一種直射式非氣密性光耦的開封方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種直射式非氣密性光耦的開封方法，通過對直射式非氣密性光耦內(nèi)部發(fā)光二極管和光敏三極管的位置和深度進(jìn)行定位，再將發(fā)光二極管和光敏三極管引出端分別固定，降低了開封后器件部分結(jié)構(gòu)脫落丟失的可能性；接著對光耦正面和背面采用對稱激光開封法，降低了發(fā)光二極管和光敏三極管的分離難度。本發(fā)明專利技術(shù)提供的直射式非氣密性光耦開封方法，對正確地給出直射式非氣密性光耦的DPA評價或準(zhǔn)確分析出失效原因提供了關(guān)鍵的技術(shù)保障。出失效原因提供了關(guān)鍵的技術(shù)保障。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
一種直射式非氣密性光耦的開封方法


[0001]本專利技術(shù)屬于半導(dǎo)體開封
，特別涉及一種非氣密性三維多芯片封裝存儲器模塊的開封方法。

技術(shù)介紹

[0002]光耦合器也稱為光電隔離器或光電耦合器，簡稱光耦。非氣密性光耦的基本結(jié)構(gòu)是將發(fā)光二極管和光敏三極管封裝在同一外殼內(nèi)，并用透明樹脂(即導(dǎo)光膠)灌封充填作光傳遞介質(zhì)，通常將發(fā)光二極管的管腳作輸入端，光敏三極管的引腳作為輸出端，當(dāng)輸入端加電信號時，發(fā)光二極管發(fā)出的光信號通過透明樹脂光導(dǎo)介質(zhì)投射到光敏三極管后，轉(zhuǎn)換成電信號輸出，實現(xiàn)了以光為媒介的電、光、電信號轉(zhuǎn)換傳輸，因其對輸入和輸出信號具有良好的隔離效果，而廣泛用于各種電路中。目前，非氣密性光耦有兩種比較常見的傳輸結(jié)構(gòu)：反射式平面結(jié)構(gòu)和直射式立體結(jié)構(gòu)。反射式平面結(jié)構(gòu)光耦因其發(fā)光二極管和光敏三極管位于同一平面，因此可以使用激光開封方法進(jìn)行開封。而直射式立體結(jié)構(gòu)光耦因其發(fā)光二極管和光敏三極管位于對立面使其開封難度大大增加。
[0003]中國專利CN105598589A名稱為激光開封方法中公布通過激光燒蝕和酸腐蝕的方法對塑封器件進(jìn)行開封，這種方法只適用于發(fā)光二極管和光敏三極管位于同一平面的反射式平面結(jié)構(gòu)非氣密性光耦，而對于發(fā)光二極管和光敏三極管位于對立面的直射式立體結(jié)構(gòu)非氣密性光耦卻不適用。
[0004]中國專利CN112108481A名稱為一種解剖塑封光耦的方法中公布通過打磨直射式非氣密性光耦，使其露出一側(cè)光耦隔離片，再使用水口鉗對其施加機(jī)械應(yīng)力實現(xiàn)對光耦的解剖。這種方法實際操作難度大：一，光耦器件屬于小型器件，而水口鉗類工具相對較大，不僅不利于對光耦施加應(yīng)力，而且會導(dǎo)致光耦濺飛丟失；二，這種方法只打磨光耦一側(cè)，而光耦另一側(cè)封裝完好，很難通過該方法中施加應(yīng)力的對其進(jìn)行解剖。
[0005]長期以來一般通過傳統(tǒng)酸腐蝕的方法對直射式非氣密性光耦進(jìn)行開封，該方法雖操作簡單效率高，但會破壞光耦的基本框架，同時使鍵合系統(tǒng)及芯片粘接系統(tǒng)受到破壞而只剩下裸芯片，使得破壞性物理分析(簡稱：DPA)中的鍵合強(qiáng)度試驗無法進(jìn)行，而且會引入新的失效因素，增加了失效分析的難度。因此，如何完整地解剖直射式非氣密性光耦，對正確分析其失效原因和準(zhǔn)確地給出DPA評價就顯得及其關(guān)鍵。

技術(shù)實現(xiàn)思路

[0006]本專利技術(shù)的目的在于針對現(xiàn)有直射式非氣密性光耦開封方法無法保證直射式非氣密性光耦完整性的缺點以及先打磨再施加機(jī)械應(yīng)力方法實操難的問題，提供一種直射式非氣密性光耦開封方法，其具有開封成本低，操作簡單，可保持其鍵合系統(tǒng)及芯片粘接系統(tǒng)完整性的優(yōu)點。
[0007]為解決上述技術(shù)問題，本專利技術(shù)采用如下技術(shù)方案：
[0008]一種直射式非氣密性光耦的開封方法，包括如下步驟：
[0009]S1、對直射式非氣密性光耦內(nèi)部發(fā)光二極管和光敏三極管的大小、位置和深度信息進(jìn)行定位，得到發(fā)光二極管和光敏三極管的大小、位置和深度信息；
[0010]S2、對定位后的直射式非氣密性光耦的發(fā)光二極管和光敏三極管引出端分別固定；
[0011]S3、對光耦正面、背面及兩個側(cè)面進(jìn)行局部激光燒蝕直至暴露出隔離片；
[0012]S4、對經(jīng)過激光燒蝕的直射式非氣密性光耦中的發(fā)光二極管和光敏三極管進(jìn)行分離，將粘覆在發(fā)光二極管或光敏三極管上的隔離片揭開，暴露出發(fā)光二極管和光敏三極管；
[0013]S5、對分離后的發(fā)光二極管和光敏三極管進(jìn)行化學(xué)腐蝕去除發(fā)光二極管和光敏三極管上的導(dǎo)電膠；
[0014]S6、對經(jīng)過化學(xué)腐蝕的發(fā)光二極管和光敏三極管芯片進(jìn)行超聲清洗，完成開封。
[0015]優(yōu)選的，步驟S1中使用X射線檢測儀對直射式非氣密性光耦內(nèi)部發(fā)光二極管和光敏三極管的大小、位置和深度信息進(jìn)行定位。
[0016]優(yōu)選的，步驟S2中選用焊料焊接法對定位后的直射式非氣密性光耦的發(fā)光二極管和光敏三極管引出端分別固定。
[0017]優(yōu)選的，步驟S3中使用激光開封機(jī)對光耦正面、背面及兩個側(cè)面進(jìn)行局部激光燒蝕直至暴露出隔離片。
[0018]優(yōu)選的，步驟S3中所述的激光燒蝕，激光發(fā)射速度選用50
?
1000mm/s，功率選用30
?
80％。
[0019]優(yōu)選的，步驟S3中所述的激光燒蝕，激光發(fā)射速度選用50mm/s，激光發(fā)射功率選用80％。
[0020]優(yōu)選的，步驟S3中所述的激光燒蝕，激光發(fā)射速度選用1000mm/s，激光發(fā)射功率選用30％。
[0021]優(yōu)選的，步驟S3中所述的激光燒蝕，光耦正面和背面選用對稱激光開封法對隔離片無基板遮擋處進(jìn)行激光開封。
[0022]優(yōu)選的，步驟S5中選用常溫的濃硫酸對分離后的發(fā)光二極管和光敏三極管進(jìn)行化學(xué)腐蝕去除發(fā)光二極管和光敏三極管上的導(dǎo)電膠。
[0023]優(yōu)選的，步驟S6中將其置于丙酮或酒精中對經(jīng)過化學(xué)腐蝕的發(fā)光二極管和光敏三極管芯片進(jìn)行超聲清洗，完成開封。
[0024]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)具有以下有益效果為：
[0025]本專利技術(shù)一種直射式非氣密性光耦的開封方法，通過對直射式非氣密性光耦內(nèi)部發(fā)光二極管和光敏三極管的大小、位置和深度信息進(jìn)行定位；接著對定位后的直射式非氣密性光耦的發(fā)光二極管和光敏三極管引出端分別固定在一起以防后續(xù)光耦塑封框架局部被去除后，發(fā)光二極管和光敏三極管部分結(jié)構(gòu)脫落丟失；接著對光耦進(jìn)行激光燒蝕，分離，化學(xué)燒蝕完成開封，本專利技術(shù)提供的直射式非氣密性光耦開封方法具有開封成本低，操作簡單，可保持其鍵合系統(tǒng)及芯片粘接系統(tǒng)完整性，對正確地給出直射式非氣密性光耦的DPA評價或準(zhǔn)確分析出失效原因提供了關(guān)鍵的技術(shù)保障。
附圖說明
[0026]圖1為本專利技術(shù)實施例中一種直射式非氣密性光耦的開封方法流程示意圖；
[0027]圖2為本專利技術(shù)實施例中一種直射式非氣密性光耦的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖3為本專利技術(shù)實施例中一種直射式非氣密性光耦的對稱激光開封示意圖；
[0029]其中，1為光耦隔離片，2為發(fā)光二極管，3為光敏三極管。
具體實施方式
[0030]為使本專利技術(shù)的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合具體實施例，并參照附圖，對本專利技術(shù)進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0031]參照附圖，本專利技術(shù)提供的一種直射式非氣密性光耦開封方法，包括如下步驟：
[0032]S1、對直射式非氣密性光耦內(nèi)部發(fā)光二極管和光敏三極管的大小、位置和深度信息進(jìn)行定位，得到發(fā)光二極管和光敏三極管的大小、位置和深度信息；具體地，使用X射線檢測儀對直射式非氣密性光耦內(nèi)部發(fā)光二極管和光敏三極管的大小、位置和深度信息進(jìn)行定位，得到發(fā)光二極管和光敏三極管的大小、位置和深度信息；
[0033]S2、對定位后的直射式非氣密性光耦的發(fā)光二極管和光敏三極管引出端分別固定，具體地對定位后的直射式非氣密性光耦的發(fā)光二極管和光敏三極管引出端選用焊料焊接法分別固定在一起；
[0034]S3、對光耦正面、背面及兩個側(cè)面進(jìn)行局部激光燒蝕直至暴露出隔離片，使用激光開封機(jī)對直射式非氣密性光耦本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點】

【技術(shù)特征摘要】
1.一種直射式非氣密性光耦的開封方法，其特征在于，包括如下步驟：S1、對直射式非氣密性光耦內(nèi)部發(fā)光二極管和光敏三極管的大小、位置和深度信息進(jìn)行定位，得到發(fā)光二極管和光敏三極管的大小、位置和深度信息；S2、對定位后的直射式非氣密性光耦的發(fā)光二極管和光敏三極管引出端分別固定；S3、對光耦正面、背面及兩個側(cè)面進(jìn)行局部激光燒蝕直至暴露出隔離片；S4、對經(jīng)過激光燒蝕的直射式非氣密性光耦中的發(fā)光二極管和光敏三極管進(jìn)行分離，將粘覆在發(fā)光二極管或光敏三極管上的隔離片揭開，暴露出發(fā)光二極管和光敏三極管；S5、對分離后的發(fā)光二極管和光敏三極管進(jìn)行化學(xué)腐蝕去除發(fā)光二極管和光敏三極管上的導(dǎo)電膠；S6、對經(jīng)過化學(xué)腐蝕的發(fā)光二極管和光敏三極管芯片進(jìn)行超聲清洗，完成開封。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種直射式非氣密性光耦的開封方法，其特征在于，步驟S1中使用X射線檢測儀對直射式非氣密性光耦內(nèi)部發(fā)光二極管和光敏三極管的大小、位置和深度信息進(jìn)行定位。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種直射式非氣密性光耦的開封方法，其特征在于，步驟S2中選用焊料焊接法對定位后的直射式非氣密性光耦的發(fā)光二極管和光敏三極管引出端分別固定。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種直射式非氣密性光耦的開封方法，其特征在于，步驟S3中使用激光開封機(jī)對光耦正面、背面及兩個側(cè)...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王燕麗，胡圣，陳立剛，
申請(專利權(quán))人：西安太乙電子有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：