一種適用于低溫膜封裝的型腔鑲件結構制造技術

本實用新型專利技術公開了一種適用于低溫膜封裝的型腔鑲件結構，涉及到半導體封裝技術領域，包括上成型鑲件和下成型鑲件，所述下成型鑲件包括為回形結構的下成型塊、與所述下成型塊內腔適配的支架和與所述下成型塊下端適配的墊板，所述上成型鑲件的底部設置有成型腔，所述支架位于所述下成型塊內腔，所述支架外壁與所述下成型塊內壁之間設置有真空氣槽，所述成型腔的長度設置為A，所述真空氣槽的長度設置為B,且B>A。成型腔的長度設置為A，真空氣槽的長度設置為B,且B>A，將B>A這樣設置的目的可避免氣槽處的膜在高溫受壓時膜變形而造成溢料。氣槽處的膜在高溫受壓時膜變形而造成溢料。氣槽處的膜在高溫受壓時膜變形而造成溢料。

【技術實現步驟摘要】
一種適用于低溫膜封裝的型腔鑲件結構


[0001]本技術涉及半導體封裝
，特別涉及一種適用于低溫膜封裝的型腔鑲件結構。

技術介紹

[0002]封裝引線框架包括框架、基島（PAD）、外引腳及膜，框架的中心位置設置有二個/四個基島（PAD），基島（PAD）對側/四側分別設置有外引腳，安裝基島（PAD）上的芯片通過內引線分別連接對應的外引腳；引線框架反面通過貼膜設備預貼膜；其中預貼膜的種類有高溫膜和低溫膜；從貼膜工藝方面又分為前貼膜和后貼膜；低溫膜在高溫工作環境下會出現：a.低溫膜受熱會有膨脹；b.低溫膜與引線框架在高溫受壓環境下的結合力沒有高溫膜的結合力強。因此在模具塑封時，低溫膜在高溫情況下容易造成溢料情況的發生，因此，本申請提供了一種適用于低溫膜封裝的型腔鑲件結構來滿足需求。

技術實現思路

[0003]本申請的目的在于提供一種適用于低溫膜封裝的型腔鑲件結構，用于解決引線框架使用低溫膜在高溫情況下塑封時產生溢料問題。
[0004]為實現上述目的，本申請提供如下技術方案：一種適用于低溫膜封裝的型腔鑲件結構，包括上成型鑲件和下成型鑲件，所述下成型鑲件包括為回形結構的下成型塊、與所述下成型塊內腔適配的支架和與所述下成型塊下端適配的墊板，所述上成型鑲件的底部設置有成型腔，所述支架位于所述下成型塊內腔，所述支架外壁與所述下成型塊內壁之間設置有真空氣槽，所述成型腔的長度設置為A，所述真空氣槽的長度設置為B,且B>A。
[0005]優選的，所述下成型塊的上端面比所述支架的上端面低，且高度差為0.005～0.010 mm。
[0006]優選的，所述下成型塊的外端上部與所述支架之間的間距設置為C,所述C設置為0.025～0.030 mm。
[0007]優選的，還包括設置在所述支架上的膜讓位間距D,且所述D設置為0.039～0.041 mm。
[0008]綜上，本技術的技術效果和優點：
[0009]本技術結構合理，成型腔的長度設置為A，真空氣槽的長度設置為B,且B>A，將B>A這樣設置的目的可避免氣槽處的膜在高溫受壓時膜變形而造成溢料；
[0010]本技術中，下成型塊2的上端面比支架3的上端面低，且高度差為0.005～0.010 mm，可避免膜的擠壓造成溢料情況的發生；
[0011]本技術中，下成型塊2的外端上部與支架3之間的間距設置為C,C設置為0.025～0.030 mm，此間隙范圍能夠很好地避免溢料情況的發生同時避免產生吸附報警；
[0012]本技術中，膜讓位間距D設置為0.039～0.041 mm，讓位間距D過小，反面膜被壓，造成溢料，讓位間距D過大；排氣槽會造成溢料。
附圖說明
[0013]為了更清楚地說明本申請實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅是本申請的一些實施例，對于本領域技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0014]圖1為本技術整體正視剖面結構示意圖；
[0015]圖2為本實用圖1中E處放大結構示意圖；
[0016]圖3為本技術圖1中F處放大結構示意圖；
[0017]圖4為本技術整體正視結構示意圖。
[0018]圖中：1、上成型鑲件；2、下成型塊；3、支架；4、墊板。
實施方式
[0019]下面將結合本技術實施例中的附圖，對本技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本技術保護的范圍。
[0020]實施例：參考圖1
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4所示的一種適用于低溫膜封裝的型腔鑲件結構，適用于QFN/DFN低溫膜的封裝的型腔鑲件的結構，包括上成型鑲件1和下成型鑲件，下成型鑲件包括為回形結構的下成型塊2、與下成型塊2內腔適配的支架3和與下成型塊2下端適配的墊板4，上成型鑲件1的底部設置有成型腔，支架3位于下成型塊2內腔，支架3外壁與下成型塊2內壁之間設置有真空氣槽，成型腔的長度設置為A，真空氣槽的長度設置為B,且B>A，將B>A這樣設置的目的可避免氣槽處的膜在高溫受壓時膜變形而造成溢料。
[0021]下成型塊2的上端面比支架3的上端面低，且高度差為0.005～0.010 mm，可避免膜的擠壓造成溢料情況的發生。
[0022]下成型塊2的外端上部與支架3之間的間距設置為C,C設置為0.025～0.030 mm，此間隙范圍能夠很好地避免溢料情況的發生同時避免產生吸附報警。
[0023]還包括設置在支架3上的膜讓位間距D,且D設置為0.039～0.041 mm，讓位間距D過小，反面膜被壓，造成溢料，讓位間距D過大；排氣槽會造成溢料。
[0024]需要注意的是，膜讓位間距D的起點與上成型鑲件1成型腔的最右端上的點在同一條豎直直線上。
[0025]最后應說明的是：以上所述僅為本技術的優選實施例而已，并不用于限制本技術，盡管參照前述實施例對本技術進行了詳細的說明，對于本領域的技術人員來說，其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換,凡在本技術的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本技術的保護范圍之內。
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【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種適用于低溫膜封裝的型腔鑲件結構，包括上成型鑲件（1）和下成型鑲件，所述下成型鑲件包括為回形結構的下成型塊（2）、與所述下成型塊（2）內腔適配的支架（3）和與所述下成型塊（2）下端適配的墊板（4），所述上成型鑲件（1）的底部設置有成型腔，所述支架（3）位于所述下成型塊（2）內腔，所述支架（3）外壁與所述下成型塊（2）內壁之間設置有真空氣槽，其特征在于：所述成型腔的長度設置為A，所述真空氣槽的長度設置為B,且B>A。2.根據權利要求1所述的一種適用于低溫膜...

【專利技術屬性】
技術研發人員：鮑官軍，黃銀青，
申請(專利權)人：安徽明致科技有限公司，
類型：新型
國別省市：