本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種針對(duì)PECVD Upper Electrode整形的處理方法，主要依靠特殊結(jié)構(gòu)的煅燒設(shè)備，在煅燒設(shè)備底部設(shè)置墊片對(duì)PECVD Upper Electrode進(jìn)行支撐，并在PECVD Upper Electrode上陣列方式排布配重，在升溫前期3個(gè)小時(shí)，每小時(shí)升溫30～40℃，隨后每個(gè)小時(shí)升溫80～120℃直至795℃保溫4小時(shí)，保溫結(jié)束后反向降溫至200℃以內(nèi)，到達(dá)200℃后開啟艙門進(jìn)行散熱；本發(fā)明專利技術(shù)通過高溫煅燒的過程中所述配重對(duì)PECVD Upper Electrode的施壓，使其不規(guī)則的地方會(huì)與墊片貼合，在平整度高墊片幫助下讓形變后PECVD Upper Electrode會(huì)再度恢復(fù)平整，配合程序升溫讓PECVD Upper Electrode形變的狀態(tài)被逐步進(jìn)行修正。狀態(tài)被逐步進(jìn)行修正。狀態(tài)被逐步進(jìn)行修正。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種針對(duì)PECVD Upper Electrode整形的處理方法
[0001]本專利技術(shù)涉及一種PECVD Upper Electrode處理技術(shù)，特別是一種針對(duì)PECVD Upper Electrode整形的處理方法。
技術(shù)介紹
[0002]等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積是在一個(gè)反應(yīng)室內(nèi)將基體材料置于陰極上，通入反應(yīng)氣體至較低氣壓(1～600Pa)，基體保持一定溫度，以某種方式產(chǎn)生輝光放電，基體表面附近氣體電離，反應(yīng)氣體得到活化，同時(shí)基體表面產(chǎn)生陰極濺射，從而提高了表面活性。PECVD Upper Electrode是等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)中的核心部件，在進(jìn)行輝光放電時(shí)產(chǎn)生化學(xué)變化會(huì)造成PECVD Upper Electrode發(fā)生一定形變，形變后的PECVD Upper Electrode勢(shì)必會(huì)造成等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積效果減退，影響基體的沉積效果，而目前缺少對(duì)PECVD Upper Electrode形變進(jìn)行修復(fù)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
[0003]本專利技術(shù)的目的是提供一種針對(duì)PECVD Upper Electrode整形的處理方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)問題，它能夠讓PECVD Upper Electrode形變的狀態(tài)被逐步進(jìn)行修正。
[0004]本專利技術(shù)提供了一種針對(duì)PECVD Upper Electrode整形的處理方法，包括以下步驟：
[0005]步驟一、在煅燒設(shè)備底部布置相應(yīng)形狀的墊片并將待處理的PECVD Upper Electrode放置在薄片上；
[0006]步驟二、向PECVD Upper Electrode上安放相應(yīng)的配重；
[0007]步驟三、關(guān)閉煅燒設(shè)備的艙門進(jìn)行升溫，在升溫前期3個(gè)小時(shí)，每小時(shí)升溫30～40℃；
[0008]步驟四、在前三個(gè)小時(shí)升溫結(jié)束后，按照每小時(shí)升80～120℃進(jìn)行程序升溫，在溫度到達(dá)795℃時(shí)，保溫4小時(shí)；
[0009]步驟五、保溫結(jié)束后反向降溫至200℃以內(nèi)，到達(dá)200℃后開啟艙門進(jìn)行散熱；
[0010]步驟六、散熱至環(huán)境溫度后，將PECVD Upper Electrode取出進(jìn)行平整度測(cè)試。
[0011]優(yōu)選的是，所述煅燒設(shè)備包括；底座和鉸接于底座頂部的上蓋板，當(dāng)所述上蓋板壓合底座上，所述底座和上蓋板之間形成密閉獨(dú)立空間。
[0012]優(yōu)選的是，所述配重采用長方形結(jié)構(gòu)的耐火磚制成，所述配重按照排列均勻攤覆于PECVD Upper Electrode的上端面。
[0013]優(yōu)選的是，所述步驟三中在升溫前期3個(gè)小時(shí)每小時(shí)升溫35℃。
[0014]優(yōu)選的是，所述步驟四中在前三小時(shí)升溫結(jié)束，按照每小時(shí)提升90～110℃進(jìn)行程序升溫。
[0015]優(yōu)選的是，所述步驟四中在前三小時(shí)升溫結(jié)束，按照每小時(shí)提升100℃進(jìn)行程序升溫，所述步驟四按照每小時(shí)提升100℃方式進(jìn)行程序升溫；經(jīng)過測(cè)試100℃方式可以在升溫速率和熱應(yīng)力釋放中間找到平衡，既可以保證升溫速率還能降低熱應(yīng)力的影響；
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)在PECVD Upper Electrode上陣列方式排布配重，讓PECVD Upper Electrode承受到相同的壓力，在高溫煅燒的過程中，所述配重施壓PECVD Upper Electrode使其不規(guī)則的地方會(huì)與墊片貼合，平整度高墊片幫助下讓形變后PECVD Upper Electrode會(huì)再度恢復(fù)平整，通過程序升溫讓PECVD Upper Electrode形變的狀態(tài)被配重逐步進(jìn)行修正。
附圖說明
[0017]圖1是本專利技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2是本專利技術(shù)配重和墊片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]附圖標(biāo)記說明：110、外防水板；120、內(nèi)防水板；200、配重；300、墊片。
具體實(shí)施方式
[0020]下面將結(jié)合附圖對(duì)本申請(qǐng)技術(shù)方案的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的描述。以下實(shí)施例僅用于更加清楚地說明本申請(qǐng)的技術(shù)方案，因此只作為示例，而不能以此來限制本申請(qǐng)的保護(hù)范圍。
[0021]除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于本申請(qǐng)的
的技術(shù)人員通常理解的含義相同；本文中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實(shí)施例的目的，不是旨在于限制本申請(qǐng)；本申請(qǐng)的說明書和權(quán)利要求書及上述附圖說明中的術(shù)語“包括”和“具有”以及它們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含。
[0022]在本申請(qǐng)實(shí)施例的描述中，技術(shù)術(shù)語“第一”“第二”等僅用于區(qū)別不同對(duì)象，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量、特定順序或主次關(guān)系。在本申請(qǐng)實(shí)施例的描述中，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)以上，除非另有明確具體的限定。
[0023]在本文中提及“實(shí)施例”意味著，結(jié)合實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性可以包含在本申請(qǐng)的至少一個(gè)實(shí)施例中。在說明書中的各個(gè)位置出現(xiàn)該短語并不一定均是指相同的實(shí)施例，也不是與其它實(shí)施例互斥的獨(dú)立的或備選的實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員顯式地和隱式地理解的是，本文所描述的實(shí)施例可以與其它實(shí)施例相結(jié)合。
[0024]在本申請(qǐng)實(shí)施例的描述中，術(shù)語“和/或”僅僅是一種描述關(guān)聯(lián)對(duì)象的關(guān)聯(lián)關(guān)系，表示可以存在三種關(guān)系，例如A和/或B，可以表示：?jiǎn)为?dú)存在A，同時(shí)存在A和B，單獨(dú)存在B這三種情況。另外，本文中字符“/”，一般表示前后關(guān)聯(lián)對(duì)象是一種“或”的關(guān)系。
[0025]在本申請(qǐng)實(shí)施例的描述中，術(shù)語“多個(gè)”指的是兩個(gè)以上(包括兩個(gè))，同理，“多組”指的是兩組以上(包括兩組)，“多片”指的是兩片以上(包括兩片)。
[0026]在本申請(qǐng)實(shí)施例的描述中，技術(shù)術(shù)語“中心”“縱向”“橫向”“長度”“寬度”“厚度”“上”“下”“前”“后”“左”“右”“豎直”“水平”“頂”“底”“內(nèi)”“外”“順時(shí)針”“逆時(shí)針”“軸向”“徑向”“周向”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本申請(qǐng)實(shí)施例和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例的限制。
[0027]在本申請(qǐng)實(shí)施例的描述中，除非另有明確的規(guī)定和限定，技術(shù)術(shù)語“安裝”“相連”“連接”“固定”等術(shù)語應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；也可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，
可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通或兩個(gè)元件的相互作用關(guān)系。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本申請(qǐng)實(shí)施例中的具體含義。
[0028]如圖1
?
圖2所示，本專利技術(shù)的實(shí)施例提供了針對(duì)PECVD Upper Electrode整形的處理方法，包括以下步驟：
[0029]步驟一、在煅燒設(shè)備底部布置相應(yīng)形狀的墊片并將待處理的PECVD Upper Electrode放置在薄片上；
[0030]步驟二、向PECVD Upper Electrode上安放相應(yīng)的配重；
[0031]步驟三、關(guān)閉煅本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
【技術(shù)特征摘要】
1.一種針對(duì)PECVD Upper Electrode整形的處理方法，其特征在于，包括以下步驟：步驟一、在煅燒設(shè)備底部布置相應(yīng)形狀的墊片并將待處理的PECVD Upper Electrode放置在薄片上；步驟二、向PECVD Upper Electrode上安放若干配重；步驟三、關(guān)閉煅燒設(shè)備的艙門進(jìn)行升溫，在升溫前期3個(gè)小時(shí)，每小時(shí)升溫30～40℃；步驟四、在前三個(gè)小時(shí)升溫結(jié)束后，按照每小時(shí)升80～120℃進(jìn)行程序升溫，在溫度到達(dá)795℃時(shí)，保溫4小時(shí)；步驟五、保溫結(jié)束后反向降溫至200℃以內(nèi)，到達(dá)200℃后開啟艙門進(jìn)行散熱；步驟六、散熱至環(huán)境溫度后，將PECVD Upper Electrode取出進(jìn)行平整度測(cè)試。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種針對(duì)PECVD Upper Electrode整形的處理方法，其特征在于，所述煅燒設(shè)備包括；底座和鉸接于底座頂部的上蓋板，當(dāng)所述上蓋板...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：于輝，熊志紅，朱峰，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：湖北仕上電子科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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