復(fù)合材料、薄膜、發(fā)光器件及其制備方法技術(shù)

本申請公開了一種復(fù)合材料、薄膜、發(fā)光器件及其制備方法。該復(fù)合材料包括主體材料和摻雜材料，摻雜材料的LUMO能級的絕對值小于所述主體材料的LUMO能級的絕對值，可以起到阻擋電子的作用；并且摻雜材料的空穴遷移率大于所述主體材料的空穴遷移率，可以起到提高空穴傳輸?shù)淖饔谩Ｒ虼死迷摀诫s材料，可以提高復(fù)合材料的電子阻擋能力和空穴傳輸能力，從而改善材料的電子傳輸能力過高的問題。料的電子傳輸能力過高的問題。料的電子傳輸能力過高的問題。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
復(fù)合材料、薄膜、發(fā)光器件及其制備方法


[0001]本申請涉及光電領(lǐng)域，具體涉及一種復(fù)合材料、薄膜、發(fā)光器件及其制備方法。

技術(shù)介紹

[0002]發(fā)光器件是基于有機(jī)或無機(jī)材料的半導(dǎo)體器件，包括但不限于有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light
?
Emitting Diode,OLED)和量子點(diǎn)發(fā)光二極管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)。發(fā)光器件在新能源、傳感、通信、顯示、照明等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。
[0003]發(fā)光器件為“三明治”結(jié)構(gòu)，即包括陽極、陰極以及發(fā)光層，其中，陽極與陰極相對設(shè)置，發(fā)光層設(shè)置于陽極與陰極之間。發(fā)光器件的發(fā)光原理是：電子從器件的陰極注入至發(fā)光層，空穴從器件的陽極注入至發(fā)光層，電子和空穴在發(fā)光層復(fù)合形成激子，復(fù)合后的激子通過輻射躍遷的形式釋放光子從而發(fā)光。
[0004]目前，發(fā)光層的材料一般存在電子傳輸能力高于空穴傳輸能力的問題，使電子和空穴的復(fù)合中心位于或者靠近空穴傳輸層和發(fā)光層之間的界面，影響器件的壽命。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

[0005]本申請實(shí)施例提供一種復(fù)合材料、薄膜、發(fā)光器件及其制備方法，旨在改善發(fā)光層的材料的電子傳輸能力過高的問題。
[0006]第一方面，本申請實(shí)施例提供一種復(fù)合材料，包括主體材料和摻雜材料，所述摻雜材料的LUMO能級的絕對值小于所述主體材料的LUMO能級的絕對值；并且，所述摻雜材料的空穴遷移率大于所述主體材料的空穴遷移率。
[0007]可選的，所述摻雜材料的分子量大于或小于所述主體材料的分子量。
[0008]可選的，所述摻雜材料的分子量大于所述主體材料的分子量，所述摻雜材料的分子量為700～1500；和/或所述主體材料的LUMO能級的絕對值與所述摻雜材料的LUMO能級的絕對值之差大于或等于0.3eV；和/或所述摻雜材料的空穴遷移率為10
?5～10
?3cm2v
?1s
?1。
[0009]可選的，所述摻雜材料選自Tris
?
PCz、NPB
?
DPA、TSBPA、X
?
F6
?
TAPC及CzSi中的至少一種。
[0010]可選的，所述主體材料選自：ADN、ZADN及TBADN中的至少一種；和/或所述復(fù)合材料還包括客體材料，所述客體材料選自：DPAVBi及TBPe中的至少一種。
[0011]可選的，所述復(fù)合材料由所述主體材料、所述摻雜材料以及客體材料構(gòu)成。
[0012]可選的，在所述復(fù)合材料中，所述摻雜材料的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為2％～20％。
[0013]第二方面，本申請?zhí)峁┮环N薄膜，所述薄膜的材料選自第一方面所述的復(fù)合材料。
[0014]第三方面，本申請?zhí)峁┮环N發(fā)光器件，包括：
[0015]陽極；
[0016]陰極，與所述陽極相對設(shè)置；
[0017]發(fā)光層，設(shè)于所述陽極和陰極之間；以及
[0018]空穴傳輸層，設(shè)于所述陽極和發(fā)光層之間；
[0019]其中，所述發(fā)光層的材料選自第一方面所述的復(fù)合材料。
[0020]可選的，所述發(fā)光器件為正型結(jié)構(gòu)，所述陽極作為底電極，所述陰極作為頂電極，所述摻雜材料的分子量大于所述主體材料的分子量；
[0021]或者，所述發(fā)光器件為反型結(jié)構(gòu)，所述陽極作為頂電極，所述陰極作為底電極，所述摻雜材料的分子量小于所述主體材料的分子量。
[0022]可選的，所述發(fā)光層包括接近所述空穴傳輸層的第一表面，以及接近所述陰極的第二表面，在所述第一表面至所述第二表面的方向上，所述摻雜材料的含量由高至低分布。
[0023]可選的，所述空穴傳輸層的材料選自：poly
?
TPD、TFB及PVK中的至少一種；和/或所述陰極材料選自：Ag電極、Al電極、Au電極、Pt電極或合金電極中的至少一種；和/或所述陽極材料選自金屬氧化物電極或復(fù)合電極，所述金屬氧化物電極選自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO及AMO中的至少一種，所述復(fù)合電極為AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS或ZnS/Al/ZnS中的至少一種。
[0024]可選的，所述發(fā)光器件還包括設(shè)于所述陰極和所述發(fā)光層之間的電子傳輸層，以及設(shè)于所述空穴傳輸層和所述陽極之間的空穴注入層。
[0025]可選的，所述電子傳輸層的材料選自：Bepp2、BAlq3、TPBi、TmPyPb、BCP以及Bphen中的至少一種；和/或，所述空穴注入層的材料選自：PEDOT:PSS、PANI:PSS、BFEC以及BFB中的至少一種。
[0026]第四方面，本申請?zhí)峁┮环N發(fā)光器件的制備方法，所述發(fā)光器件為正型結(jié)構(gòu)，所述陽極作為底電極，所述陰極作為頂電極，所述制備方法包括：
[0027]在陽極上制備空穴傳輸層；
[0028]在所述空穴傳輸層上制備發(fā)光層；以及
[0029]在所述發(fā)光層上制備陰極；
[0030]或者，所述發(fā)光器件為反型結(jié)構(gòu)，所述陽極作為頂電極，所述陰極作為底電極，所述制備方法包括：
[0031]在所述陰極上制備發(fā)光層；
[0032]在所述發(fā)光層上制備空穴傳輸層；以及
[0033]在所述空穴傳輸層上制備陽極；
[0034]其中，所述發(fā)光層的材料選自第一方面所述的復(fù)合材料。
[0035]可選的，所述發(fā)光層的制備方法包括：在所述空穴傳輸層上施加含有主體材料和摻雜材料的混合溶液，然后干燥成膜，得到所述發(fā)光層；
[0036]或者，在所述陰極上施加含有主體材料和摻雜材料的混合溶液，然后干燥成膜，得到所述發(fā)光層。
[0037]有益效果：
[0038]本申請?zhí)峁┮环N復(fù)合材料，所述復(fù)合材料包括主體材料和摻雜材料，所述摻雜材料的LUMO能級的絕對值小于所述主體材料的LUMO能級的絕對值，比主體材料更加接近真空能級，可以起到阻擋電子的作用；并且所述摻雜材料的空穴遷移率大于所述主體材料的空穴遷移率，可以起到提高空穴傳輸?shù)淖饔谩Ｒ虼嗽趶?fù)合材料中加入該摻雜材料，可以提高復(fù)
合材料的電子阻擋能力和空穴傳輸能力，從而改善材料的電子傳輸能力過高的問題。
附圖說明
[0039]為了更清楚地說明本申請實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。
[0040]圖1是本申請實(shí)施例提供的正型結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖2是本申請實(shí)施例提供的反型結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖3是本申請實(shí)施例提供的正型結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件的制備方法的流程示意圖；
[0043]圖4是本申請實(shí)施例提供的反型結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件的制備方法的流程示意圖；
[0044]圖5是本申請實(shí)本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

【技術(shù)特征摘要】
1.一種復(fù)合材料，其特征在于，包括主體材料和摻雜材料，所述摻雜材料的LUMO能級的絕對值小于所述主體材料的LUMO能級的絕對值；并且，所述摻雜材料的空穴遷移率大于所述主體材料的空穴遷移率。2.根據(jù)權(quán)利要求1所示的復(fù)合材料，其特征在于，所述摻雜材料的分子量大于或小于所述主體材料的分子量。3.根據(jù)權(quán)利要求1所示的復(fù)合材料，其特征在于，所述摻雜材料的分子量大于所述主體材料的分子量，所述摻雜材料的分子量為700～1500；和/或所述主體材料的LUMO能級的絕對值與所述摻雜材料的LUMO能級的絕對值之差大于或等于0.3eV；和/或所述摻雜材料的空穴遷移率為10
?5～10
?3cm2v
?1s
?1。4.根據(jù)權(quán)利要求1所示的復(fù)合材料，其特征在于，所述摻雜材料選自Tris
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PCz、NPB
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DPA、TSBPA、X
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F6
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TAPC及CzSi中的至少一種。5.根據(jù)權(quán)利要求1所示的復(fù)合材料，其特征在于，所述主體材料選自：ADN、ZADN及TBADN中的至少一種；和/或所述復(fù)合材料還包括客體材料，所述客體材料選自：DPAVBi及TBPe中的至少一種。6.根據(jù)權(quán)利要求5所示的復(fù)合材料，其特征在于，所述復(fù)合材料由所述主體材料、所述摻雜材料以及客體材料構(gòu)成。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合材料，其特征在于，在所述復(fù)合材料中，所述摻雜材料的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為2％～20％。8.一種薄膜，其特征在于，所述薄膜的材料選自權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的復(fù)合材料。9.一種發(fā)光器件，其特征在于，包括：陽極；陰極，與所述陽極相對設(shè)置；發(fā)光層，設(shè)于所述陽極和陰極之間；以及空穴傳輸層，設(shè)于所述陽極和發(fā)光層之間；其中，所述發(fā)光層的材料選自權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的復(fù)合材料。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光器件為正型結(jié)構(gòu)，所述陽極作為底電極，所述陰極作為頂電極，所述摻雜材料的分子量大于所述主體材料的分子量；或者，所述發(fā)光器件為反型結(jié)構(gòu)，所述陽極作為頂電極，所述陰極作為底電極，所述摻雜材料的分子量小于所述主體材料的分子量。11.根據(jù)權(quán)利要求9所...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：蘇亮，潘帥，王士攀，莊錦勇，付東，
申請(專利權(quán))人：廣東聚華印刷顯示技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：