一種基座耐電壓結構制造技術

本實用新型專利技術公開了一種基座耐電壓結構，基座包括有加熱底板和平臺，加熱底板頂部中間設置有向上凸起的平臺，平臺四周的加熱底板的頂部安裝有絕緣框，絕緣框為陶瓷制成，絕緣框上開設有鎖附孔。本實用新型專利技術通過螺絲貫穿鎖附孔和加熱底板連接，從而將絕緣框固定安裝在平臺四周外部的加熱底板上，由于絕緣框為陶瓷制成，耐電壓極高，從而大大提升了平臺邊緣的耐電壓水平。電壓水平。電壓水平。

【技術實現步驟摘要】
一種基座耐電壓結構


[0001]本技術涉及鋁制工件表面處理
，具體為一種基座耐電壓結構。

技術介紹

[0002]液晶面板生產領域會使用到化學氣相沉積工藝，該工藝需要一個加熱底板作為制程平臺以及加熱裝置，現有的加熱底板的材質為鋁合金，表面覆蓋一層氧化膜，氧化膜有很好的電絕緣性質及耐腐蝕性能。
[0003]客戶使用環境下加熱底板邊緣聚集Plasma(離子束),容易造成加熱底板邊緣電擊。針對上述問題，現有的改善方案主要是提高平臺邊緣的氧化膜的耐電壓水平(最高只能承受0.4
?
0.5kv)，這種方式改善效果不佳。為此，專利技術人提出一種基座耐電壓結構。

技術實現思路

[0004]本技術的目的在于提供一種基座耐電壓結構，具有耐電壓性能好的優點，解決了
技術介紹
中提出的問題。
[0005]為實現上述目的，本技術提供如下技術方案：一種基座耐電壓結構，所述基座包括有加熱底板和平臺，所述加熱底板頂部中間設置有向上凸起的所述平臺，所述平臺四周的加熱底板的頂部安裝有絕緣框，所述絕緣框上開設有鎖附孔。
[0006]優選的，所述絕緣框為陶瓷制成。
[0007]優選的，所述基座為鋁合金制成，其外表面設置有氧化膜。
[0008]優選的，所述絕緣框為一體成型的矩形框架。
[0009]優選的，所述絕緣框是由若干個片狀長條拼接而成的矩形框架。
[0010]優選的，所述片狀長條的寬度為14
±
0.5mm，厚度為8
±
0.5mm。<br/>[0011]優選的，所述加熱底板底部設置有支撐架。
[0012]與現有技術相比，本技術的有益效果如下：
[0013]本技術采用機加工的方案銑掉平臺四周容易電擊區域，并制作絕緣框替換銑掉的鋁材，通過螺絲將絕緣框固定安裝在平臺四周的加熱底板上，從而大大提升了平臺邊緣的耐電壓水平，絕緣框可以根據實際加工能力采用一體式結構或分體式結構，比較靈活。
附圖說明
[0014]圖1為本技術現有基座的結構示意圖；
[0015]圖2為本技術整體結構示意圖；
[0016]圖3為本技術實施例1絕緣框的結構示意圖；
[0017]圖4為本技術實施例2絕緣框的結構示意圖結構。
[0018]圖中：1、加熱底板；2、支撐架；3、平臺；4、絕緣框；5、鎖附孔。
具體實施方式
[0019]下面將結合本技術實施例中的附圖，對本技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本技術一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒炯夹g中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本技術保護的范圍。
[0020]請參閱圖1至圖4，本技術提供一種技術方案：一種基座耐電壓結構，基座包括有加熱底板1和平臺3，加熱底板1底部設置有支撐架2，加熱底板1頂部中間設置有向上凸起的平臺3，平臺3四周的加熱底板1的頂部安裝有絕緣框4，改造時，首先銑掉由鋁合金制成的平臺3四周容易受到電擊的區域，再將絕緣框4安裝在該區域，絕緣框4上開設有鎖附孔5，通過螺絲貫穿鎖附孔5和加熱底板1連接，從而將絕緣框4固定住。
[0021]如圖3所示，絕緣框4為陶瓷制成，絕緣框4為一體成型的矩形框架，絕緣框4采用一體式加工，更接近工件輪廓，但是加工工藝難度較高；
[0022]如圖4所示，絕緣框4是由若干個片狀長條拼接而成的矩形框架，片狀長條的寬度為14
±
0.5mm，厚度為8
±
0.5mm，設置為上述尺寸，一方面不會影響客戶正常使用，另一方面也保障了耐電壓水平，且安裝穩定性較好，絕緣框4采用分體式結構，便于加工，但是存在接縫。
[0023]專利技術人經過試驗驗證，絕緣框4無論是采用分體式結構還是一體式結構，其耐電壓性能相差無幾。
[0024]基座為鋁合金制成，其外表面設置有氧化膜，氧化膜本身即具有很好的電絕緣性質及耐腐蝕性能，但是在實際使用中，Plasma離子束容易在平臺3邊緣處聚集，而一般的氧化膜達不到這種情況下的耐電壓水平，容易造成基座邊緣電擊。
[0025]改造時，首先銑掉由鋁合金制成的平臺3四周容易受到電擊的區域，該區域的寬度為14
±
0.5mm，高度為8
±
0.5mm，接著將絕緣框4放置在該區域，通過螺絲貫穿鎖附孔5和加熱底板1連接，從而將絕緣框4固定安裝在平臺3四周外部的加熱底板1上，由于絕緣框4為陶瓷制成，耐電壓極高，超過5kv，從而大大提升了平臺3邊緣的耐電壓水平。
[0026]盡管已經示出和描述了本技術的實施例，對于本領域的普通技術人員而言，可以理解在不脫離本技術的原理和精神的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本技術的范圍由所附權利要求及其等同物限定。
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【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種基座耐電壓結構，其特征在于：所述基座包括有加熱底板(1)和平臺(3)，所述加熱底板(1)頂部中間設置有向上凸起的所述平臺(3)，所述平臺(3)四周的加熱底板(1)的頂部安裝有絕緣框(4)，所述絕緣框(4)上開設有鎖附孔(5)。2.根據權利要求1所述的基座耐電壓結構，其特征在于：所述絕緣框(4)為陶瓷制成。3.根據權利要求1所述的基座耐電壓結構，其特征在于：所述基座為鋁合金制成，其外表面設置有氧化膜。4.根據權利要求1或2所述的基座耐...

【專利技術屬性】
技術研發人員：李秀鋒，鄭軍東，余宵，李根水，代勇超，
申請(專利權)人：安徽晶海納光電科技有限公司，
類型：新型
國別省市：