【技術實現步驟摘要】
單晶爐和單晶硅棒生產方法
[0001]本申請屬于單晶硅棒生產
，具體涉及單晶爐和單晶硅棒生產方法
。
技術介紹
[0002]現有的方案中，在采用
RCZ
拉制工藝生產單晶硅棒時，單晶硅棒在冷卻時，單晶硅棒內的過飽和的氧原子形成氧沉淀，并通過同心圓的形式顯現
。
例如，當單晶硅棒緩慢冷卻經過
700℃
～
600℃
的溫度區域，這會使得單晶硅棒在
700℃
～
600℃
的冷卻過程中出現氧沉淀而產生同心圓現象
。
為此需要通過返切單晶硅棒中的同心圓部分以減少不合格產品，這就導致單晶硅棒的產量降低
。
技術實現思路
[0003]本申請的一個專利技術目的在于，提供一種單晶爐，其能在生產單晶硅棒時夠較好地降低單晶硅棒中的氧沉淀問題，從而減小單晶硅棒中的同心圓的現象
。
[0004]本申請的另一個專利技術目的在于，提供一種單晶硅棒生產方法，其通過上述的單晶爐生產
。
[0005]根據本申請的實施例，第一方面提供一種單晶爐，用于生產單晶硅棒，包括：
[0006]主室；
[0007]副室，位于所述主室的上端，所述副室包括外殼和內殼，所述外殼與所述內殼之間形成有中空空間，所述內殼與所述主室連通并且形成所述單晶硅棒通過的移動通道，其中，所述副室沿遠離所述主室的方向劃分為第一分段和第二分段，所述移動通道劃分為與所述第一分段對應的第一通道和與所...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.
一種單晶爐，用于生產單晶硅棒
(800)
，其特征在于，包括：主室
(100)
；副室
(200)
，位于所述主室
(100)
的上端，所述副室
(200)
包括外殼
(210)
和內殼
(220)
，所述外殼
(210)
與所述內殼
(220)
之間形成有中空空間
(230)
，所述內殼
(220)
與所述主室
(100)
連通并且形成所述單晶硅棒
(800)
通過的移動通道
(240)
，其中，所述副室
(200)
沿遠離所述主室
(100)
的方向劃分為第一分段
(250)
和第二分段
(260)
，所述移動通道
(240)
劃分為與所述第一分段
(250)
對應的第一通道
(241)
和與所述第二分段
(260)
對應的第二通道
(242)
，所述中空空間
(230)
劃分為與所述第一分段
(250)
對應的第一中空空間
(231)
和與所述第二分段
(260)
對應的第二中空空間
(232)
，所述第一中空空間
(231)
和所述第二中空空間
(232)
彼此隔開，所述第一中空空間
(231)
設置有第一制冷模塊
(300)
，所述第二中空空間
(232)
設置有真空模塊
(400)
和第二制冷模塊
(500)
，所述真空模塊
(400)
對所述第二中空空間
(232)
抽真空以保溫；溫控模塊
(600)
，所述溫控模塊
(600)
設置于所述副室
(200)
，所述溫控模塊
(600)
分別采集所述單晶硅棒
(800)
在所述第一通道
(241)
和所述第二通道
(242)
的溫度；控制模塊
(700)
，所述控制模塊
(700)
分別與所述第一制冷模塊
(300)、
所述第二制冷模塊
(500)、
所述真空模塊
(400)
以及所述溫控模塊
(600)
電性連接，并分別控制所述第一制冷模塊
(300)、
所述真空模塊
(400)、
所述第二制冷模塊
(500)
以及所述溫控模塊
(600)
工作
。2.
根據權利要求1所述的單晶爐，其特征在于：所述單晶爐還包括隔離組件
(270)
，所述隔離組件
(270)
設置于所述第一通道
(241)
與所述第二通道
(242)
之間以選擇性地連通或隔開所述第一通道
(241)
和所述第二通道
(242)。3.
根據權利要求2所述的單晶爐，其特征在于：所述隔離組件
(270)
包括翻板
(271)
和調節部
(272)
，所述翻板
(271)
設置于所述第一通道
(241)
和所述第二通道
(242)
之間，所述調節部
(272)
活動設置于所述副室
(200)
，所述調節部
(272)
與所述翻板
(271)
連接，所述調節部
(272)
轉動時帶動所述翻板
(271)
轉動
。4.
根據權利要求1所述的單晶爐，其特征在于：所述第一制冷模塊
(300)
為水冷模塊，并且包括與所述第一中空空間
(231)
連通的進水通道
(251)
和出水通道
(252)。5.
根據權利要求1所述的單晶爐，其特征在于：所述第二制冷模塊
(500)
包括壓縮機，并且包括與所述第二中空空間
(232)
連通的進風通道
(261)
和出風通道
(262)。6.
根據權利要求1所述的單晶爐，其特征在于：所述第一分段
(250)
沿遠離所述主室
(100)
方向的長度占比所述副室
(200)
的總長度的
15
％～
25
％；和
/
或，所述第二分段
(260)
的長度大于所述單晶硅棒
(800)
的長度；和
/
或，所述真空模塊
(400)
包括真空泵；和
/
或
,
所述副室
(200)
設置有測溫孔
(280)
，所述溫控模塊
(600)
包括紅外測溫傳感器，所述紅外測溫傳感器安裝在所述測溫孔
(280)。7.
一種單晶硅棒生產方法，使用根據權利要求1～6中任一項所述的單晶爐對所述單晶硅棒
(800)
進行生產，其特征在于，所述單晶硅棒生產方法包括：當所述單晶硅棒
(800)
的上端進入所述第一通道
(241)...
【專利技術屬性】
技術研發人員：閆廣寧，李春輝，李卓越，
申請(專利權)人：包頭晶澳太陽能科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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