本實用新型專利技術公開了一種氣相沉積裝置及應用該裝置的鍍膜設備，所述氣相沉積裝置包括：處理腔室、陽極、快接法蘭，所述陽極可藕接在所述處理腔室的內部，所述陽極為氣管，所述氣管上設置有孔道，所述處理腔室為空心結構，所述快接法蘭設置在所述處理腔室的兩側，所述快接法蘭與所述處理腔室進行可拆卸式連接；所述鍍膜設備包括：紅外測溫系統、供氣系統、電源系統、抽真空系統、控制系統及如上所述的氣相沉積裝置。本實用新型專利技術所公開的技術方案，可根據待鍍工件的形狀及大小對處理腔室進行調整并更換，利用空心陰極效應的等離子態增強化學氣相沉積技術，能夠成功在復雜的異型零部件的表面制備出具有低內應力和高結合強度的全尺寸碳基涂層。碳基涂層。碳基涂層。
【技術實現步驟摘要】
一種氣相沉積裝置及應用該裝置的鍍膜設備
[0001]本技術涉及防護涂層
，特別涉及一種氣相沉積裝置及應用該裝置的鍍膜設備。
技術介紹
[0002]化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，CVD)是通過化學反應的方式，利用加熱、等離子激勵或光輻射等各種能源，在反應器內使氣態或蒸汽狀態的化學物質在氣相或氣固界面上產生化學反應和傳輸反應形成固態沉積物的技術。現有的化學氣相沉積裝置，其反應腔室多為固定形狀并固定設置，當待鍍工件為異形工件或工件體積較大時，一般無法裝載入反應腔室內部，化學氣相沉積裝置的應用場景較為局限。
[0003]因此，現有技術中的化學氣相沉積裝置具有應用場景較為局限的技術問題。
技術實現思路
[0004]本技術的目的在于提出一種氣相沉積裝置及應用該裝置的鍍膜設備，旨在解決現有技術方案中化學氣相沉積裝置具有應用場景較為局限的技術問題。
[0005]為達此目的，本技術采用以下技術方案：
[0006]本技術公開了一種氣相沉積裝置，包括：處理腔室、陽極、快接法蘭；所述陽極可藕接在所述處理腔室的內部，所述陽極為氣管，所述氣管上設置有孔道；所述處理腔室為空心結構，所述處理腔室包括第一端、與所述第一端相對的第二端、設置在所述第一端與所述第二端之間的內部空間；所述第一端與所述第二端均設置有進氣口與抽氣口；所述快接法蘭設置在所述處理腔室的兩側，所述快接法蘭與所述處理腔室進行可拆卸式連接。
[0007]優選的，所述處理腔室為可拆卸處理腔室，所述快接法蘭為可拆卸快接法蘭，所述快接法蘭與所述處理腔室相適配。
[0008]優選的，所述陽極為多根氣管相連接，所述氣管上的孔道進行均勻排布。
[0009]優選的，所述陽極穿設所述處理腔室，所述陽極由所述處理腔室伸出部分設置為進氣口。
[0010]優選的，所述快接法蘭上設置有通道并與所述處理腔室進行連通，所述快接法蘭的通道處設置為抽氣口。
[0011]優選的，所述鍍膜設備包括：紅外測溫系統、供氣系統、電源系統、抽真空系統、控制系統及如上所述的氣相沉積裝置；所述氣相沉積裝置分別于所述紅外測溫系統、所述供氣系統、所述電源系統、所述抽真空系統、所述控制系統進行連接。
[0012]優選的，所述電源系統為高功率雙極性電源。
[0013]優選的，所述供氣系統，包括一種或多種氣體及氣體輸送裝置。
[0014]本技術所公開的一種氣相沉積裝置及應用該裝置的鍍膜設備，所述氣相沉積裝置包括：處理腔室、陽極、快接法蘭；所述陽極可藕接在所述處理腔室的內部，所述陽極為氣管，所述氣管上設置有孔道；所述處理腔室為空心結構；所述快接法蘭設置在所述處理腔
室的兩側，所述快接法蘭與所述處理腔室進行可拆卸式連接。所述鍍膜設備包括：紅外測溫系統、供氣系統、電源系統、抽真空系統、控制系統及如上所述的氣相沉積裝置；所述氣相沉積裝置分別與所述紅外測溫系統、所述供氣系統、所述電源系統、所述抽真空系統、所述控制系統進行連接。本技術所公開的一種鍍膜設備，可根據待鍍工件的形狀及大小對處理腔室進行調整，利用空心陰極效應的等離子態增強化學氣相沉積技術，能夠成功在復雜異型零部件表面制備出具有低內應力和高結合強度的全尺寸碳基涂層。
附圖說明
[0015]為了更清楚地說明本技術具體實施方式或現有技術中的技術方案，下面將對具體實施方式或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本技術的一些實施方式，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0016]圖1為本技術實施例所公開的氣相沉積裝置的結構圖；
[0017]圖2為本技術實施例所公開的鍍膜設備的各個模塊的連接示意圖。
[0018]其中：11、處理腔室；12、陽極；13、快接法蘭；14、進氣口；15、抽氣口；1、氣相沉積裝置；2、紅外測溫系統；3、供氣系統；4、抽真空系統；5、電源系統；6、控制系統。
具體實施方式
[0019]下面將結合附圖對本技術的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本技術保護的范圍。
[0020]在本技術的描述中，需要說明的是，術語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本技術和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本技術的限制。此外，術語“第一”、“第二”、“第三”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。
[0021]在本技術的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通。對于本領域的普通技術人員而言，可以具體情況理解上述術語在本技術中的具體含義。
[0022]此外，下面所描述的本技術不同實施方式中所涉及的技術特征只要彼此之間未構成沖突就可以相互結合。
[0023]本技術公開一種氣相沉積裝置，如圖1所示，包括：處理腔室11、陽極12、快接法蘭13；所述陽極12可藕接在所述處理腔室11的內部，所述陽極12為氣管，所述氣管上設置有孔道，將氣管直接作為陽極12，可提高放電與鍍膜的均勻性；所述處理腔室11為空心結構，所述處理腔室11包括第一端、與所述第一端相對的第二端、設置在所述第一端與所述第二端之間的內部空間，所述處理腔室11設置為陰極，鍍膜時，鍍件設置在處理腔室11的內部
并與處理腔室11內壁直接接觸。所述第一端與所述第二端均設置有進氣口14與抽氣口15，具體的，進氣口14與供氣系統進行連通，抽氣口15與抽真空系統進行連通。所述快接法蘭13設置在所述處理腔室11的兩側，所述快接法蘭13與所述處理腔室11進行可拆卸式連接，在具體實施例中，可根據構件的不同形狀更換不同的處理腔室11。
[0024]所述處理腔室11為可拆卸處理腔室，所述快接法蘭13為可拆卸快接法蘭，所述快接法蘭13與所述處理腔室11相適配，根據待鍍工件形狀及大小選擇對應的處理腔室11及快接法蘭13，以滿足對不同種類的待鍍工件(如異形待鍍工件)的鍍膜需求。
[0025]所述陽極12為多根氣管相連接，所述氣管上的孔道進行均勻排布，多根氣管分布在處理腔室11的各個位置且氣管上的孔道均勻排布，以保證通氣時氣體能夠被均勻地輸送至處理腔室11內部的各個部位并確保鍍膜的均勻性。
[0026]所述陽極12穿設所述處理腔室本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種氣相沉積裝置，其特征在于，包括：處理腔室、陽極、快接法蘭；所述陽極可藕接在所述處理腔室的內部，所述陽極為氣管，所述氣管上設置有孔道；所述處理腔室為空心結構，所述處理腔室包括第一端、與所述第一端相對的第二端、設置在所述第一端與所述第二端之間的內部空間；所述第一端與所述第二端均設置有進氣口與抽氣口；所述快接法蘭設置在所述處理腔室的兩側，所述快接法蘭與所述處理腔室進行可拆卸式連接。2.根據權利要求1所述一種氣相沉積裝置，其特征在于，所述處理腔室為可拆卸處理腔室，所述快接法蘭為可拆卸快接法蘭，所述快接法蘭與所述處理腔室相適配。3.根據權利要求1所述一種氣相沉積裝置，其特征在于，所述陽極為多根氣管相連接，所述氣管上的孔道進行均勻排布。4.根據權利要求1所述一種氣相沉積裝置...
【專利技術屬性】
技術研發人員：田修波，
申請(專利權)人：新鉑科技東莞有限公司，
類型：新型
國別省市：
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