一種高利用率的磁控濺射靶材制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)涉及一種高利用率的磁控濺射靶材，屬于真空濺射鍍膜技術(shù)領(lǐng)域。該高利用率的磁控濺射靶材，包括靶材固定臺(tái)和靶材凸起，所述靶材固定臺(tái)的整體呈長(zhǎng)方體形狀，所述靶材固定臺(tái)的長(zhǎng)為100

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種高利用率的磁控濺射靶材


[0001]本技術(shù)涉及一種高利用率的磁控濺射靶材，屬于真空濺射鍍膜


技術(shù)介紹

[0002]濺射鍍膜技術(shù)，特別是磁控濺射鍍膜技術(shù)，可以在多種基材上沉積膜層材料，以達(dá)到基材表面改性的目的，提高基材的耐腐蝕性能、硬度、導(dǎo)電性等性能；因此，在半導(dǎo)體、光學(xué)、3C以及新型電子材料功能薄膜的制備上起到非常重要的作用。
[0003]目前磁控濺射靶材大部分使用的是金屬材料，其中，半導(dǎo)體和新型電子材料膜層對(duì)靶材的純度要求很高，并且有些需要鍍貴金屬膜層，這就導(dǎo)致靶材材料成本較高。平面陰極由于其本身的缺陷，導(dǎo)致在濺射過(guò)程，放電濺射的區(qū)域較窄，常規(guī)形式的矩形靶材的利用率較低，一般只有20%
?
30%，這就導(dǎo)致靶材材料消耗大，成本上升；如果靶材材料為貴金屬靶材，膜層的鍍膜成本更加高。
[0004]為了降低靶材材料的使用成本，在不改變陰極的條件下，可以通過(guò)靶材的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，提高靶材利用率，降低成本和提高生產(chǎn)效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

[0005]為了克服
技術(shù)介紹
中存在的缺陷，本技術(shù)解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：一種高利用率的磁控濺射靶材，包括靶材固定臺(tái)和靶材凸起，所述靶材固定臺(tái)的整體呈長(zhǎng)方體形狀，所述靶材固定臺(tái)的長(zhǎng)為100
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3000毫米，所述靶材固定臺(tái)的寬為50
?
200毫米，所述靶材固定臺(tái)的高為5
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30毫米，所述靶材固定臺(tái)的同一側(cè)面設(shè)有靶材凸起，所述靶材凸起整體成“回”字形，所述靶材固定臺(tái)和靶材凸起一體成型，所述靶材凸起的中部設(shè)有間隔槽，所述靶材固定臺(tái)和靶材凸起由金屬材料制備而成，所述間隔槽的寬度為5
?
15毫米。
[0006]優(yōu)選的所述靶材固定臺(tái)的長(zhǎng)為500毫米，所述靶材固定臺(tái)的寬為106毫米，所述靶材固定臺(tái)的高為5毫米。
[0007]優(yōu)選的所述靶材凸起的高度為2
?
10毫米。
[0008]優(yōu)選的所述靶材凸起的橫截面呈矩形或圓弧形。
[0009]優(yōu)選的所述靶材固定臺(tái)和靶材凸起由鉻、鎳、鈦、鈮、金、銠、鈀、鉭、鎢、鋯中的一種或多種制備而成。
[0010]優(yōu)選的所述間隔槽的寬度為10毫米。
[0011]本技術(shù)設(shè)計(jì)了一種高利用率的磁控濺射靶材，該高利用率的磁控濺射靶材的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)科學(xué)合理，可制備出不同規(guī)格尺寸的磁控濺射靶材，能最大程度上使用磁控濺射靶材。總之，該高利用率的磁控濺射靶材結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理，提高了磁控濺射靶材的利用率，與傳統(tǒng)磁控濺射靶材相比，利用率提高了一倍以上，使得靶材材料成本明顯降低，適合推廣使用。
附圖說(shuō)明
[0012]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本技術(shù)進(jìn)一步說(shuō)明。
[0013]圖1為傳統(tǒng)磁控濺射靶材示意圖；
[0014]圖2 為傳統(tǒng)磁控濺射靶材使用后示意圖；
[0015]圖3是本技術(shù)一種高利用率的磁控濺射靶材的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]其中:1、靶材固定臺(tái)；2、靶材凸起；3、間隔槽。
具體實(shí)施方式
[0017]現(xiàn)在結(jié)合附圖對(duì)本技術(shù)作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。附圖為簡(jiǎn)化的示意圖，僅以示意方式說(shuō)明本技術(shù)的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本技術(shù)有關(guān)的構(gòu)成。
[0018]本技術(shù)提供一種高利用率磁控濺射靶材，相比于傳統(tǒng)平面陰極靶材，如圖1所示，使用后靶材截面為較窄的兩個(gè)刻蝕軌道，如圖2所示，導(dǎo)致了靶材的利用率低下；本專利指出的高利用率靶材結(jié)構(gòu)，如圖3所示，結(jié)合平面陰極的濺射規(guī)律，通過(guò)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，能夠提高靶材利用率最多達(dá)到60%，顯著的提高靶材的利用率。
[0019]具體實(shí)施例一，請(qǐng)參閱圖3，一種高利用率的磁控濺射靶材，包括靶材固定臺(tái)1和靶材凸起2，所述靶材固定臺(tái)1的整體呈長(zhǎng)方體形狀，所述靶材固定臺(tái)1的同一側(cè)面設(shè)有靶材凸起2，所述靶材凸起2整體成“回”字形，所述靶材固定臺(tái)1和靶材凸起2一體成型，所述靶材凸起2的中部設(shè)有間隔槽3，所述靶材固定臺(tái)1和靶材凸起2由金屬材料制備而成，所述靶材固定臺(tái)1的長(zhǎng)為500毫米，所述靶材固定臺(tái)1的寬為106毫米，所述靶材固定臺(tái)1的高為5毫米，所述靶材凸起2的高度為2
?
10毫米，所述靶材凸起2的橫截面呈矩形或圓弧形，所述靶材固定臺(tái)1和靶材凸起2由鎳制備而成，所述間隔槽3的寬度為10毫米。
[0020]本技術(shù)設(shè)計(jì)了一種高利用率的磁控濺射靶材，該高利用率的磁控濺射靶材的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)科學(xué)合理，可制備出不同規(guī)格尺寸的磁控濺射靶材，能最大程度上使用磁控濺射靶材。總之，該高利用率的磁控濺射靶材結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理，提高了磁控濺射靶材的利用率，與傳統(tǒng)磁控濺射靶材相比，利用率提高了一倍以上，使得靶材材料成本明顯降低，適合推廣使用。
[0021]顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說(shuō)明所作的舉例，而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在上述說(shuō)明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無(wú)需也無(wú)法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見(jiàn)的變化或變動(dòng)仍處于本技術(shù)創(chuàng)造的保護(hù)范圍之中。
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【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

【技術(shù)特征摘要】
1.一種高利用率的磁控濺射靶材，包括靶材固定臺(tái)（1）和靶材凸起（2），其特征在于：所述靶材固定臺(tái)（1）的整體呈長(zhǎng)方體形狀，所述靶材固定臺(tái)（1）的長(zhǎng)為100
?
3000毫米，所述靶材固定臺(tái)（1）的寬為50
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200毫米，所述靶材固定臺(tái)（1）的高為5
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30毫米，所述靶材固定臺(tái)（1）的同一側(cè)面設(shè)有靶材凸起（2），所述靶材凸起（2）整體成“回”字形，所述靶材固定臺(tái)（1）和靶材凸起（2）一體成型，所述靶材凸起（2）的中部設(shè)有間隔槽（3），所述靶材固定臺(tái)（1）和靶材凸起（2）由金屬材料制備而成，所述間...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：龔文博，畢飛飛，劉通海，姜天豪，胡鵬，藍(lán)樹(shù)愧，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：蘇州治臻新能源裝備有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：