本實(shí)用新型專利技術(shù)公開(kāi)了一種共面結(jié)構(gòu)的TFT器件，其包括：透明襯底；形成在所述透明襯底上的柵極；形成在所述柵極和透明襯底上的絕緣層；形成在所述絕緣層上的源極和漏極，所述源極和漏極分別對(duì)應(yīng)位于所述柵極的兩側(cè)；形成在所述源極和漏極上的半導(dǎo)體層；其中，位于所述源極和漏極正下方的所述柵極內(nèi)凹以減少半導(dǎo)體層之外柵極與源極、漏極的交疊面積。本實(shí)用新型專利技術(shù)通過(guò)調(diào)整柵極金屬和源漏極金屬(源漏極包括源極和漏極)的形狀、大小和相對(duì)位置來(lái)實(shí)現(xiàn)減少寄生電容，增大溝道電流。增大溝道電流。增大溝道電流。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種共面結(jié)構(gòu)的TFT器件
[0001]本技術(shù)涉及顯示模組
，特別涉及一種共面結(jié)構(gòu)的TFT器件。
技術(shù)介紹
[0002]如中國(guó)專利技術(shù)專利CN114447119A公開(kāi)了一種TFT基板，包括：襯底；功能層，設(shè)于所述襯底的一側(cè)，所述功能層包括柵極、第一遮光區(qū)、第二遮光區(qū)、源極接觸區(qū)以及漏極接觸區(qū)，其中，所述第一遮光區(qū)和所述第二遮光區(qū)分別位于所述柵極的兩側(cè)，所述源極接觸區(qū)設(shè)于所述第一遮光區(qū)遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)，所述漏極接觸區(qū)設(shè)于所述第二遮光區(qū)遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)，所述柵極、所述源極接觸區(qū)以及所述漏極接觸區(qū)均為導(dǎo)電材料，所述第一遮光區(qū)和所述第二遮光區(qū)均為絕緣材料；柵極絕緣層，設(shè)于所述功能層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，所述柵極絕緣層上設(shè)有源極接觸孔與漏極接觸孔；有源層，設(shè)于所述柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述功能層的一側(cè)；源漏極層，設(shè)于所述有源層遠(yuǎn)離所述柵極絕緣層的一側(cè)，所述源漏極層包括源極和漏極，所述源極通過(guò)所述源極接觸孔與所述源極接觸區(qū)電性連接，所述漏極通過(guò)所述漏極接觸孔與所述漏極接觸區(qū)電性連接。
[0003]包括上述技術(shù)方案在內(nèi)的傳統(tǒng)背溝道刻蝕型(遮光型)TFT器件在玻璃基板(或玻璃襯底)上的膜層順序主要為：Metal1(柵極1
’
層)
→
柵極絕緣層2
’→
半導(dǎo)體層3
’→
Metal2(源漏極層)
→
保護(hù)層
→……
。圖1和圖2分別為該TFT器件的平面設(shè)計(jì)圖和膜層結(jié)構(gòu)圖。
[0004]影響像素充電能力的一個(gè)重要因素是柵極1
’
金屬和源極4
’
金屬之間的寄生電容Cgs引起的TFT充放電時(shí)的像素電壓誤寫(xiě)入。當(dāng)柵極1
’
電壓Vgs從高電平Vgon瞬間下降到低電平Vgoff時(shí)，Vgs的變換量
⊿
Vgs被寄生電容Cgs耦合到像素電極，導(dǎo)致像素電壓Vp產(chǎn)生跳變量
⊿
Vp，使得像素電壓變?yōu)?Vp
?⊿
Vp)。這里將(Vp
?⊿
Vp)稱為像素的實(shí)充電壓。
[0005]此外，柵極1
’
金屬和源極4
’
金屬之間的寄生電容Cgs、柵極1
’
金屬和漏極5
’
金屬之間的寄生電容Cgd都會(huì)增加像素的負(fù)載，進(jìn)而增加Panel的功耗，如圖3為TFT的原理圖，柵極1
’
接掃描線，漏極5
’
接數(shù)據(jù)線，源極4
’
接像素電極。
[0006]根據(jù)電容公式C＝εS/d，ε為電容極板間介質(zhì)的介電常數(shù)，S金屬交疊面積，d為電容極板的間距。因此，可以通過(guò)減小柵極1
’
金屬和源漏極
’
金屬的交疊面積S來(lái)減小Cgs和Cgd。但是，由于光照下TFT器件漏電流會(huì)劇增，因此，在做半導(dǎo)體層3
’
之前，第一層Metal1(柵極1
’
層)需要擴(kuò)大使其完全遮擋住半導(dǎo)體層3
’
。這樣就會(huì)造成源漏極
’
金屬與柵極1
’
金屬的交疊面積很大，從而Cgs和Cgd就會(huì)增大。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
[0007]針對(duì)上述技術(shù)問(wèn)題，本技術(shù)提出一種共面結(jié)構(gòu)的TFT器件。
[0008]實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的技術(shù)方案是：
[0009]一種共面結(jié)構(gòu)的TFT器件，其包括：
[0010]透明襯底；
[0011]形成在所述透明襯底上的柵極；
[0012]形成在所述柵極和透明襯底上的絕緣層；
[0013]形成在所述絕緣層上的源極和漏極，所述源極和漏極分別對(duì)應(yīng)位于所述柵極的兩側(cè)；
[0014]形成在所述源極和漏極上的半導(dǎo)體層；其中，
[0015]位于所述源極和漏極正下方的所述柵極內(nèi)凹以減少半導(dǎo)體層之外柵極與源極、漏極的交疊面積。
[0016]作為本技術(shù)提供的所述的共面結(jié)構(gòu)的TFT器件的一種優(yōu)選實(shí)施方式，俯視狀態(tài)下，所述柵極呈工字型結(jié)構(gòu)。
[0017]作為本技術(shù)提供的所述的共面結(jié)構(gòu)的TFT器件的一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述位于所述源極和漏極正下方的所述柵極內(nèi)凹替換為：位于所述源極和/或漏極上方的半導(dǎo)體層側(cè)邊拉伸至與所述柵極齊邊以增加源極、漏極與半導(dǎo)體層的交疊面積。
[0018]作為本技術(shù)提供的所述的共面結(jié)構(gòu)的TFT器件的一種優(yōu)選實(shí)施方式，俯視狀態(tài)下，所述半導(dǎo)體層呈十字形結(jié)構(gòu)。
[0019]作為本技術(shù)提供的所述的共面結(jié)構(gòu)的TFT器件的一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述位于所述源極和漏極正下方的所述柵極內(nèi)凹替換為：所述源極和漏極分別覆蓋住所述柵極的側(cè)邊，所述半導(dǎo)體層的投影面積稍小于所述柵極的投影面積以減少半導(dǎo)體層之外柵極與源極、漏極的交疊面積。
[0020]作為本技術(shù)提供的所述的共面結(jié)構(gòu)的TFT器件的一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述柵極、源極和漏極的形成材料為具有遮光性能的金屬。
[0021]作為本技術(shù)提供的所述的共面結(jié)構(gòu)的TFT器件的一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述TFT器件還包括覆蓋在所述半導(dǎo)體層和源極、漏極、絕緣層上的保護(hù)層。
[0022]作為本技術(shù)提供的所述的共面結(jié)構(gòu)的TFT器件的一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述TFT器件還包括形成在所述保護(hù)層上且位于像素區(qū)內(nèi)的像素電極層，所述像素電極層通過(guò)過(guò)孔與源極搭接。
[0023]作為本技術(shù)提供的所述的共面結(jié)構(gòu)的TFT器件的一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述TFT器件還包括橫向排布的若干掃描線和豎向排布的若干數(shù)據(jù)線，所述掃描線和數(shù)據(jù)線相互絕緣且相互交叉限定出若干像素區(qū)。
[0024]作為本技術(shù)提供的所述的共面結(jié)構(gòu)的TFT器件的一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述柵極、源極、漏極和半導(dǎo)體層設(shè)于每一所述像素區(qū)的拐角處；所述柵極與所述掃描線連接，所述漏極與所述數(shù)據(jù)線連接。
[0025]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)具有如下有益效果：
[0026]本技術(shù)共面結(jié)構(gòu)的TFT器件，通過(guò)調(diào)整柵極金屬和源漏極金屬(源漏極包括源極和漏極)的形狀、大小和相對(duì)位置來(lái)實(shí)現(xiàn)減少寄生電容，增大溝道電流。
附圖說(shuō)明
[0027]為了更清楚地說(shuō)明本技術(shù)實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本技術(shù)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0028]圖1為傳統(tǒng)TFT器件的平面設(shè)計(jì)圖；
[0029]圖2為圖1中A線的膜層剖視圖；
[0030]圖3為TFT器件的原理圖；
[0031]圖4為本技術(shù)TFT器件實(shí)施例1的平面設(shè)計(jì)圖；
[0032]圖5為圖4中B線的膜層剖視圖；
[0033]圖6為本技術(shù)TFT器件實(shí)施例2的平面設(shè)計(jì)圖；
[0034]圖7為圖6中C線的膜層剖視圖；
[0035]圖8為本技術(shù)TFT器件實(shí)施例3的平本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
【技術(shù)特征摘要】
1.一種共面結(jié)構(gòu)的TFT器件，其特征在于，其包括：透明襯底；形成在所述透明襯底上的柵極；形成在所述柵極和透明襯底上的絕緣層；形成在所述絕緣層上的源極和漏極，所述源極和漏極分別對(duì)應(yīng)位于所述柵極的兩側(cè)；形成在所述源極和漏極上的半導(dǎo)體層；其中，位于所述源極和漏極正下方的所述柵極內(nèi)凹以減少半導(dǎo)體層之外柵極與源極、漏極的交疊面積。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共面結(jié)構(gòu)的TFT器件，其特征在于，俯視狀態(tài)下，所述柵極呈工字型結(jié)構(gòu)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共面結(jié)構(gòu)的TFT器件，其特征在于，所述位于所述源極和漏極正下方的所述柵極內(nèi)凹替換為：位于所述源極和/或漏極上方的半導(dǎo)體層側(cè)邊拉伸至與所述柵極齊邊以增加源極、漏極與半導(dǎo)體層的交疊面積。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的共面結(jié)構(gòu)的TFT器件，其特征在于，俯視狀態(tài)下，所述半導(dǎo)體層呈十字形結(jié)構(gòu)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共面結(jié)構(gòu)的TFT器件，其特征在于，所述位于所述源極和漏極正下方的所述柵極內(nèi)凹替換為：所述源極和漏極分別覆蓋住所述柵極的側(cè)...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：余光棋，董欣，王歡，王新志，馬亮，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：信利仁壽高端顯示科技有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：
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