本實用新型專利技術公開了一種半導體晶圓電鍍槽噴流裝置，包括噴嘴和噴淋板；噴淋板內設置有用于水流經過的主道和與主道連通的支道；所述噴淋板表面設置若干與支道連通的噴嘴安裝孔；噴淋板背面設置有與主道連通的供水口；噴嘴包括噴嘴座和噴嘴頭；噴嘴座包括帶有外螺紋的管道和設置于管道前端的連接座；連接座內設置有腔體；管道與腔體連通；噴嘴頭可拆卸地安裝于腔體內；噴嘴頭的前端設置噴孔；噴嘴頭與噴嘴安裝孔螺接。本實用新型專利技術的噴嘴方便清理。本實用新型專利技術的噴嘴方便清理。本實用新型專利技術的噴嘴方便清理。
【技術實現步驟摘要】
一種半導體晶圓電鍍槽噴流裝置
[0001]本技術涉及電鍍設備
，具體涉及一種半導體晶圓電鍍槽噴流裝置。
技術介紹
[0002]晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，其原始材料是硅，且由于其形狀為圓形，故稱為晶圓或硅晶圓。在生產過程中，需要對晶圓進行電鍍工序，即在晶圓上電鍍一層導電金屬，后續還將對導電金屬層進行加工以制成導電線路。晶圓作為芯片的基本材料，其對于電鍍鍍層的要求是極高的，故而工藝的要求也較高。晶圓電鍍時必須保證鍍層的均勻性，方能保證晶圓的質量。
[0003]對晶圓直接進行電鍍工藝之前首先需要對晶圓進行噴淋，現有技術的噴淋裝置噴淋時噴嘴堵塞后的噴嘴很難清理修復，常常導致噴嘴報廢。
技術實現思路
[0004]本技術要解決的技術問題是提供一種半導體晶圓電鍍槽噴流裝置，噴嘴方便清理。
[0005]為解決上述技術問題，本技術采取如下技術方案：一種半導體晶圓電鍍槽噴流裝置，包括噴嘴和噴淋板；所述的噴淋板內設置有用于水流經過的主道和與主道連通的支道；所述噴淋板表面設置若干與支道連通的噴嘴安裝孔；噴淋板背面設置有與主道連通的供水口；
[0006]所述的噴嘴包括噴嘴座和噴嘴頭；所述的噴嘴座包括帶有外螺紋的管道和設置于管道前端的連接座；所述連接座內設置有腔體；所述管道與腔體連通；所述的噴嘴頭可拆卸地安裝于腔體內；所述的噴嘴頭的前端設置噴孔；所述噴嘴頭與噴嘴安裝孔螺接。
[0007]進一步地，所述腔體的兩側設置有通孔。
[0008]進一步地，所述噴嘴頭的外側設置有定位槽；所述腔體內壁設置有與定位槽匹配的定位凸塊，所述噴嘴頭后端兩側設置有卡凸；所述腔體內壁設置有卡槽。
[0009]進一步地，所述的噴淋板設置兩塊，位于工件的兩側，每塊噴淋板的供水口連接Y型接頭；所述Y型接頭連接供水管和負壓管；所述的供水管通過高壓泵體連接供液罐；所述的負壓管與負壓發生器連接；供水管和負壓管均設置開關閥。
[0010]進一步地，所述的負壓管上還連接液體回收罐。
[0011]進一步地，所述的噴淋板的頂部通過螺栓與橫移桿固定連接；所述橫移桿與搖擺組件連接，有搖擺組件控制其往復橫移。
[0012]本技術的有益效果為：
[0013]1）本技術通過噴嘴結構的設置，噴嘴噴出的水霧輻射的范圍更大，使作用于晶圓表面的水霧更加均勻。
[0014]2）本技術的噴嘴為分體式結構，且與噴淋板可拆卸連接，降低加工難度，便于后續清理。
[0015]3）本技術設置負壓管和負壓發生器，一側噴淋一側負壓吸氣，提高噴淋均勻性。
附圖說明
[0016]下面結合附圖和實施例對本技術作進一步說明。
[0017]圖1為本技術的結構示意圖。
[0018]圖2為噴嘴示意圖。
[0019]圖3為實施例3的示意圖。
具體實施方式
[0020]下面將通過具體實施方式對本技術的技術方案進行清楚、完整地描述。
實施例
[0021]參考圖1和圖2，為本技術的一種半導體晶圓電鍍槽噴流裝置，包括噴嘴1和噴淋板2；所述的噴淋板2內設置有用于水流經過的主道3和與主道3連通的支道4；所述噴淋板2表面設置若干與支道4連通的噴嘴安裝孔；噴淋板2背面設置有與主道3連通的供水口5；
[0022]噴嘴1包括噴嘴座11和噴嘴頭12；噴嘴座11包括帶有外螺紋的管道111和設置于管道前端的連接座112；所述連接座112內設置有腔體113；所述管道111與腔體113連通；所述的噴嘴頭12可拆卸地安裝于腔體113內；所述的噴嘴頭12的前端設置噴孔121；所述噴嘴頭12的與噴嘴安裝孔螺接。
[0023]本實施例中噴嘴1為分體式結構，噴嘴座11通過螺紋與噴嘴安裝孔螺接，使得噴嘴整體可以拆卸。噴嘴頭12的外側設置有定位槽；所述腔體113內壁設置有與定位槽匹配的定位凸塊，所述噴嘴頭12后端兩側設置有卡凸；腔體113內壁設置有卡槽，噴嘴頭12通過定位槽和定位凸塊，插入噴嘴座11后，卡凸與卡槽配合卡接，需要清理時，可以直接拔出噴嘴頭12，清理，也可以拆卸噴嘴座11，整體清理或者更換。
[0024]優選地，噴淋板2的頂部通過螺栓與橫移桿10固定連接；所述橫移桿10與搖擺組件連接，由搖擺組件控制其往復橫移。
[0025]本實施例的噴淋板2通過搖擺組件控制器左右移動，提高噴淋的均勻性。
實施例
[0026]腔體113的兩側設置有通孔114，通孔114傾斜設置，擴大了噴嘴的輻射范圍。
[0027]此外，本實施例中的噴嘴設置通孔114，噴淋板浸沒在電鍍槽中，通過通孔噴出的液體使得電鍍槽中液體上涌，可消除化學藥劑內的氣泡。
實施例
[0028]如圖3所示，本實施例中，噴淋板2設置兩塊，位于工件的兩側，每塊噴淋板2的供水口5連接Y型接頭6；所述Y型接頭6連接供水管7和負壓管8；所述的供水管7通過高壓泵體連接供液罐（圖中未畫出）；所述的負壓管8與負壓發生器（圖中未畫出）連接；供水管7和負壓管8均設置開關閥。
[0029]優選的，負壓管8上還連接液體回收罐9。
[0030]本實施例的兩塊噴淋板2均連接供水管7和負壓管8，一側噴淋板噴淋時，另一側負壓吸氣，通過負壓吸氣引導高壓射流走向，流動更加順暢，噴淋更加均勻。
[0031]以上所述，僅是本技術的較佳實施例而已，不用于限制本技術，本領域技術人員可以在本技術的實質和保護范圍內，對本技術做出各種修改或等同替換，這種修改或等同替換也應視為落在本技術技術方案的保護范圍內。
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【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種半導體晶圓電鍍槽噴流裝置，其特征在于：包括噴嘴（1）和噴淋板（2）；所述的噴淋板（2）內設置有用于水流經過的主道（3）和與主道（3）連通的支道（4）；所述噴淋板（2）表面設置若干與支道（4）連通的噴嘴安裝孔；噴淋板（2）背面設置有與主道（3）連通的供水口（5）；所述的噴嘴（1）包括噴嘴座（11）和噴嘴頭（12）；所述的噴嘴座（11）包括帶有外螺紋的管道（111）和設置于管道前端的連接座（112）；所述連接座（112）內設置有腔體（113）；所述管道（111）與腔體（113）連通；所述的噴嘴頭（12）可拆卸地安裝于腔體（113）內；所述的噴嘴頭（12）的前端設置噴孔（121）；所述噴嘴頭（12）與噴嘴安裝孔螺接。2.根據權利要求1所述的一種半導體晶圓電鍍槽噴流裝置，其特征在于：所述腔體（113）的兩側設置有通孔（114）。3.根據權利要求1所述的一種半導體晶圓電鍍槽噴流裝置，其特征在...
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉杰，田香軍，
申請(專利權)人：晶微電子材料北京有限公司，
類型：新型
國別省市：
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