一種減薄設備制造技術

本實用新型專利技術公開了一種減薄設備，包括：設備前端模塊，用于實現晶圓的進出，所述設備前端模塊設置在所述減薄設備的前端；磨削模塊，用于對至少兩片晶圓同時進行粗磨削和/或精磨削，所述磨削模塊設置在所述減薄設備的末端；拋光模塊，用于在完成磨削之后對至少兩片晶圓同時進行化學機械拋光，所述拋光模塊鄰接所述磨削模塊設置；兩個對稱分布的清洗模塊，位于拋光模塊和設備前端模塊之間；兩個對稱分布的傳輸模塊，分別位于拋光模塊的兩側。分別位于拋光模塊的兩側。分別位于拋光模塊的兩側。

【技術實現步驟摘要】
一種減薄設備


[0001]本技術涉及晶圓超精密磨削
，尤其涉及一種減薄設備。

技術介紹

[0002]目前半導體行業采用在半導體晶圓的表面上形成有IC(Integrated Circuit，集成電路)或LSI(Large Scale Integration，大規模集成電路)等電子電路來制造半導體芯片。晶圓在被分割為半導體芯片之前，通過磨削減薄加工裝置來磨削晶圓的背面，該背面是指形成有電子電路的器件面的相反面，從而將晶圓減薄至預定的厚度。
[0003]在現有晶圓減薄設備中，常采用的晶圓處理流程方式為，單片晶圓依次經過粗磨、精磨、化學機械拋光、清洗等環節進行加工，晶圓在這些環節當中僅能串行流片，無法并行加工；因此該工藝過程的效率存在極限，無法進一步提高。

技術實現思路

[0004]本技術實施例提供了一種減薄設備，旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。
[0005]本技術實施例提供了一種減薄設備，包括：
[0006]設備前端模塊，用于實現晶圓的進出，所述設備前端模塊設置在所述減薄設備的前端；
[0007]磨削模塊，用于對至少兩片晶圓同時進行粗磨削和/或精磨削，所述磨削模塊設置在所述減薄設備的末端；
[0008]拋光模塊，用于在完成磨削之后對至少兩片晶圓同時進行化學機械拋光，所述拋光模塊鄰接所述磨削模塊設置；
[0009]兩個對稱分布的清洗模塊，位于拋光模塊和設備前端模塊之間；
[0010]兩個對稱分布的傳輸模塊，分別位于拋光模塊的兩側。
[0011]在一個實施例中，所述磨削模塊包括基座、安裝在基座上的工作臺、在工作臺上均勻分布的6個固定件以及4個磨削件。
[0012]在一個實施例中，兩個所述磨削件用于執行粗磨削，另外兩個所述磨削件用于執行精磨削。
[0013]在一個實施例中，用于安裝磨削件的支撐座位于磨削模塊的邊緣區域，或者，用于安裝磨削件的支撐座位于磨削模塊的中央區域。
[0014]在一個實施例中，所述拋光模塊包括2個存片部、一拋光盤、一粘接在拋光盤上的拋光墊、2個吸附晶圓并帶動晶圓旋轉的承載頭、一修整拋光墊的修整器以及一向拋光墊表面提供拋光液的供液部。
[0015]在一個實施例中，兩個所述傳輸模塊位于減薄設備的邊緣，沿設備長度方向平行布置。
[0016]在一個實施例中，所述傳輸模塊包括第一傳輸組件和第二傳輸組件，第一傳輸組
件位于靠近設備前端模塊的位置，第二傳輸組件位于靠近磨削模塊的位置，第一傳輸組件用于在第二傳輸組件、拋光模塊、清洗模塊和設備前端模塊之間傳輸晶圓，第二傳輸組件用于在磨削模塊、拋光模塊和第一傳輸組件之間傳輸晶圓。
[0017]在一個實施例中，所述第一傳輸組件包括前端機械手和緩存部。
[0018]在一個實施例中，所述第二傳輸組件包括后端機械手。
[0019]在一個實施例中，所述清洗模塊包括沿所述減薄設備的寬度方向相鄰設置的刷洗裝置和干燥裝置。
[0020]本技術實施例的有益效果包括：能夠實現并行流片，提高生產效率。
附圖說明
[0021]通過結合以下附圖所作的詳細描述，本技術的優點將變得更清楚和更容易理解，但這些附圖只是示意性的，并不限制本技術的保護范圍，其中：
[0022]圖1示出了本技術一實施例提供的減薄設備；
[0023]圖2示出了圖1中減薄設備的工作流程；
[0024]圖3示出了本技術另一實施例提供的減薄設備；
[0025]圖4示出了圖3中減薄設備的工作流程。
具體實施方式
[0026]下面結合具體實施例及其附圖，對本技術所述技術方案進行詳細說明。在此記載的實施例為本技術的特定的具體實施方式，用于說明本技術的構思；這些說明均是解釋性和示例性的，不應理解為對本技術實施方式及本技術保護范圍的限制。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。除在此記載的實施例外，本領域技術人員還能夠基于本申請權利要求書及其說明書所公開的內容采用顯而易見的其它技術方案，這些技術方案包括采用對在此記載的實施例的做出任何顯而易見的替換和修改的技術方案。應當理解的是，除非特別予以說明，為了便于理解，以下對本技術具體實施方式的描述都是建立在相關設備、裝置、部件等處于原始靜止的未給與外界控制信號和驅動力的自然狀態下描述的。
[0027]此外，還需要說明的是，本申請中使用的例如前、后、上、下、左、右、頂、底、正、背、水平、垂直等表示方位的術語僅僅是為了便于說明，用以幫助對相對位置或方向的理解，并非旨在限制任何裝置或結構的取向。
[0028]為了說明本技術所述的技術方案，下面將參考附圖并結合實施例來進行說明。
[0029]在本申請中，化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing)也稱為化學機械平坦化(Chemical Mechanical Planarization)，晶圓(wafer)也稱為晶片、硅片、基片或基板(substrate)等，其含義和實際作用等同。
[0030]隨著半導體和集成電路技術的快速發展，半導體和集成電路制程對產能的要求也越來越高。在半導體和集成電路制程中，晶圓減薄是非常重要的一道工序，通過減薄去除晶圓多余的材料以提高晶圓的機械性能、電氣性能和散熱性，達到降低電阻的要求；同時，減薄可以方便后續進行劃片、裂片和封裝等工藝處理。然而，傳統的減薄設備的化學機械拋光
部分一次只能處理一片晶圓，其他工藝處理部分即使完成了晶圓處理也需等待化學機械拋光部分處理完成之后才能送入或接收下一片晶圓，每片晶圓所經歷的工藝過程是固定的，因此整機的單位時間出片量會在消耗時間最長的化學機械拋光工藝過程中進入瓶頸，存在設備產能低和設備利用率低的問題。
[0031]為此，如圖1至圖4所示，本技術提出了一種減薄設備，包括：
[0032]設備前端模塊1，用于實現晶圓的進出，設備前端模塊1設置在減薄設備的前端。設備前端模塊1是實現將晶圓從外部搬送到設備機臺內部的過渡模塊，用于實現晶圓進出，以實現晶圓的“干進干出”。
[0033]磨削模塊5，用于對至少兩片晶圓同時進行粗磨削和/或精磨削，磨削模塊5設置在減薄設備的末端。
[0034]拋光模塊3，用于在完成磨削之后對至少兩片晶圓同時進行化學機械拋光，拋光模塊3鄰接磨削模塊5設置。這里所說的磨削是指粗磨削和/或精磨削。
[0035]兩個對稱分布的清洗模塊2，用于對完成化學機械拋光的晶圓進行清洗和干燥，清洗模塊2位于拋光模塊3和設備前端模塊1之間。兩個清洗模塊2可以對至少兩片晶圓同時進行清洗或干燥，并行執行晶圓的數量取決于清洗模塊2設置的箱體數量。
[0036]兩個對稱分布的傳輸模塊4，用于在設備前端模塊1、磨削模塊5、拋光模塊3和清洗模塊2之間傳輸晶圓，兩個傳輸模塊4分別位于拋光模塊3的兩側。...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種減薄設備，其特征在于，包括：設備前端模塊，用于實現晶圓的進出，所述設備前端模塊設置在所述減薄設備的前端；磨削模塊，用于對至少兩片晶圓同時進行粗磨削和/或精磨削，所述磨削模塊設置在所述減薄設備的末端；拋光模塊，用于在完成磨削之后對至少兩片晶圓同時進行化學機械拋光，所述拋光模塊鄰接所述磨削模塊設置；兩個對稱分布的清洗模塊，位于拋光模塊和設備前端模塊之間；兩個對稱分布的傳輸模塊，分別位于拋光模塊的兩側。2.如權利要求1所述的減薄設備，其特征在于，所述磨削模塊包括基座、安裝在基座上的工作臺、在工作臺上均勻分布的6個固定件以及4個磨削件。3.如權利要求2所述的減薄設備，其特征在于，兩個所述磨削件用于執行粗磨削，另外兩個所述磨削件用于執行精磨削。4.如權利要求2所述的減薄設備，其特征在于，用于安裝磨削件的支撐座位于磨削模塊的邊緣區域，或者，用于安裝磨削件的支撐座位于磨削模塊的中央區域。5.如權利要求1所述的減薄設備，其特征在于，所述拋光模...

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉遠航，馬旭，李森，靳凱強，路新春，
申請(專利權)人：華海清科股份有限公司，
類型：新型
國別省市：