本發明專利技術提供粘接片和使用該粘接片的半導體裝置的制造方法，該粘接片在剝離工序之前，即使受到伴隨QFN組裝的熱過程，也不會從引線框架的背面及密封樹脂的背面剝離而充分且穩定地粘貼于它們，密封樹脂不會泄漏，而且在剝離工序中能夠容易地剝離，不會產生粘接劑殘留的膠糊殘留或斷裂。具體地說，提供一種半導體裝置制造用粘接片，具備基材和設置于該基材的一面的熱固化型粘接劑層，能夠剝離地粘貼于半導體裝置的引線框架或布線基板，在半導體裝置制造用粘接片中，所述粘接劑層含有含羧基丙烯腈
【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】半導體裝置制造用粘接片及使用該半導體裝置制造用粘接片的半導體裝置的制造方法
[0001]本專利技術涉及在通過QFN(Quad Flat Non
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lead，方形扁平無引線)方式組裝半導體裝置時適合用作掩模帶的粘接片和使用該粘接片的半導體裝置的制造方法。
[0002]本申請基于2021年2月16日在日本申請的特愿2021
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022422號主張優先權，并將其內容援引于此。
技術介紹
[0003]近年來，針對以移動電話為代表的IT設備的小型化、薄型化、多功能化的要求，半導體裝置(半導體封裝)中的更高密度安裝技術的必要性提高。
[0004]作為應對該要求的CSP(Chip Size Package，芯片尺寸封裝)技術，QFN方式受到關注(參照專利文獻1及專利文獻2)，特別是在100引腳以下的少引腳類型中被廣泛采用。
[0005]在此，作為基于QFN方式的一般的QFN封裝的組裝方法，大致已知下述方法。首先，在粘貼工序中，在引線框架的一面粘貼粘接片，接著，在芯片貼裝工序中，在形成于引線框架的多個半導體元件搭載部(芯片焊盤部)分別搭載IC芯片等半導體元件。接著，在打線接合工序中，利用接合線電連接沿引線框架的各半導體元件搭載部的外周配置的多個引線和半導體元件。接著，在密封工序中，利用密封樹脂密封搭載于引線框架的半導體元件。此后，在剝離工序中，通過將粘接片從引線框架剝離，能夠形成排列有多個QFN封裝的QFN單元。最后，在切割工序中，通過沿各QFN封裝的外周切割該QFN單元，能夠制造多個QFN封裝。
[0006]對于這樣的用途中使用的粘接片，要求在剝離工序之前不會從引線框架的背面及密封樹脂的背面剝離而充分且穩定地粘貼，并且在剝離工序中能夠容易地剝離，不存在粘接劑殘留于引線框架的背面、密封樹脂的背面的膠糊殘留、以及粘接片斷裂等不良情況。
[0007]特別是近年來，為了降低半導體裝置的成本，使用由銅合金構成的引線框架。這樣的由銅合金構成的引線框架還具有作為過渡金屬的銅對高分子材料的氧化劣化的催化劑作用，由于伴隨編帶工序后的QFN封裝組裝的熱過程，粘接劑容易氧化劣化，在片材剝離時容易發生重剝離及膠糊殘留。
[0008]但是，以往使用的粘接片不能充分滿足能夠在由銅合金構成的引線框架中使用的實用水平。
[0009]例如，在以往的粘接片中，具有在由耐熱性膜構成的基材上層疊有含有丙烯腈
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丁二烯共聚物和雙馬來酰亞胺樹脂的粘接劑層的形態(參照專利文獻3)，但是在使用該粘接片的情況下，由于在編帶工序后的芯片貼裝固化處理、打線接合工序、樹脂密封工序中施加的熱，丙烯腈
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丁二烯共聚物容易劣化，在剝離工序中，存在剝離變得困難、粘接片斷裂或產生膠糊殘留的問題。
[0010]此外，以往的粘接片如果在引線框架具有研磨損傷等突起，則存在如下問題：不能追隨該突起的形狀而在粘接片與引線框架之間產生氣泡，粘接片從引線框架剝離。
[0011]現有技術文獻
[0012]專利文獻
[0013]專利文獻1：日本特開2003
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165961號公報
[0014]專利文獻2：日本特開2005
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142401號公報
[0015]專利文獻3：日本特開2008
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095014號公報
技術實現思路
[0016]本專利技術是鑒于上述情況而完成的，其課題在于提供粘接片和使用該粘接片的半導體裝置的制造方法，該粘接片在剝離工序之前，即使受到伴隨QFN組裝熱過程，也不會從引線框架的背面及密封樹脂的背面剝離而充分且穩定地粘貼于它們，密封樹脂也不會泄漏，而且在剝離工序中能夠容易地剝離，不會產生粘接劑殘留的膠糊殘留或斷裂。
[0017]本專利技術具有以下方式。
[0018][1]一種半導體裝置制造用粘接片，其特征在于，具備基材和設置于該基材的一面的熱固化型粘接劑層，能夠剝離地粘貼于半導體裝置的引線框架或布線基板，所述粘接劑層含有含羧基丙烯腈
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丁二烯共聚物(a)、環氧樹脂(b)和含有兩個以上馬來酰亞胺基的化合物(c)，80℃下的儲能模量為1MPa～1.7MPa。
[0019][2]根據[1]所述的半導體裝置制造用粘接片，其特征在于，所述(a)成分是丙烯腈含量為5～50質量％、且由數均分子量計算出的羧基當量為100～20000的含羧基丙烯腈
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丁二烯共聚物。
[0020][3]根據[1]所述的半導體裝置制造用粘接片，其特征在于，相對于所述(a)成分100質量份，所述(b)成分和所述(c)成分的合計為20～300質量份。
[0021][4]根據[1]所述的半導體裝置制造用粘接片，其特征在于，基于所述(b)成分的縮水甘油基量/基于所述(a)成分的羧基量為0.14～0.43。
[0022][5]一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，是使用[1]所述的半導體裝置制造用粘接片的半導體裝置的制造方法，具備：
[0023]粘貼工序，將半導體裝置制造用粘接片粘貼于引線框架或布線基板；
[0024]芯片貼裝工序，將半導體元件搭載于所述引線框架或布線基板；
[0025]打線接合工序，使所述半導體元件與外部連接端子導通；
[0026]密封工序，利用密封樹脂密封所述半導體元件；以及
[0027]剝離工序，在所述密封工序后將半導體裝置制造用粘接片從引線框架或布線基板剝離。
[0028]根據本專利技術，提供粘接片和使用該粘接片的半導體裝置的制造方法，該粘接片在剝離工序之前，即使受到伴隨QFN組裝的熱過程，也不會從引線框架的背面及密封樹脂的背面剝離而充分且穩定地粘貼于它們，密封樹脂不會泄漏，而且在剝離工序中能夠容易地剝離，不會產生粘接劑殘留的膠糊殘留或斷裂，特別是即使是具有研磨損傷等突起的引線框架，該粘接片在剝離工序之前也充分地粘貼。
附圖說明
[0029]圖1是示出在本專利技術的半導體裝置的制造方法中使用的引線框架的一例的俯視圖。
[0030]圖2是說明本專利技術的半導體裝置的制造方法的工序圖。
具體實施方式
[0031]下面，對本專利技術進行詳細說明。
[0032][半導體裝置制造用粘接片][0033]本專利技術的半導體裝置制造用粘接片(以下稱為粘接片)具備基材和設置于該基材的一面的熱固化型粘接劑層，能夠剝離地粘貼于半導體裝置的引線框架或布線基板的粘接片，其中，所述粘接劑層含有含羧基丙烯腈
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丁二烯共聚物(a)、環氧樹脂(b)和含有兩個以上馬來酰亞胺基的化合物(c)，80℃下的儲能模量為1MPa～1.7MPa，在通過QFN方式組裝半導體裝置時用作掩模帶。
[0034]含羧基丙烯腈
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丁二烯共聚物(a)起到適度維持加熱初期的粘接劑層的熔融粘度的作用等，并且對固化的粘接劑層賦予良好的柔軟性、粘接性，通過含有該含羧基丙烯腈
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【技術保護點】
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】1.一種半導體裝置制造用粘接片，其特征在于，具備基材和設置于該基材的一面的熱固化型粘接劑層，能夠剝離地粘貼于半導體裝置的引線框架或布線基板，所述粘接劑層含有含羧基丙烯腈
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丁二烯共聚物(a)、環氧樹脂(b)和含有兩個以上馬來酰亞胺基的化合物(c)，80℃下的儲能模量為1MPa～1.7MPa。2.根據權利要求1所述的半導體裝置制造用粘接片，其特征在于，所述(a)成分是丙烯腈含量為5～50質量％、且由數均分子量計算出的羧基當量為100～20000的含羧基丙烯腈
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丁二烯共聚物。3.根據權利要求1所述的半導體裝置制造用粘接片，其特征在于，相對于所述(a)成分100質量...
【專利技術屬性】
技術研發人員：水谷大祐，付文峰，近藤恭史，
申請(專利權)人：株式會社巴川制紙所，
類型：發明
國別省市：
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