采用具有多模制層的模制部的像素模塊及顯示裝置制造方法及圖紙

根據(jù)本公開的像素模塊包括：電路基板；單元像素，整齊排列在所述電路基板上；以及模制部，覆蓋所述單元像素

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】采用具有多模制層的模制部的像素模塊及顯示裝置


[0001]示例性的實施例涉及一種顯示裝置，尤其涉及一種采用具有多成型層的成型部的像素模塊及具有該像素模塊的顯示裝置
。

技術(shù)介紹

[0002]發(fā)光元件是利用作為無機(jī)光源的發(fā)光二極管的半導(dǎo)體元件，正廣泛應(yīng)用于諸如顯示裝置
、
車輛用燈具
、
一般照明之類的多種領(lǐng)域
。
發(fā)光二極管具有壽命長
、
耗電低
、
響應(yīng)速度快的優(yōu)點，因此正迅速代替現(xiàn)有光源
。
[0003]另外，現(xiàn)有的發(fā)光二極管在顯示裝置中主要用作背光光源，最近正在開發(fā)利用發(fā)光二極管來直接實現(xiàn)圖像的顯示裝置
。
這種顯示器也被稱為微型
LED
顯示器
。
[0004]顯示裝置通常利用藍(lán)色
、
綠色及紅色的混合色來實現(xiàn)多樣的顏色
。
顯示裝置包括多個像素以實現(xiàn)多樣的圖像，各個像素配備有藍(lán)色子像素
、
綠色子像素及紅色子像素
。
通過這些子像素的顏色來確定特定像素的顏色，并且借由這些像素的組合來實現(xiàn)圖像
。
[0005]在微型
LED
顯示器的情況下，微型
LED
與各個子像素對應(yīng)地排列在二維平面上，據(jù)此，需要在一個基板上布置大量的微型
LED。
然而，微型
LED
的尺寸非常小，例如
200um
以下，進(jìn)而r/>100um
以下，因這種較小尺寸而發(fā)生多樣的問題
。
尤其，難以處理較小尺寸的發(fā)光二極管，因此不容易在顯示器用面板上直接貼裝發(fā)光二極管
。
[0006]另外，相鄰的子像素之間的光干涉使得難以實現(xiàn)高顏色再現(xiàn)性及高對比度
。
此外，要求減小由指向角引起的色偏差
。

技術(shù)實現(xiàn)思路

[0007]示例性的實施例提供一種能夠減小由指向角引起的色偏差的像素模塊及顯示裝置
。
[0008]示例性的實施例提供一種能夠防止光干涉而實現(xiàn)高顏色再現(xiàn)性的像素模塊及顯示裝置
。
[0009]根據(jù)本公開的一個以上的實施例的一種像素模塊包括：電路基板；單元像素，整齊排列在所述電路基板上；以及模制部，覆蓋所述單元像素
。
所述模制部包括光擴(kuò)散層及覆蓋所述光擴(kuò)散層的黑色模制層
。
根據(jù)本公開的一個以上的實施例的一種顯示裝置包括：面板基板；以及多個像素模塊，布置于所述面板基板上
。
所述像素模塊中的每一個包括：電路基板；單元像素，整齊排列在所述電路基板上；模制部，覆蓋所述單元像素
。
所述模制部包括光擴(kuò)散層及覆蓋所述光擴(kuò)散層的黑色模制層
。
附圖說明
[0010]圖1是用于說明根據(jù)一實施例的顯示裝置的示意性的平面圖
。
[0011]圖2是用于說明根據(jù)一實施例的像素模塊的示意性的平面圖
。
[0012]圖
3A
是用于說明根據(jù)一實施例的發(fā)光元件的示意性的平面圖
。
[0013]圖
3B
是沿圖
3A
的剖切線
A
?
A'
剖切的示意性的剖面圖
。
[0014]圖
4A
是用于說明根據(jù)一實施例的單元像素的示意性的平面圖
。
[0015]圖
4B
是沿圖
4A
的剖切線
B
?
B'
剖切的示意性的剖面圖
。
[0016]圖
4C
是沿圖
4A
的剖切線
C
?
C'
剖切的示意性的剖面圖
。
[0017]圖
5A
是為了說明根據(jù)一實施例的像素模塊而沿圖2的剖切線
D
?
D'
剖切的示意性的局部剖面圖
。
[0018]圖
5B
是為了說明根據(jù)一實施例的像素模塊而沿圖2的剖切線
E
?
E'
剖切的示意性的局部剖面圖
。
[0019]圖
6A
及圖
6B
是為了說明根據(jù)又一實施例的像素模塊而沿圖2的剖切線
D
?
D'
及
E
?
E'
剖切的示意性的局部剖面圖
。
[0020]圖
7A
是用于說明根據(jù)又一實施例的單元像素的示意性的剖面圖
。
[0021]圖
7B
是用于說明根據(jù)又一實施例的單元像素的示意性的平面圖
。
[0022]圖8是用于說明根據(jù)一實施例的像素模塊的示意性的局部剖面圖
。
[0023]圖9是用于說明根據(jù)又一實施例的像素模塊的示意性的局部剖面圖
。
[0024]圖
10A、
圖
10B
以及圖
10C
是用于說明根據(jù)一實施例的制造像素模塊的方法的示意性的剖面圖
。
[0025]圖
11A、
圖
11B、
圖
11C、
圖
11D
及圖
11E
是示出根據(jù)多樣的模制部結(jié)構(gòu)的像素模塊的歸一化
(normalized)
光分布的圖
。
具體實施方式
[0026]以下，參照附圖詳細(xì)說明本公開的實施例
。
以下介紹的實施例是為了將本公開的思想充分傳遞給本公開所屬
的普通技術(shù)人員而作為示例提供的
。
因此，本公開并不限于以下說明的實施例，其也可以具體化為其他形態(tài)
。
并且，在附圖中，為了方便起見，構(gòu)成要素的寬度
、
長度
、
厚度等可能被夸大表示
。
并且，在記載為一個構(gòu)成要素位于另一構(gòu)成要素的“上部”或“之上”的情況下，不僅包括各個部分位于另一部分的“緊鄰的上部”或“之上”的情況，還包括在各個結(jié)構(gòu)要素與另一結(jié)構(gòu)要素之間夾設(shè)有其他構(gòu)成要素的情況
。
在整個說明書中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的構(gòu)成要素
。
[0027]根據(jù)本公開的一個以上的實施例的像素模塊包括：電路基板；單元像素，整齊排列在所述電路基板上；以及模制部，覆蓋所述單元像素
。
所述模制部包括光擴(kuò)散層及覆蓋所述光擴(kuò)散層的黑色模制層
。
[0028]所述光擴(kuò)散層可以包括透明基質(zhì)以及包括在所述透明基質(zhì)內(nèi)的二氧化硅或
TiO2顆粒
。
[0029]所述黑色模制層可以包括基質(zhì)以及包括在所述基質(zhì)內(nèi)本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點】

【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】1.
一種像素模塊，其特征在于，包括：電路基板；單元像素，整齊排列在所述電路基板上；以及模制部，覆蓋所述單元像素，其中，所述模制部包括光擴(kuò)散層及覆蓋所述光擴(kuò)散層的黑色模制層
。2.
根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素模塊，其特征在于，所述光擴(kuò)散層包括透明基質(zhì)以及在所述透明基質(zhì)內(nèi)的二氧化硅或
TiO2顆粒
。3.
根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素模塊，其特征在于，所述黑色模制層包括基質(zhì)以及在所述基質(zhì)內(nèi)的光吸收物質(zhì)
。4.
根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素模塊，其特征在于，所述光吸收物質(zhì)包括炭黑
。5.
根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素模塊，其特征在于，所述炭黑涂覆在有機(jī)顆粒或無機(jī)顆粒的表面
。6.
根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素模塊，其特征在于，所述無機(jī)顆粒包括二氧化硅或
TiO2。7.
根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素模塊，其特征在于，所述黑色模制層包括光吸收物質(zhì)的濃度彼此不同的多個層
。8.
根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素模塊，其特征在于，在所述多個層中，光吸收物質(zhì)的濃度高的層遠(yuǎn)離所述光擴(kuò)散層而布置
。9.
根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素模塊，其特征在于，所述黑色模制層內(nèi)的光吸收物質(zhì)的濃度從所述光擴(kuò)散層沿所述黑色模制層的厚度方向逐漸減小
。10.
根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素模塊，其特征在于，所述模制部還包括布置于所述單元像素與所述光擴(kuò)散層之間的透明模制層
。11.
根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素模塊，其特征在于，所述單元像素包括彼此相鄰布置的至少三個發(fā)光元件
。12.
根據(jù)權(quán)利要求
11
所述的像素模塊，其特征在于，所述單元像素還包括布置于所述發(fā)光元件之...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：閔畯弘，劉益圭，
申請(專利權(quán))人：首爾偉傲世有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：