超導磁體的失超保護電路及超導磁體制造技術

本發明專利技術公開了一種超導磁體的失超保護電路及超導磁體，該電路包括正向二極管、固定支架、反向二極管、第一導線、第二導線和第三導線，固定支架為導電金屬，其一側設置有第一支架凹槽和第一固定板，另一側設置有第二支架凹槽和第二固定板，第一、第二固定板用于與超導磁體固定，正向二極管置于第一支架凹槽中，正極位于第一支架凹槽外而負極位于第一支架凹槽內，反向二極管置于第二支架凹槽中，正極位于第二支架凹槽內而負極位于第二支架凹槽外，第一導線一端與超導線圈一端連接而另一端與第二固定板連接，第二導線一端與正向二極管的正極連接而另一端與反向二極管的負極連接，第三導線一端與正向二極管的正極連接而另一端與超導線圈的另一端連接。與超導線圈的另一端連接。與超導線圈的另一端連接。

【技術實現步驟摘要】
超導磁體的失超保護電路及超導磁體


[0001]本專利技術涉及超導磁體
，尤其涉及一種超導磁體的失超保護電路及超導磁體。

技術介紹

[0002]當超導磁體失超時，在超導線圈內部的超導線會由超導態變成電阻態，且從失超區域逐步向外傳播直到整個超導線圈均變成電阻態。
[0003]由于超導磁體的使用環境一般為大電流，且低溫超導磁體失超時會在較短時間內完成超導態到電阻態的轉變，由歐姆定律可知，當超導磁體失超時，超導磁體兩端電壓等于超導磁體電流乘以失超后超導磁體的電阻值。假設超導磁體正常運行電流為200A，失超前期超導線圈兩端電壓以感性電壓為主，電流衰減速率下降之后以阻性電壓為主。若沒有失超保護電路，失超時超導磁體兩端電壓最高可以達到幾千伏。
[0004]幾千伏的高壓有可能會直接擊穿超導磁體內部繞組的絕緣從而使得超導磁體發生永久性損壞。因此需要一種超導磁體的失超保護電路對超導磁體兩端的電壓進行鉗位，防止失超時超導磁體兩端電壓過高對超導磁體造成不可逆損壞。

技術實現思路

[0005]本專利技術提供了一種超導磁體的失超保護電路及超導磁體，能夠解決現有技術中的技術問題。
[0006]本專利技術提供了一種超導磁體的失超保護電路，其中，該電路包括正向二極管、固定支架、反向二極管、第一導線、第二導線和第三導線，所述固定支架的材料為導電金屬，所述固定支架一側設置有第一支架凹槽和第一固定板，另一側設置有第二支架凹槽和第二固定板，所述第一固定板和所述第二固定板用于與超導磁體固定，所述正向二極管置于所述第一支架凹槽中，并且所述正向二極管的正極位于所述第一支架凹槽外而負極位于所述第一支架凹槽內，所述反向二極管置于所述第二支架凹槽中，并且所述反向二極管的正極位于所述第二支架凹槽內而負極位于所述第二支架凹槽外，所述第一導線的一端與超導磁體的超導線圈的一端連接而另一端與所述第二固定板連接，所述第二導線一端與所述正向二極管的正極連接而另一端與所述反向二極管的負極連接，所述第三導線一端與所述正向二極管的正極連接而另一端與所述超導線圈的另一端連接。
[0007]優選地，所述正向二極管的尺寸與所述第一支架凹槽的尺寸匹配，所述反向二極管的尺寸與所述第二支架凹槽的尺寸匹配。
[0008]優選地，所述正向二極管和所述反向二極管為柱狀二極管，所述第一支架凹槽和所述第二支架凹槽為柱狀凹槽，所述柱狀二極管一端為正極而另一端為負極。
[0009]優選地，所述柱狀二極管具有外螺紋，所述柱狀凹槽具有內螺紋，所述柱狀二極管與所述柱狀凹槽通過外螺紋與內螺紋的配合實現連接。
[0010]優選地，所述固定支架還包括緊固件，用于對所述正向二極管和所述反向二極管
進行緊固。
[0011]優選地，所述緊固件為緊固螺釘。
[0012]優選地，該電路還包括連接件，所述第一固定板和所述第二固定板通過所述連接件與超導磁體固定。
[0013]本專利技術還提供了一種超導磁體，其中，包括超導線圈和上述的失超保護電路。
[0014]通過上述技術方案，可以通過固定支架在實現電氣連接的同時減少導線連接數量，并且還可以利用固定支架對兩個二極管進行可靠固定，以為超導磁體提供可靠的失超保護。
附圖說明
[0015]所包括的附圖用來提供對本專利技術實施例的進一步的理解，其構成了說明書的一部分，用于例示本專利技術的實施例，并與文字描述一起來闡釋本專利技術的原理。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0016]圖1示出了根據本專利技術實施例的一種超導磁體的失超保護電路的示意圖；
[0017]圖2示出了根據本專利技術實施例的固定支架的視圖。
[0018]附圖標記說明
[0019]1正向二極管；2固定支架；3反向二極管；4第一導線；
[0020]5第二導線；6第三導線；7超導線圈。
具體實施方式
[0021]需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例。以下對至少一個示例性實施例的描述實際上僅僅是說明性的，決不作為對本專利技術及其應用或使用的任何限制?；诒緦＠夹g中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。
[0022]需要注意的是，這里所使用的術語僅是為了描述具體實施方式，而非意圖限制根據本申請的示例性實施方式。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數形式也意圖包括復數形式，此外，還應當理解的是，當在本說明書中使用術語“包含”和/或“包括”時，其指明存在特征、步驟、操作、器件、組件和/或它們的組合。
[0023]除非另外具體說明，否則在這些實施例中闡述的部件和步驟的相對布置、數字表達式和數值不限制本專利技術的范圍。同時，應當明白，為了便于描述，附圖中所示出的各個部分的尺寸并不是按照實際的比例關系繪制的。對于相關領域普通技術人員已知的技術、方法和設備可能不作詳細討論，但在適當情況下，所述技術、方法和設備應當被視為授權說明書的一部分。在這里示出和討論的所有示例中，任何具體值應被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實施例的其它示例可以具有不同的值。應注意到：相似的標號和字母在下面的附圖中表示類似項，因此，一旦某一項在一個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進行進一步討論。
[0024]圖1示出了根據本專利技術實施例的一種超導磁體的失超保護電路的示意圖。
[0025]如圖1所示，本專利技術實施例提供了一種超導磁體的失超保護電路，其中，該電路包括正向二極管1、固定支架2、反向二極管3、第一導線4、第二導線5和第三導線6，所述固定支架3的材料為導電金屬，所述固定支架2一側設置有第一支架凹槽和第一固定板，另一側設置有第二支架凹槽和第二固定板，所述第一固定板和所述第二固定板用于與超導磁體固定，所述正向二極管1置于所述第一支架凹槽中，并且所述正向二極管1的正極位于所述第一支架凹槽外而負極位于所述第一支架凹槽內，所述反向二極管3置于所述第二支架凹槽中，并且所述反向二極管3的正極位于所述第二支架凹槽內而負極位于所述第二支架凹槽外，所述第一導線4的一端與超導磁體的超導線圈7的一端連接而另一端與所述第二固定板連接，所述第二導線5一端與所述正向二極管1的正極連接而另一端與所述反向二極管3的負極連接，所述第三導線6一端與所述正向二極管1的正極連接而另一端與所述超導線圈7的另一端連接。
[0026]通過上述技術方案，可以通過固定支架在實現電氣連接(即，將兩個二極管的正負極進行電氣連接)的同時減少導線連接數量，并且還可以利用固定支架對兩個二極管進行可靠固定，以為超導磁體提供可靠的失超保護。
[0027]根據本專利技術一種實施例，所述正向二極管1的尺寸本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種超導磁體的失超保護電路，其特征在于，該電路包括正向二極管(1)、固定支架(2)、反向二極管(3)、第一導線(4)、第二導線(5)和第三導線(6)，所述固定支架(3)的材料為導電金屬，所述固定支架(2)一側設置有第一支架凹槽和第一固定板，另一側設置有第二支架凹槽和第二固定板，所述第一固定板和所述第二固定板用于與超導磁體固定，所述正向二極管(1)置于所述第一支架凹槽中，并且所述正向二極管(1)的正極位于所述第一支架凹槽外而負極位于所述第一支架凹槽內，所述反向二極管(3)置于所述第二支架凹槽中，并且所述反向二極管(3)的正極位于所述第二支架凹槽內而負極位于所述第二支架凹槽外，所述第一導線(4)的一端與超導磁體的超導線圈(7)的一端連接而另一端與所述第二固定板連接，所述第二導線(5)一端與所述正向二極管(1)的正極連接而另一端與所述反向二極管(3)的負極連接，所述第三導線(6)一端與所述正向二極管(1)的正極連接而另一端與所述超導線圈(7)的另一端連接。2.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述正向二...

【專利技術屬性】
技術研發人員：周偉，王新文，陳慧星，劉坤，張意，劉旭洋，梁思源，王雪晴，于金鵬，陳松，
申請(專利權)人：中國航天科工飛航技術研究院中國航天海鷹機電技術研究院，
類型：發明
國別省市：