jìn)一步地，所述固定座還設(shè)有電機(jī)和齒輪，所述轉(zhuǎn)盤的邊緣環(huán)繞設(shè)有齒槽，所述電機(jī)的輸出端固定連接所述齒輪，所述齒輪與所述轉(zhuǎn)盤的齒槽嚙合連接。
[0023]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)提供的臥式雙蒸發(fā)光學(xué)鍍設(shè)備，具有以下優(yōu)點(diǎn)：
[0024]本專利技術(shù)公開了臥式雙蒸發(fā)光學(xué)鍍工藝及設(shè)備，通過將兩種靶材分別放置在并列設(shè)置的2個蒸發(fā)倉內(nèi)，將兩種靶材同時加熱至對應(yīng)的蒸發(fā)臨界值溫度，并根據(jù)膜層位置需求加熱其一靶材進(jìn)行鍍膜，該靶材成功鍍膜后降低靶材溫度至臨界值溫度，然后加熱另一靶材進(jìn)行鍍膜，成功鍍膜后降低靶材溫度值臨界值溫度。通過重復(fù)操作，可以進(jìn)行快速鍍膜，提高生產(chǎn)效率。
附圖說明
[0025]圖1是本專利技術(shù)提供的臥式雙蒸發(fā)光學(xué)鍍工藝的流程圖；
[0026]圖2是本專利技術(shù)提供的臥式雙蒸發(fā)光學(xué)鍍工藝中的步驟S4的細(xì)節(jié)流程圖；
[0027]圖3是本專利技術(shù)提供的臥式雙蒸發(fā)光學(xué)鍍設(shè)備的整體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖4是本專利技術(shù)提供的臥式雙蒸發(fā)光學(xué)鍍設(shè)備中的鍍膜機(jī)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖5是本專利技術(shù)提供的臥式雙蒸發(fā)光學(xué)鍍設(shè)備中的蒸發(fā)架結(jié)構(gòu)示意圖。
[0030]附圖標(biāo)記說明：1、鍍膜機(jī)；2、真空系統(tǒng)；3、控制器；
[0031]11、鍍膜室；12、倉門；13、放置架；14、蒸發(fā)架；
[0032]141、轉(zhuǎn)盤；142、支撐桿；143、支撐架；144、固定座；145、加熱部；146、電機(jī)；147、齒輪；148、夾爪。
具體實(shí)施方式
[0033]為了使本專利技術(shù)的目的，技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施實(shí)例，對本專利技術(shù)進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本專利技術(shù)，并不用于限定本專利技術(shù)。
[0034]需要說明的是，當(dāng)元件被稱為“固定于”另一個元件，它可以直接在另一個元件上或者也可以存在居中的元件。當(dāng)一個元件被認(rèn)為是“連接”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件。本文所使用的術(shù)語“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說明的目的。
[0035]請參閱圖1至圖2，本專利技術(shù)提供了臥式雙蒸發(fā)光學(xué)鍍設(shè)備，其包括以下步驟：
[0036]S1：打開鍍膜機(jī)的倉門，將蒸發(fā)架拉出至鍍膜室外，并將兩種靶材分別放置在第一蒸發(fā)倉和第二蒸發(fā)倉內(nèi)；
[0037]S2：將需要鍍膜的結(jié)構(gòu)件進(jìn)行固定在蒸發(fā)架上，將蒸發(fā)架推回至鍍膜室內(nèi)，并關(guān)閉
倉門；
[0038]S3：啟動鍍膜機(jī)的真空系統(tǒng)對鍍膜室抽真空；
[0039]S4：將兩種靶材進(jìn)行輪流加熱蒸發(fā)，使兩種靶材有序附著至結(jié)構(gòu)件表面；
[0040]S5：完成蒸發(fā)鍍膜后，停止靶材加熱，并將鍍膜室內(nèi)注入空氣；
[0041]S6：打開鍍膜機(jī)的倉門，將蒸發(fā)架拉出至鍍膜室外，并取下結(jié)構(gòu)件。
[0042]可以理解，第一蒸發(fā)倉和第二蒸發(fā)倉并列設(shè)置，同時，真空系統(tǒng)對鍍膜室抽真空至壓力值為0.05帕斯卡時，開始進(jìn)行靶材加熱。
[0043]具體地，兩種靶材輪流加熱蒸發(fā)中，可以按照鍍膜需求將對應(yīng)靶材加熱至蒸發(fā)狀態(tài)，另一靶材加熱至臨界蒸發(fā)狀態(tài)，當(dāng)完成一種靶材鍍膜時，將對應(yīng)靶材降溫至臨界蒸發(fā)狀態(tài)后，再進(jìn)行加熱另一種靶材至蒸發(fā)狀態(tài)。上述步驟可以多次蒸發(fā)，進(jìn)行輪流鍍膜，完成多個膜層的鍍膜。
[0044]進(jìn)一步地，所述S1中兩種靶材分別為一氧化硅和硫化鋅，且放置一氧化硅的第一蒸發(fā)倉和放置硫化鋅的第二蒸發(fā)倉并列設(shè)置，并置于加熱源上。
[0045]可以理解，一氧化硅鍍膜表面硬度較高，具有良好的耐磨性和耐腐蝕性，能夠保護(hù)基材不受外界環(huán)境的侵蝕，同時，具有附著力較好，能夠在各種材料表面形成均勻、致密的保護(hù)層。
[004本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
【技術(shù)特征摘要】
1.臥式雙蒸發(fā)光學(xué)鍍工藝，其特征在于：包括以下步驟：S1：打開鍍膜機(jī)的倉門，將蒸發(fā)架拉出至鍍膜室外，并將兩種靶材分別放置在第一蒸發(fā)倉和第二蒸發(fā)倉內(nèi)；S2：將需要鍍膜的結(jié)構(gòu)件進(jìn)行固定在蒸發(fā)架上，將蒸發(fā)架推回至鍍膜室內(nèi)，并關(guān)閉倉門；S3：啟動鍍膜機(jī)的真空系統(tǒng)對鍍膜室抽真空；S4：將兩種靶材進(jìn)行輪流加熱蒸發(fā)，使兩種靶材有序附著至結(jié)構(gòu)件表面；S5：完成蒸發(fā)鍍膜后，停止靶材加熱，并將鍍膜室內(nèi)注入空氣；S6：打開鍍膜機(jī)的倉門，將蒸發(fā)架拉出至鍍膜室外，并取下結(jié)構(gòu)件。2.如權(quán)利要求1所述臥式雙蒸發(fā)光學(xué)鍍工藝，其特征在于：所述S1中兩種靶材分別為一氧化硅和硫化鋅，且放置一氧化硅的第一蒸發(fā)倉和放置硫化鋅的第二蒸發(fā)倉并列設(shè)置，并置于加熱源上。3.如權(quán)利要求2所述臥式雙蒸發(fā)光學(xué)鍍工藝，其特征在于：在所述S4中還包括以下步驟：S41：將第一蒸發(fā)倉和第二蒸發(fā)倉分別加熱至兩種靶材的蒸發(fā)臨界溫度；S42：持續(xù)加熱第一蒸發(fā)倉，使一氧化硅霧化并附著在結(jié)構(gòu)件表面形成一氧化硅層后，第一蒸發(fā)倉停止加熱，使第一蒸發(fā)倉溫度恢復(fù)至一氧化硅蒸發(fā)臨界溫度；S43：加熱第二蒸發(fā)倉，使硫化鋅霧化并附著在一氧化硅膜層表面形成硫化鋅膜層后，第二蒸發(fā)倉停止加熱，使第二蒸發(fā)倉溫度恢復(fù)至硫化鋅蒸發(fā)臨界溫度。4.如權(quán)利要求3所述臥式雙蒸發(fā)光學(xué)鍍工藝，其特征...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張步躍，謝博文，宋麗川，袁杰，許耀川，
申請(專利權(quán))人：東莞市廣正模具塑膠有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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