一種限位一體化橋接式封裝結(jié)構(gòu)制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)涉及電子器件的技術(shù)領(lǐng)域，提出一種限位一體化橋接式封裝結(jié)構(gòu)，包括導(dǎo)線框架、芯片和銅橋框架；導(dǎo)線框架包括基座和引腳，基座與引腳電性隔離；芯片設(shè)置于基座內(nèi)；銅橋框架包括主銅橋和副銅橋，主銅橋和副銅橋電性隔離；主銅橋的一端與芯片的S極電性連接，主銅橋的另一端與引腳的S極電性連接；副銅橋的一端與芯片的G極電性連接，副銅橋的另一端與引腳的G極電性連接；本實(shí)用新型專利技術(shù)銅橋框架包括主銅橋和副銅橋兩部分，芯片、導(dǎo)線框架、銅橋框架一次性完成組裝，避免二次上焊接設(shè)備再進(jìn)行G極的引線焊接，有效提升了生產(chǎn)效率，解決目前銅線焊接效率低，容易導(dǎo)致銅線虛焊，在使用過(guò)程中容易出現(xiàn)銅線斷開(kāi)引起開(kāi)路的問(wèn)題。程中容易出現(xiàn)銅線斷開(kāi)引起開(kāi)路的問(wèn)題。程中容易出現(xiàn)銅線斷開(kāi)引起開(kāi)路的問(wèn)題。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種限位一體化橋接式封裝結(jié)構(gòu)


[0001]本技術(shù)涉及電子器件的
，特別是一種限位一體化橋接式封裝結(jié)構(gòu)。

技術(shù)介紹

[0002]目前電子器件的功率器件一般采用焊線的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)電性連接，或者在芯片的S極進(jìn)行銅橋焊接，而G極都是在焊接完成芯片與框架、銅橋與芯片的焊接后，需要兩次上機(jī)，生產(chǎn)效率慢，再重新上焊接設(shè)備進(jìn)行銅線焊接，在進(jìn)行引線焊接前，都需要進(jìn)行化學(xué)清洗及等離子清洗，而由于在銅橋焊接過(guò)程較多實(shí)用的錫膏工藝，錫膏焊接過(guò)程容易釋放出助焊劑，容易污染到銅線焊接的功能區(qū)(芯片G極)，在上述清洗過(guò)程中不徹底，容易導(dǎo)致引線虛焊；或在使用過(guò)程中容易出現(xiàn)引線斷開(kāi)引起開(kāi)路的質(zhì)量隱患問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

[0003]針對(duì)上述缺陷，本技術(shù)的目的在于提出一種限位一體化橋接式封裝結(jié)構(gòu)，解決目前銅線焊接，效率低，容易導(dǎo)致引線虛焊，在使用過(guò)程中容易出現(xiàn)引線斷開(kāi)引起開(kāi)路的問(wèn)題。
[0004]為達(dá)此目的，本技術(shù)采用以下技術(shù)方案：
[0005]一種限位一體化橋接式封裝結(jié)構(gòu)，包括導(dǎo)線框架、芯片和銅橋框架；
[0006]所述導(dǎo)線框架包括基座和引腳，所述基座與引腳電性隔離；
[0007]所述芯片設(shè)置于所述基座內(nèi)；
[0008]所述銅橋框架包括主銅橋和副銅橋，所述主銅橋和副銅橋電性隔離；
[0009]所述主銅橋的一端與所述芯片的S極電性連接，所述主銅橋的另一端與所述引腳的S極電性連接；
[0010]所述副銅橋的一端與所述芯片的G極電性連接，所述副銅橋的另一端與所述引腳的G極電性連接。r/>[0011]優(yōu)選的，所述主銅橋和副銅橋?yàn)橐惑w成型結(jié)構(gòu)。
[0012]優(yōu)選的，所述副銅橋的一端向下凸起設(shè)置有接觸凸點(diǎn)。
[0013]優(yōu)選的，所述接觸凸點(diǎn)包括有一層凸臺(tái)和二層凸點(diǎn)，所述一層凸臺(tái)沿所述副銅橋的底面向下凸起設(shè)置，所述二層凸點(diǎn)沿所述一層凸臺(tái)的底面向下凸起設(shè)置。
[0014]優(yōu)選的，所述一層凸臺(tái)設(shè)置為直徑0.05mm
?
0.1mm的圓形凸臺(tái)，所述二層凸點(diǎn)設(shè)置為直徑0.01mm
?
0.03mm的圓形凸臺(tái)。
[0015]優(yōu)選的，所述一層凸臺(tái)的直徑尺寸不超過(guò)所述芯片的G極寬度的一半。
[0016]優(yōu)選的，所述一層凸臺(tái)和二層凸點(diǎn)分別通過(guò)在所述副銅橋進(jìn)行沖壓成型制備而成。
[0017]優(yōu)選的，所述主銅橋的一側(cè)設(shè)置有限位卡口，所述主銅橋通過(guò)所述限位卡口與所述芯片卡扣連接。
[0018]優(yōu)選的，所述芯片的上表面設(shè)置有塑封料，所述塑封料用于封裝所述銅橋框架、芯
片以及導(dǎo)線框架。
[0019]優(yōu)選的，所述銅橋框架的底面設(shè)置有粘片材料，所述銅橋框架通過(guò)所述粘片材料與所述導(dǎo)線框架固定連接。
[0020]上述技術(shù)方案中的一個(gè)技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn)或有益效果：
[0021]一種限位一體化橋接式封裝結(jié)構(gòu)，銅橋框架包括主銅橋和副銅橋兩部分，在組裝本封裝結(jié)構(gòu)時(shí)，利用同移動(dòng)吸爪將主銅橋與副銅橋同時(shí)吸持，由設(shè)備進(jìn)行定位放置，通過(guò)主銅橋和副銅橋與芯片之間的對(duì)位，實(shí)現(xiàn)一次性對(duì)位貼橋，使得芯片、導(dǎo)線框架、銅橋框架一次性完成完整的電性回路，避免二次上焊接設(shè)備再進(jìn)行G極的引線焊接，有效提升了生產(chǎn)效率，解決銅線焊接效率慢，容易導(dǎo)致引線虛焊、斷開(kāi)等隱患問(wèn)題；另外，采用副銅橋連接芯片G極，替代現(xiàn)有技術(shù)的引線焊接，使用焊接焊接，焊接牢固，而且不會(huì)存在斷裂問(wèn)題，保證產(chǎn)品品質(zhì)，且在過(guò)電流能力上得到提升，封裝后的電子器件不會(huì)存在過(guò)電流差的問(wèn)題。
附圖說(shuō)明
[0022]圖1是本技術(shù)中一個(gè)實(shí)施例的俯視圖；
[0023]圖2是本技術(shù)中一個(gè)實(shí)施例的銅橋框架的示意圖；
[0024]圖3是本技術(shù)中一個(gè)實(shí)施例的側(cè)面剖視圖；
[0025]圖4是本技術(shù)中一個(gè)實(shí)施例的副銅橋的局部剖視圖。
[0026]其中：導(dǎo)線框架1、基座11、引腳12、芯片2、銅橋框架3、主銅橋31、限位卡口311、副銅橋32、接觸凸點(diǎn)33、一層凸臺(tái)331、二層凸點(diǎn)332、塑封料4、粘片材料5。
具體實(shí)施方式
[0027]下面詳細(xì)描述本技術(shù)的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本技術(shù)，而不能理解為對(duì)本技術(shù)的限制。
[0028]在本技術(shù)的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“縱向”、“橫向”“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本技術(shù)和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本技術(shù)的限制。此外，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個(gè)或者更多個(gè)該特征，用于區(qū)別描述特征，無(wú)順序之分，無(wú)輕重之分。
[0029]在本技術(shù)的描述中，除非另有說(shuō)明，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上。
[0030]在本技術(shù)的描述中，需要說(shuō)明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本技術(shù)中的具體含義。
[0031]下面結(jié)合圖1至圖4描述本技術(shù)實(shí)施例的一種限位一體化橋接式封裝結(jié)構(gòu)，
[0032]包括導(dǎo)線框架1、芯片2和銅橋框架3；
[0033]所述導(dǎo)線框架1包括基座11和引腳12，所述基座11與引腳12電性隔離；
[0034]所述芯片2設(shè)置于所述基座11內(nèi)；
[0035]所述銅橋框架3包括主銅橋31和副銅橋32，所述主銅橋31和副銅橋32電性隔離；
[0036]所述主銅橋31的一端與所述芯片2的S極電性連接，所述主銅橋31的另一端與所述引腳12的S極電性連接；
[0037]所述副銅橋32的一端與所述芯片2的G極電性連接，所述副銅橋32的另一端與所述引腳12的G極電性連接。
[0038]在現(xiàn)有技術(shù)中，功率器件一般采用焊線的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)電性連接，或者在芯片2的S極進(jìn)行銅橋焊接，而G極都是在焊接完成芯片2與框架、銅橋與芯片2的焊接后，需要兩次上機(jī)，生產(chǎn)效率慢，再重新上焊接設(shè)備進(jìn)行銅線焊接，在進(jìn)行引線焊接前，都需要進(jìn)行化學(xué)清洗及等離子清洗，而由于在銅橋焊接過(guò)程較多實(shí)用的錫膏工藝，錫膏焊接過(guò)程容易釋放出助焊劑，容易污染到銅線焊接的功能區(qū)(芯片2G極)，在上述清洗過(guò)程中不徹底，容易導(dǎo)致引線虛焊；或在使用過(guò)程中容易出現(xiàn)引線斷開(kāi)引起開(kāi)路的質(zhì)量隱患問(wèn)題；在本申請(qǐng)的封裝結(jié)構(gòu)中，銅橋框架3包括主銅橋31和副銅橋32兩部分，在組裝本封裝結(jié)構(gòu)時(shí)，利用同平面的分支移動(dòng)吸爪吸取銅橋框架3，將主銅本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

【技術(shù)特征摘要】
1.一種限位一體化橋接式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括導(dǎo)線框架、芯片和銅橋框架；所述導(dǎo)線框架包括基座和引腳，所述基座與引腳電性隔離；所述芯片設(shè)置于所述基座內(nèi)；所述銅橋框架包括主銅橋和副銅橋，所述主銅橋和副銅橋電性隔離；所述主銅橋的一端與所述芯片的S極電性連接，所述主銅橋的另一端與所述引腳的S極電性連接；所述副銅橋的一端與所述芯片的G極電性連接，所述副銅橋的另一端與所述引腳的G極電性連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種限位一體化橋接式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述主銅橋和副銅橋?yàn)橐惑w成型結(jié)構(gòu)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種限位一體化橋接式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述副銅橋的一端向下凸起設(shè)置有接觸凸點(diǎn)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種限位一體化橋接式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述接觸凸點(diǎn)包括有一層凸臺(tái)和二層凸點(diǎn)，所述一層凸臺(tái)沿所述副銅橋的底面向下凸起設(shè)置，所述二層凸點(diǎn)沿所述一層凸臺(tái)的底面向下凸起設(shè)置。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種限位一體化橋接式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述一層凸臺(tái)設(shè)...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：林品旺，雛繼軍，劉耀文，肖志華，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：