本發(fā)明專利技術(shù)涉及超導帶材焊接封裝技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種超導帶材封裝方法，包括：制備第一超導帶材和第二超導帶材；對所述第一超導帶材和所述第二超導帶材進行預(yù)處理；將所述第一超導帶材的連接面與所述第二超導帶材的連接面焊接在一起；將第一封裝件固定在所述第一超導帶材與所述第二超導帶材構(gòu)成的第一卡槽中；將第二封裝件焊接在所述第一超導帶材與所述第二超導帶材構(gòu)成的第二卡槽中；在所述第一超導帶材與所述第二超導帶材構(gòu)成的第三卡槽中覆蓋第三封裝件。本發(fā)明專利技術(shù)解決現(xiàn)有超導帶材封裝后接頭處與原始帶材的厚度差異大，表面不平整，機械性能以及彎曲性能較差的技術(shù)問題。械性能以及彎曲性能較差的技術(shù)問題。械性能以及彎曲性能較差的技術(shù)問題。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
一種超導帶材封裝方法
[0001]本專利技術(shù)涉及超導帶材焊接封裝
，尤其涉及一種超導帶材封裝方法。
技術(shù)介紹
[0002]高溫超導帶材在電力傳輸(如繞制超導電纜)、大型磁體和超導電機等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛，但同時對高溫超導帶材的要求也越來越高，現(xiàn)有加工工藝可以提供幾百米到千米量級的高溫超導帶材，顯然不能滿足超導裝置對長度的要求，所以實際應(yīng)用中必然要使用大量的接頭。
[0003]目前，普遍采用的焊接接頭制作方法是，封裝后的成品帶材通過搭接或橋接的方式進行焊接，其接頭電阻可達10
?
8Ω量級，滿足商業(yè)化的應(yīng)用，但其接頭強度較低，同時，厚度大于原始帶材厚度的2倍。接頭處與原始帶材的厚度差異，表面不平整，機械性能以及彎曲性能較差，對制作超導裝置非常不利，如高溫超導電纜的繞制等。
技術(shù)實現(xiàn)思路
[0004]本專利技術(shù)提供了一種超導帶材封裝方法，解決現(xiàn)有超導帶材封裝后接頭處與原始帶材的厚度差異大，表面不平整，機械性能以及彎曲性能較差的技術(shù)問題。
[0005]為實現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)提供了如下方案：本專利技術(shù)提供一種超導帶材封裝方法，包括：制備第一超導帶材和第二超導帶材；
[0006]對所述第一超導帶材和所述第二超導帶材進行預(yù)處理；
[0007]將所述第一超導帶材的連接面與所述第二超導帶材的連接面焊接在一起；
[0008]將第一封裝件固定在所述第一超導帶材與所述第二超導帶材構(gòu)成的第一卡槽中；
[0009]將第二封裝件焊接在所述第一超導帶材與所述第二超導帶材構(gòu)成的第二卡槽中；
[0010]將第三封裝件焊接在所述第一超導帶材與所述第二超導帶材構(gòu)成的第三卡槽中。
[0011]在其中一個實施例中，制備第一超導帶材和第二超導帶材，包括：
[0012]將待封裝超導帶材連接端的保護層的厚度D1削減為D
11
，削減保護層的長度為L1，其中，0＜D
11
＜D1；所述待封裝超導帶材由上到下包括保護層、超導層和緩沖基底層；
[0013]將所述待封裝超導帶材連接端的緩沖基底層的厚度D2削減為D
22
，削減緩沖基底層的長度為L2，其中，0＜D
22
＜D2；
[0014]將所述待封裝超導帶材連接端的緩沖基底層的厚度D
22
削減為D
23
，削減緩沖基底層的長度為L3，其中，D
23
≤0，L3＜L2。
[0015]在其中一個實施例中，在制備所述第一超導帶材和所述第二超導帶材時，通過機械打磨方式削減將待封裝超導帶材連接端的保護層和緩沖基底層的厚度。
[0016]在其中一個實施例中，對所述第一超導帶材和所述第二超導帶材進行預(yù)處理，包括：對所述第一超導帶材和所述第二超導帶材的焊接接頭處進行脫脂除油、磨光、清洗。
[0017]在其中一個實施例中，所述連接面包括超導連接面和保護連接面，將所述第一超導帶材的連接面與所述第二超導帶材的連接面焊接在一起，包括：采用金屬超聲波點焊方
式將所述第一超導帶材的超導連接面和所述第二超導帶材的超導連接面焊接在一起；將所述第一超導帶材的保護連接面和所述第二超導帶材的保護連接面點焊在一起。
[0018]在其中一個實施例中，所述第一封裝件材質(zhì)與所述第一超導帶材和所述第二超導帶材的保護層材質(zhì)相同；在所述第一卡槽中覆蓋所述第一封裝件。
[0019]在其中一個實施例中，所述第二封裝件與所述第一超導帶材的超導層和所述第二超導帶材的超導層材質(zhì)相同，采用金屬超聲波點焊方式將所述第二封裝件焊接在所述第二卡槽中。
[0020]在其中一個實施例中，所述第二封裝件與所述第二卡槽過盈配合。
[0021]在其中一個實施例中，所述第三封裝件與所述第一超導帶材的緩沖基底層和所述第二超導帶材的緩沖基底層材質(zhì)相同，所述第三封裝件均勻釬焊在所述第三卡槽中。
[0022]在其中一個實施例中，在將所述第一超導帶材和所述第二超導帶材固定連接在一起后，形成超導帶材A；將上穩(wěn)定層、超導帶材A和下穩(wěn)定層封裝在一起，形成超導帶材B。
[0023]本專利技術(shù)的技術(shù)效果：對待封裝超導帶材的連接端進行逐層分解，將分解后第一超導帶材和第二超導帶材逐步焊接在一起；其中，第一封裝件的厚度低于第一超導帶材與第二超導帶材的超導層，焊接第一超導帶材與第二超導帶材的連接面，依次將第一封裝件、第二封裝件和第三封裝件焊接在已連接的第一超導帶材與第二超導帶材上，完成焊接接頭的制作。焊接接頭外觀平整，厚度較均勻，接頭處與原始帶材的厚度無明顯差異，無明顯凸起現(xiàn)象，可生產(chǎn)超長高溫超導帶材，滿足大型超導裝置等制備需求。
附圖說明
[0024]為了更清楚地說明本專利技術(shù)實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術(shù)的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0025]圖1是本專利技術(shù)實施例提供的超導帶材封裝方法的流程圖；
[0026]圖2是本專利技術(shù)實施例提供的第一超導帶材的示意圖；
[0027]圖3是本專利技術(shù)實施例提供的第二超導帶材的示意圖；
[0028]圖4是本專利技術(shù)實施例提供的第一超導帶材和第二超導帶材的連接示意圖；
[0029]圖5是本專利技術(shù)實施例提供的超導帶材A的示意圖；
[0030]圖6是本專利技術(shù)實施例提供的超導帶材A的爆炸圖；
[0031]圖7是本專利技術(shù)實施例提供的超導帶材B的示意圖；
[0032]圖8是本專利技術(shù)實施例提供的超導帶材B的爆炸圖；
[0033]其中，1、第一超導帶材；2、第二超導帶材；3、連接面；31、超導連接面；32、保護連接面；4、第一封裝件；5、第一卡槽；6、第二封裝件；7、第二卡槽；8、第三封裝件；9、第三卡槽；10、保護層；11、超導層；12、緩沖基底層；13、上穩(wěn)定層；14、下穩(wěn)定層。
具體實施方式
[0034]下面結(jié)合附圖和實施例，對本專利技術(shù)的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本專利技術(shù)，但不是用來限制本專利技術(shù)的范圍。
[0035]在本申請的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本申請和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本申請的限制。
[0036]術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特征。在本申請的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。
[0037]在本申請的描述中，需要說明的是本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
【技術(shù)特征摘要】
1.一種超導帶材封裝方法，其特征在于，包括：制備第一超導帶材和第二超導帶材；對所述第一超導帶材和所述第二超導帶材進行預(yù)處理；將所述第一超導帶材的連接面與所述第二超導帶材的連接面焊接在一起；將第一封裝件固定在所述第一超導帶材與所述第二超導帶材構(gòu)成的第一卡槽中；將第二封裝件焊接在所述第一超導帶材與所述第二超導帶材構(gòu)成的第二卡槽中；將第三封裝件焊接在所述第一超導帶材與所述第二超導帶材構(gòu)成的第三卡槽中。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超導帶材封裝方法，其特征在于，制備第一超導帶材和第二超導帶材，包括：將待封裝超導帶材連接端的保護層的厚度D1削減為D
11
，削減保護層的長度為L1，其中，0＜D
11
＜D1；所述待封裝超導帶材由上到下包括保護層、超導層和緩沖基底層；將所述待封裝超導帶材連接端的緩沖基底層的厚度D2削減為D
22
，削減緩沖基底層的長度為L2，其中，0＜D
22
＜D2；將所述待封裝超導帶材連接端的緩沖基底層的厚度D
22
削減為D
23
，削減緩沖基底層的長度為L3，其中，D
23
≤0，L3＜L2。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超導帶材封裝方法，其特征在于，在制備所述第一超導帶材和所述第二超導帶材時，通過機械打磨方式削減待封裝超導帶材連接端的保護層和緩沖基底層的厚度。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超導帶材封裝方法，其特征在...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：洪智勇，戴少濤，蔣國忠，伍銳，曾智斌，常同旭，
申請(專利權(quán))人：江西聯(lián)創(chuàng)光電科技股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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