【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
有機(jī)光電子裝置和顯示裝置
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的引證
[0002]本申請(qǐng)要求于2022年5月17日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10
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2022
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0060373號(hào)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用并入本申請(qǐng)。
[0003]公開(kāi)了一種有機(jī)光電子裝置和顯示裝置。
技術(shù)介紹
[0004]有機(jī)光電子裝置(有機(jī)光電子二極管)是將電能轉(zhuǎn)換成光能的裝置，反之亦然。
[0005]有機(jī)光電子裝置可以根據(jù)其驅(qū)動(dòng)原理分類如下。一種是光電裝置，其中將由光能產(chǎn)生的激子分離成電子和空穴，并將電子和空穴分別轉(zhuǎn)移到不同的電極并產(chǎn)生電能，另一種是發(fā)光裝置，其通過(guò)向電極提供電壓或電流而由電能產(chǎn)生光能。
[0006]有機(jī)光電子裝置的實(shí)例包括有機(jī)光電裝置、有機(jī)發(fā)光二極管、有機(jī)太陽(yáng)能電池和有機(jī)光導(dǎo)鼓。
[0007]其中，由于對(duì)平板顯示器的需求增加，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)近來(lái)已經(jīng)引起關(guān)注。有機(jī)發(fā)光二極管將電能轉(zhuǎn)換成光，并且設(shè)置在電極之間的有機(jī)材料極大地影響有機(jī)發(fā)光二極管的性能。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
[0008]一個(gè)實(shí)施方式提供了能夠?qū)崿F(xiàn)低驅(qū)動(dòng)和長(zhǎng)壽命特性的有機(jī)光電子裝置。
[0009]另一實(shí)施方式提供一種包括有機(jī)光電子裝置的顯示裝置。
[0010]根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，有機(jī)光電子裝置包括彼此面對(duì)的陽(yáng)極和陰極、在陽(yáng)極和陰極之間的發(fā)光層、在陽(yáng)極和發(fā)光層之間的空穴傳輸層和在發(fā)光層和空穴傳輸層之間的空穴傳輸輔助層，其中發(fā)光層包含由化學(xué)式1表示的第一化合物和由化...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
【技術(shù)特征摘要】
1.一種有機(jī)光電子裝置，包括：彼此面對(duì)的陽(yáng)極和陰極，在所述陽(yáng)極和所述陰極之間的發(fā)光層，在所述陽(yáng)極和所述發(fā)光層之間的空穴傳輸層，以及在所述發(fā)光層和所述空穴傳輸層之間的空穴傳輸輔助層，其中，所述發(fā)光層包含由化學(xué)式1表示的第一化合物和由化學(xué)式2表示或由化學(xué)式3和化學(xué)式4的結(jié)合表示的第二化合物，并且所述空穴傳輸輔助層包含由化學(xué)式5表示的第三化合物：[化學(xué)式1]其中，在化學(xué)式1中，X1是O或S，R1至R4各自獨(dú)立地為氫、氘、氰基、取代或未取代的C1至C10烷基或取代或未取代的C6至C20芳基，L1和L2各自獨(dú)立地為單鍵或取代或未取代的C6至C20亞芳基，Ar1為取代或未取代的C6至C20芳基，m2是1至3的整數(shù)之一，并且m1、m3和m4各自獨(dú)立地為1至4的整數(shù)之一；[化學(xué)式2]其中，在化學(xué)式2中，Ar2和Ar3各自獨(dú)立地為取代或未取代的C6至C20芳基或取代或未取代的C2至C30雜環(huán)基，L3和L4各自獨(dú)立地為單鍵或取代或未取代的C6至C20亞芳基，R5至R
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各自獨(dú)立地為氫、氘、氰基、鹵素、取代或未取代的胺基、取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C6至
C30芳基或取代或未取代的C2至C30雜環(huán)基，m5和m6各自獨(dú)立地為1至3的整數(shù)之一，m7是1至4的整數(shù)之一，并且n是0至2的整數(shù)之一；n是0至2的整數(shù)之一；其中，在化學(xué)式3和化學(xué)式4中，Ar4和Ar5各自獨(dú)立地為取代或未取代的C6至C20芳基或取代或未取代的C2至C30雜環(huán)基，化學(xué)式3中的a1*至a4*中相鄰的兩個(gè)為連接于化學(xué)式4的*的連接碳，化學(xué)式3中的a1*至a4*中的不連接于化學(xué)式4的*的其余兩個(gè)各自獨(dú)立地為C
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L
a
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R
b
，L
a
、L5和L6各自獨(dú)立地為單鍵或取代或未取代的C6至C20亞芳基，并且R
a
和R
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至R
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各自獨(dú)立地為氫、氘、氰基、鹵素、取代或未取代的胺基、取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C6至C30芳基或取代或未取代的C2至C30雜環(huán)基；[化學(xué)式5]其中，在化學(xué)式5中，
X2是C或Si，R
24
至R
27
各自獨(dú)立地為氫、氘、氰基、鹵素、取代或未取代的胺基、取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C6至C30芳基或取代或未取代的C2至C30雜環(huán)基，R
28
和R
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各自獨(dú)立地為取代或未取代的C1至C30烷基或取代或未取代的C6至C30芳基，Ar6是取代或未取代的C6至C30芳基，Ar7為取代或未取代的C6至C30芳基或取代或未取代的二苯并噻咯基，L7至L9各自獨(dú)立地為單鍵或取代或未取代的C6至C20亞芳基，m8、m9和m11各自獨(dú)立地為1至4的整數(shù)之一，并且m10是1至3的整數(shù)之一。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)光電子裝置，其中化學(xué)式1由化學(xué)式1A至化學(xué)式1D中的任一個(gè)表示：[化學(xué)式1A][化學(xué)式1B][化學(xué)式1C][化學(xué)式1D]
其中，在化學(xué)式1A至化學(xué)式1D中，X1、R1至R4、L1、L2、Ar1和m1至m4如權(quán)利要求1中所定義。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)光電子裝置，其中L1和L2各自獨(dú)立地為單鍵或選自組I的連接基團(tuán)中的一個(gè)：[組I]其中，在組I中，R
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至R
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各自獨(dú)立地為氫、氘、鹵素、取代或未取代的C1至C20烷基、取代或未取代的C3至C20環(huán)烷基、取代或未取代的C1至C20烷氧基、取代或未取代的C3至C20環(huán)烷氧基、取代或未取代的C1至C20烷硫基、取代或未取代的C6至C30芳烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C6至C30芳氧基、取代或未取代的C6至C30芳硫基、取代或未取代的C2至C30雜芳基、取代或未取代的C2至C30氨基、取代或未取代的C3至C30甲硅烷基、氰基、硝基、羥基、羧基或它們的組合，m12為1至4的整數(shù)之一，m13為1至5的整數(shù)之一，m14是1至3的整數(shù)之一，并且*是連接點(diǎn)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)光電子裝置，其中
化學(xué)式1中的Ar1為取代或未取代的苯基、取代或未取代的聯(lián)苯基或取代或未取代的三聯(lián)苯基。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)光電子裝置，其中所述第二化合物由化學(xué)式2
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8或化學(xué)式3C表示：[化學(xué)式2
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8]其中，在化學(xué)式2
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8中，R5至R
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各自獨(dú)立地為氫、氘，或取代或未取代的C6至C12芳基，m5和m6各自獨(dú)立地為1至3的整數(shù)之一，并且*
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L3?
Ar2和*
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L4?
Ar3各自獨(dú)立地是選自組II的取代基中的一個(gè)，[組II]其中，在組II中，D是氘，m15是1至5的整數(shù)之一，m1...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：申先雄，林永默，趙榮慶，李南憲，鄭成顯，元鐘宇，高宗勛，樸埈模，鄭鎬國(guó)，金澯佑，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：三星SDI株式會(huì)社，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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