本實用新型專利技術涉及碳化硅功率器件的封裝技術，公開了一種SiC頂部散熱功率器件的封裝結構，功率器件的功率漏極D與功率源極S分別通過引線與第一引腳區(13)和第二引腳區(14)連接；當功率器件的功率漏極D與第一引腳區(13)連接，則功率器件的功率源極S與第二引腳區(14)連接；功率器件的開爾文源極KS和功率器件的柵極G通過引線與第三引腳區(15)連接，且功率器件的開爾文源極KS靠近功率器件的功率源極S一側。本實用新型專利技術的封裝結構柵極管腳G、開爾文源極管腳KS的管腳和引線遠離功率器件的功率源極S的引線，驅動功率器件電流遠離主電流回路，減小電磁干擾的影響。本實用新型專利技術通過增加功率源極管腳S打線的數量，提高器件可靠性。提高器件可靠性。提高器件可靠性。
【技術實現步驟摘要】
一種SiC頂部散熱功率器件的封裝結構
[0001]本技術涉及碳化硅功率器件的封裝技術，尤其涉及了一種SiC頂部散熱功率器件的封裝結構。
技術介紹
[0002]碳化硅功率器件有高壓、高頻、高溫等優良特性，對功率器件的封裝提出了巨大的挑戰。頂部散熱封裝是最近興起的一種封裝形式，能夠在可靠性、散熱、低雜感、電氣絕緣等方面更具優勢，其中貼片式的頂部散熱封裝相比其他封裝占體積更小，更適合工業上批量生產。
[0003]如現有技術CN201310035544.7現有的頂部散熱功率器件封裝結構通常為左右端有引腳，上下端無引腳；導致過流能力容易受限于源極管腳S的打線，也容易導致器件的可靠性降低。而且柵極管腳G和開爾文源極管腳KS在源極功率管腳S的同一側，較容易受到大電流開關的電磁干擾。
技術實現思路
[0004]本技術針對現有技術中柵極管腳G和開爾文源極管腳KS在源極管腳S的同一側，容易受到大電流開關的電磁干擾問題，提供了一種SiC頂部散熱功率器件的封裝結構。
[0005]為了解決上述技術問題，本技術通過下述技術方案得以解決：
[0006]一種SiC頂部散熱功率器件的封裝結構，包括塑封體主體、引線框架和引線；引線框架包括塑封體主體外的散熱區、塑封體主體裝片的基島和塑封體主體的引腳區；塑封體主體外的散熱區和塑封體主體裝片的基島連接；其塑封體主體的引腳區包括第一引腳區、第二引腳區和第三引腳區；且第一引腳區和第二引腳區相對，相互平行；第三引腳區為第一引腳區和第二引腳區的豎直方向的區域；
[0007]功率器件的管腳包括功率器件的開爾文源極管腳KS、功率器件的柵極管腳G和功率器件的功率源極管腳S和功率器件的功率漏極管腳D；
[0008]功率器件的功率漏極D與功率源極S分別通過引線與第一引腳區和第二引腳區連接；當功率器件的功率漏極D與第一引腳區連接，則功率器件的功率源極S與第二引腳區連接；功率器件的開爾文源極KS和功率器件的柵極G通過引線與第三引腳區連接，且功率器件的開爾文源極KS靠近功率器件的功率源極S一側。
[0009]作為優選，塑封體主體裝片的基島內裝有半導體功率器件芯片。
[0010]作為優選，半導體功率器件芯片的背面設有功率漏極凸塊，半導體功率器件芯片的正面設有芯片的功率源極凸塊、芯片的開爾文源極凸塊、芯片的功率柵極凸塊。
[0011]作為優選，功率器件的漏極管腳D與封裝引線框架直接相連；芯片的背面漏極焊接在引線框架中心位置，通過焊接芯片的背面漏極連接至功率器件的管腳漏極D。
[0012]作為優選，引線包括第一引線和第二引線，且第一引線直徑小于第二引線的直徑。
[0013]作為優選，功率器件的柵極管腳G通過第一引線與芯片正面的柵極凸塊連接，功率
器件的開爾文源極管腳KS通過第一引線與芯片正面的開爾文源極凸塊連接；功率器件的功率源極管腳S通過第二引線與芯片正面的功率源極凸塊連接。
[0014]本技術由于采用了以上技術方案，具有顯著的技術效果：
[0015]本技術將功率器件的柵極管腳G和開爾文源極管腳KS從功率器件的的上端引出；對于功率器件的的源極管腳S數量增加，相同的封裝即可增加30％的過流能力，同時降低內部引線的雜散電感；
[0016]本技術設計的封裝結構由于功率器件的柵極管腳G和功率器件的開爾文源極管腳KS從器件的上端引出，柵極管腳G和開爾文源極管腳KS的管腳和引線都遠離功率器件的源極S的引線，驅動電流的設計可以遠離主電流回路，減小電磁干擾的影響。
附圖說明
[0017]圖1是本技術結構圖。
[0018]圖2是本技術的結構圖；
[0019]圖3是實施例1的結構圖；
[0020]其中，1—塑封體主體；
[0021]2—引線框架；
[0022]11—散熱區；
[0023]12—基島；
[0024]13—第一引腳區；
[0025]14—第二引腳區；
[0026]15—第三引腳區。
具體實施方式
[0027]下面結合附圖與實施例對本技術作進一步詳細描述。
[0028]實施例1
[0029]現有的SiC頂部散熱功率器件的封裝結構通過圖3可知，其通常設有兩個引腳區，第一引腳區13和第二引腳區14，且第一引腳區13與第二引腳區14相互平行的方向，其不存在豎直方向的第三引腳區15；對于這樣的SiC頂部散熱功率器件的封裝結構會導致過流能力受限于源極管腳S的打線。而且柵極管腳G和開爾文源極管腳KS在源極管腳S的同一側，容易受到大電流開關的電磁干擾。
[0030]塑封體主體1裝片的基島12內裝有半導體芯片背面是功率漏極凸塊,半導體芯片正面有柵極凸塊和開爾文源極凸塊和功率源極凸塊。功率器件漏極管腳D是與封裝金屬框架直接相連的。
[0031]半導體芯片背面漏極通過焊料焊接在金屬框架中心位置，芯片背面漏極連接到管腳漏極D；器件柵極管腳G是通過引線與芯片正面的柵極凸塊連接；器件開爾文源極管腳KS是通過引線與半導體芯片正面的開爾文源極凸塊連接；器件功率源極管腳S是通過引線與芯片正面的功率源極凸塊連接，每個管腳設有一根引線。
[0032]實施例2
[0033]與實施例1所不同的是，圖1，圖2中一種SiC頂部散熱功率器件的封裝結構，包括塑
封體主體1、引線框架2和引線；引線框架2包括塑封體主體1外的散熱區11、塑封體主體1裝片的基島12和塑封體主體1的引腳區；塑封體主體1外的散熱區11和塑封體主體1裝片的基島12連接；其塑封體主體1的引腳區包括第一引腳區13、第二引腳區14和第三引腳區15；且第一引腳區13和第二引腳區14相對，相互平行；第三引腳區15為第一引腳區13和第二引腳區14的豎直方向的區域；
[0034]功率器件的管腳包括功率器件的開爾文源極管腳KS、功率器件的柵極管腳G和功率器件的功率源極管腳S和功率器件的功率漏極管腳D；
[0035]功率器件的功率漏極D與功率源極S分別通過引線與第一引腳區13和第二引腳區14連接；當功率器件的功率漏極D與第一引腳區13連接，則功率器件的功率源極S與第二引腳區14連接；功率器件的開爾文源極KS和功率器件的柵極G通過引線與第三引腳區15連接，且功率器件的開爾文源極KS靠近功率器件的功率源極S一側。
[0036]塑封體主體1裝片的基島12內裝有半導體功率器件芯片。
[0037]半導體功率器件芯片的背面設有功率漏極凸塊，半導體功率器件芯片的正面設有芯片的功率源極凸塊、芯片的開爾文源極凸塊、芯片的功率柵極凸塊。
[0038]作為優選，功率器件的漏極管腳D與封裝引線框架2直接相連；芯片的背面漏極焊接在引線框架2中心位置，通過焊接芯片的背面漏極連接至功率器件的管腳漏極D。
[0039]實施例3
[0040]在實施例2基礎上，本實施例引線包括第一引線和第二引線，且第一引線直徑小于第二引線的直徑。<本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種SiC頂部散熱功率器件的封裝結構，包括塑封體主體(1)、引線框架(2)和引線；引線框架(2)包括塑封體主體(1)外的散熱區(11)、塑封體主體(1)裝片的基島(12)和塑封體主體(1)的引腳區；塑封體主體(1)外的散熱區(11)和塑封體主體(1)裝片的基島(12)連接；其特征在于，塑封體主體(1)的引腳區包括第一引腳區(13)、第二引腳區(14)和第三引腳區(15)；且第一引腳區(13)和第二引腳區(14)相對，相互平行；第三引腳區(15)為第一引腳區(13)和第二引腳區(14)的豎直方向的區域；功率器件的管腳包括功率器件的開爾文源極管腳KS、功率器件的柵極管腳G和功率器件的功率源極管腳S和功率器件的功率漏極管腳D；功率器件的功率漏極D與功率源極S分別通過引線與第一引腳區(13)和第二引腳區(14)連接；當功率器件的功率漏極D與第一引腳區(13)連接，則功率器件的功率源極S與第二引腳區(14)連接；功率器件的開爾文源極KS和功率器件的柵極G通過引線與第三引腳區(15)連接，且功率器件的開爾文源極KS靠近功率器件的功率源極S一側。2.根據權利要...
【專利技術屬性】
技術研發人員：汪劍華，徐洋，羅航，王麗萍，劉進，
申請(專利權)人：派恩杰半導體杭州有限公司，
類型：新型
國別省市：
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