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    電子零件密封用蓋體制造技術

    技術編號:39041972 閱讀:24 留言:0更新日期:2023-10-10 11:54
    本發明專利技術為一種抑制由于回流焊處理導致的剝離的電子零件密封用蓋體,由包含液晶聚合物和無機物的樹脂組合物構成,滿足下述式(a)或者下述式(b)。T1/T2<0.9(a)T1/T2>1.1(b)。[T1=S1/S2,T2=S3/S4。S1:在該蓋體的粘接面的吸光度分布中,將最接近900cm

    【技術實現步驟摘要】
    【國外來華專利技術】電子零件密封用蓋體


    [0001]本專利技術涉及一種電子零件密封用蓋體。
    [0002]本申請基于2021年3月9日,在日本提出申請的專利申請2021
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    037215號主張優先權,將其內容引用于此。

    技術介紹

    [0003]以往,對于將芯片搭載于由銅散熱器和陶瓷基板層疊而成的陶瓷封裝體的高頻(RF)功率器件(以下,稱為“RF功率器件”),為了覆蓋由半導體元件、基板主體的安裝面、樹脂框體等構成的空間,使用氣密密封蓋體。作為氣密密封蓋體,使用涂布有環氧系粘接劑的陶瓷蓋體(帽形狀)。
    [0004]隨著由于5G無線基站的增設帶來的RF功率器件市場的擴大,RF功率器件的低價格化正在推進。作為RF功率器件的構成部件的陶瓷封裝體由于陶瓷封裝體生產廠家的壟斷化而無法降低成本。因此,RF功率器件的制造商研究封裝體的塑料化的同時,也研究蓋體的塑料化。
    [0005]用于蓋體的塑料需要耐回流焊。因此,作為用于蓋體的塑料,例如可列舉出被稱為工程塑料、超級工程塑料的高耐熱性樹脂。作為高耐熱性樹脂,例如可使用液晶聚合物(以下,稱為“LCP”)。LCP制的蓋體粘接性低,具有在回流焊處理后蓋體與封裝體主體剝離的問題。
    [0006]例如,在專利文獻1中,作為構成半導體元件安裝封裝體的蓋體的樹脂,使用了LCP。LCP制的蓋體的粘接性低。因此,LCP制的蓋體具有在半導體元件安裝封裝體的制造時的回流焊處理后,蓋體從封裝體主體剝離的問題。
    [0007]因此,在專利文獻2中,為了提高LCP制的蓋體的粘接性,對LCP制的蓋體的表面進行噴砂處理等。通過對蓋體的表面進行噴砂處理等,使蓋體表面的表面粗糙度變大,從而在蓋體的表面上得到錨定效果。
    [0008]現有技術文獻
    [0009]專利文獻
    [0010]專利文獻1:日本特開2016
    ?
    76669號公報
    [0011]專利文獻2:日本特開平1
    ?
    236246號公報

    技術實現思路

    [0012]專利技術所要解決的技術問題
    [0013]然而,在專利文獻2中,僅僅記載了為了提高LCP制的蓋體的粘接性而進行噴砂處理等。即,在專利文獻2中,沒有研究通過進行哪種程度的噴砂處理,能夠賦予LCP制的蓋體充分的粘接性。
    [0014]本專利技術是鑒于上述情況而作出的,其目的在于,提供一種抑制由于回流焊處理導致的剝離的、包含液晶聚合物的電子零件密封用蓋體。
    [0015]用于解決問題的技術方案
    [0016]以本專利技術具有以下方式。
    [0017][1]一種電子零件密封用蓋體,由包含液晶聚合物和無機物的樹脂組合物構成,滿足下述式(a)或者下述式(b)。
    [0018]T1/T2<0.9 (a)
    [0019]T1/T2>1.1 (b)
    [0020][T1=S1/S2。T2=S3/S4。S1是在電子零件密封用蓋體的粘接面的樹脂組合物的通過傅立葉變換紅外光譜法測得的吸光度分布中,將最接近900cm
    ?1的逆峰值與最接近860cm
    ?1的逆峰值用直線連結而成的區域的面積。S2是在電子零件密封用蓋體的粘接面的通過傅立葉變換紅外光譜法測得的吸光度分布中,將最接近900cm
    ?1的逆峰值與最接近770cm
    ?1的逆峰值用直線連結而成的區域的面積。S3是在電子零件密封用蓋體中不是粘接面的部分的表面的通過傅立葉變換紅外光譜法測得的吸光度分布中,將最接近900cm
    ?1的逆峰值與最接近860cm
    ?1的逆峰值用直線連結而成的區域的面積。S4是在電子零件密封用蓋體中不是粘接面的部分的表面的通過傅立葉變換紅外光譜法測得的吸光度分布中,將最接近900cm
    ?1的逆峰值與最接近770cm
    ?1的逆峰值用直線連結而成的區域的面積。][0021][2]根據[1]所述的電子零件密封用蓋體,所述電子零件密封用蓋體的粘接面的算術平均粗糙度(Ra)為0.3μm以上且20μm以下。
    [0022][3]根據[1]或[2]所述的電子零件密封用蓋體,所述無機物的含量相對于所述液晶聚合物100質量份為10質量份以上且60質量份以下。
    [0023][4]根據[2]或[3]所述的電子零件密封用蓋體,在所述粘接面上層疊有粘接劑層,所述粘接劑層含有熱固性樹脂、固化劑。
    [0024][5]根據[4]所述的電子零件密封用蓋體,所述粘接劑層含有硅烷偶聯劑。
    [0025][6]根據[4]或[5]所述的電子零件密封用蓋體,所述熱固性樹脂的含量在所述粘接劑層的總質量中為1質量%以上且80質量%以下。
    [0026][7]根據[4]~[6]中任一項所述的電子零件密封用蓋體,所述固化劑相對于所述熱固性樹脂的含有比率以當量比計,為0.2以上且1以下。
    [0027]專利技術效果
    [0028]根據本專利技術,能夠提供一種抑制由于回流焊處理導致的剝離的、包含液晶聚合物的電子零件密封用蓋體。
    附圖說明
    [0029]圖1A是表示本專利技術的一個實施方式所涉及的電子零件密封用蓋體的概略圖,是俯視圖。
    [0030]圖1B是表示本專利技術的一個實施方式所涉及的電子零件密封用蓋體的概略圖,是沿著圖1A的A
    ?
    A線的剖視圖。
    [0031]圖2是表示在本專利技術的一個實施方式所涉及的電子零件密封用蓋體的粘接面或者不是粘接面的部分的表面的通過傅立葉變換紅外光譜法(FT
    ?
    IR)測得的吸光度分布中,將最接近900cm
    ?1的逆峰值與最接近860cm
    ?1的逆峰值用直線連結而成的區域的面積的圖,例如表示求出所述S1或者S3的方法的圖。
    [0032]圖3是表示在本專利技術的一個實施方式所涉及的電子零件密封用蓋體的粘接面或者不是粘接面的部分的表面的通過傅立葉變換紅外光譜法(FT
    ?
    IR)測得的吸光度分布中,將最接近900cm
    ?1的逆峰值與最接近770cm
    ?1的逆峰值用直線連結而成的區域的面積的圖,例如表示求出所述S2或者S4的方法的圖。
    [0033]圖4是表示本專利技術的一個實施方式所涉及的電子零件密封用蓋體的概略剖視圖。
    具體實施方式
    [0034]以下,參照附圖來說明本專利技術所涉及的電子零件密封用蓋體的實施方式。此外,在以下的說明中使用的附圖為了方便,放大表示作為特征的部分,各構成要素的尺寸比率等有時與實際不同。另外,在以下的說明中例示的材料、尺寸等為一例,本專利技術并不限定于此,在不變更其主要旨的范圍內能夠適當變更。
    [0035][電子零件密封用蓋體][0036]本專利技術的一個實施方式所涉及的電子零件密封用蓋體由包含液晶聚合物和無機物的樹脂組合物構成,
    [0037]滿足下述式(a)或者下述式(b)。
    [0038]T1/T2<0.9 (a)
    [0039]T1/T2>1.1 (b)
    [0040][T1=S1/S2。T2=S3/S4。S1是在本文檔來自技高網
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    【技術保護點】

    【技術特征摘要】
    【國外來華專利技術】1.一種電子零件密封用蓋體,由包含液晶聚合物和無機物的樹脂組合物構成,滿足下述式(a)或者下述式(b),T1/T2&lt;0.9(a),T1/T2&gt;1.1(b),其中,T1=S1/S2,T2=S3/S4,S1是在電子零件密封用蓋體的粘接面的樹脂組合物的通過傅立葉變換紅外光譜法測得的吸光度分布中,將最接近900cm
    ?1的逆峰值與最接近860cm
    ?1的逆峰值用直線連結而成的區域的面積,S2是在電子零件密封用蓋體的粘接面的通過傅立葉變換紅外光譜法測得的吸光度分布中,將最接近900cm
    ?1的逆峰值與最接近770cm
    ?1的逆峰值用直線連結而成的區域的面積,S3是在電子零件密封用蓋體中不是粘接面的部分的表面的通過傅立葉變換紅外光譜法測得的吸光度分布中,將最接近900cm
    ?1的逆峰值與最接近860cm
    ?1的逆峰值用直線連結而成的區域的面積,S4是在電子零件密封用蓋體中不是粘接面的部分的表面的通過傅...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:松永佑規駒形文規富岡綾菜
    申請(專利權)人:株式會社巴川制紙所
    類型:發明
    國別省市:

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