保護電路制造技術(shù)

本申請實施例提供一種保護電路

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
保護電路、保護芯片、待測芯片及應(yīng)用系統(tǒng)


[0001]本申請涉及電子
，尤其涉及一種保護電路
、
保護芯片
、
待測芯片及應(yīng)用系統(tǒng)
。

技術(shù)介紹

[0002]目前，將雙極
(Bipolar)
工藝
、
互補金屬氧化物半導體
(Complementary Metal Oxide Semiconductor
，
CMOS)
工藝和擴散金屬氧化物半導體
(Diffused Metal
?
Oxide Semi
?
conductor
，
DMOS)
工藝結(jié)合到一起的芯片制造工藝稱為
BCD
工藝
。
在基于
CMOS
工藝
、
或者
BCD
工藝設(shè)計的待測芯片
(design under test
，
DUT)
中，電源端和接地端之間的靜電釋放
(Electro
?
Static discharge
，
ESD)
保護器件中通常存在一個寄生二極管
。
在電源端的電壓小于零的情況下，寄生二極管導通
。
[0003]在寄生二極管導通之后，寄生二極管和待測芯片
DUT
中的其他
N
型注入?yún)^(qū)域組成的負極
?
正極
?
負極
(Negative
?
Positive
?
Negative
，
NPN)
型寄生三極管可能會導通，使得待測芯片
DUT
中的內(nèi)部電路無法正常工作，導致待測芯片
DUT
的穩(wěn)定性差
。
[0004]因此，設(shè)計一種保護電路，在電源端的電壓小于零的情況下，防止寄生二極管導通，以提高
DUT
的穩(wěn)定性，成為一種亟待解決的技術(shù)問題
。

技術(shù)實現(xiàn)思路

[0005]本申請實施例提供一種保護電路
、
保護芯片
、
待測芯片及應(yīng)用系統(tǒng)，以解決在待測芯片
DUT
的電源端的電壓小于零的情況下，防止寄生二極管導通問題，實現(xiàn)了提高待測芯片
DUT
的穩(wěn)定性的目的
。
[0006]第一方面，本申請實施例提供一種保護電路，應(yīng)用于待測芯片，所述電路包括：控制模塊和開關(guān)模塊；
[0007]所述控制模塊的第一端與所述待測芯片的電源端電連接，所述控制模塊的第二端與所述待測芯片的輸入輸出口電連接，所述控制模塊的第三端與所述待測芯片的接地端電連接，所述控制模塊的第四端與所述開關(guān)模塊的第一端電連接，所述開關(guān)模塊的第二端與所述待測芯片的電源端電連接，所述開關(guān)模塊的第三端與所述待測芯片的接地端電連接，所述待測芯片中的寄生二極管與所述開關(guān)模塊并聯(lián)，所述寄生二極管為所述待測芯片的電源端和所述待測芯片的接地端之間的靜電釋放保護器件中的寄生二極管和
/
或所述待測芯片的內(nèi)部電路中的寄生二極管；所述待測芯片位于應(yīng)用系統(tǒng)中，所述應(yīng)用系統(tǒng)包括第一二極管和第五電阻，所述第一二極管的第一端與所述應(yīng)用系統(tǒng)的印制電路板接地端電連接，所述第五電阻的第一端與所述應(yīng)用系統(tǒng)的印制電路板接地端電連接，所述第一二極管的第二端與所述第五電阻的第二端電連接，所述待測芯片的接地端電連接于所述第一二極管的第二端和所述第五電阻的第二端之間；
[0008]所述控制模塊，用于在所述電源端的電壓小于零的情況下，控制所述開關(guān)模塊導通，使所述寄生二極管短路
。
[0009]在第一方面提供的保護電路中，控制模塊在待測芯片
DUT
的電源端的電壓小于零的情況下，控制開關(guān)模塊
002
導通，使寄生二極管
D0
短路，避免寄生二極管
D0
導通，防止待測芯片
DUT
中的內(nèi)部電路無法正常工作，提高待測芯片
DUT
的穩(wěn)定性，防止
(
待測芯片
DUT
所在的
)
應(yīng)用系統(tǒng)的性能下降，甚至失效，提高待測芯片
DUT
的穩(wěn)定性
。
[0010]在一種可能的設(shè)計中，所述開關(guān)模塊包括：第一開關(guān)管和第二開關(guān)管；
[0011]所述第一開關(guān)管的控制端和所述第二開關(guān)管的控制端電連接，所述控制模塊的第四端電連接于所述第一開關(guān)管的控制端和所述第二開關(guān)管的控制端之間，所述第一開關(guān)管的第一端和所述第二開關(guān)管的第一端電連接，所述第一開關(guān)管的第二端與所述待測芯片的接地端電連接，所述第二開關(guān)管的第二端與所述待測芯片的電源端電連接
。
[0012]在一種可能的設(shè)計中，所述控制模塊包括：第一電阻
、
第二電阻
、
第三電阻
、
第三開關(guān)管
、
第四開關(guān)管
、
第五開關(guān)管
、
第六開關(guān)管和第七開關(guān)管；
[0013]所述第三開關(guān)管的控制端與所述第四開關(guān)管的控制端電連接，所述第三開關(guān)管的第一端與所述電源端電連接，所述第四開關(guān)管的第一端與所述待測芯片的電源端電連接，所述第三開關(guān)管的第二端與所述第五開關(guān)管的第二端電連接，所述第三開關(guān)管的第二端還與所述第三開關(guān)管的控制端電連接，所述第五開關(guān)管的控制端與所述待測芯片的輸入輸出口電連接，所述第五開關(guān)管的第一端與所述第三電阻的第一端電連接，所述第三電阻的第二端與所述待測芯片的接地端電連接，所述第四開關(guān)管的第二端與所述第六開關(guān)管的第二端電連接，所述第六開關(guān)管的第一端與所述待測芯片的接地端電連接，所述第六開關(guān)管的控制端與所述第七開關(guān)管的控制端電連接，所述第六開關(guān)管的第二端還與所述第六開關(guān)管的控制端電連接，所述第一電阻的第一端與所述待測芯片的輸入輸出口電連接，所述第一電阻的第二端與所述第二電阻的第一端電連接，所述第二電阻的第二端接地，所述第七開關(guān)管的第二端電連接于所述第一電阻的第二端和所述第二電阻的第一端之間，所述第七開關(guān)管的第一端接地
。
[0014]在一種可能的設(shè)計中，所述控制模塊還包括：穩(wěn)壓二極管；
[0015]所述穩(wěn)壓二極管的第一端電連接于所述第七開關(guān)管的第二端和所述第二電阻的第一端之間，所述穩(wěn)壓二極管的第一端與所述待測芯片的接地端電連接
。
[0016]通過該實施方式提供的保護電路，在待測芯片的電源端的電壓小于零
、
且電壓的絕對值較大的情況下，防止第一開關(guān)管和第二開關(guān)管損壞
。
[0017]在一種可能的設(shè)計中，所述控制模塊還包括：電容；
[0018]所述第二電阻的第一端與所述開關(guān)模塊的第一端電連接，所述電容的第一端電連接于所述第二電阻的第一端和所述開關(guān)模塊的第一端之間本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】

【技術(shù)特征摘要】
1.
一種保護電路，其特征在于，應(yīng)用于待測芯片，所述電路包括：控制模塊和開關(guān)模塊；所述控制模塊的第一端與所述待測芯片的電源端電連接，所述控制模塊的第二端與所述待測芯片的輸入輸出口電連接，所述控制模塊的第三端與所述待測芯片的接地端電連接，所述控制模塊的第四端與所述開關(guān)模塊的第一端電連接，所述開關(guān)模塊的第二端與所述待測芯片的電源端電連接，所述開關(guān)模塊的第三端與所述待測芯片的接地端電連接，所述待測芯片中的寄生二極管與所述開關(guān)模塊并聯(lián)，所述寄生二極管為所述待測芯片的電源端和所述待測芯片的接地端之間的靜電釋放保護器件中的寄生二極管和
/
或所述待測芯片的內(nèi)部電路中的寄生二極管；所述待測芯片位于應(yīng)用系統(tǒng)中，所述應(yīng)用系統(tǒng)包括第一二極管和第五電阻，所述第一二極管的第一端與所述應(yīng)用系統(tǒng)的印制電路板接地端電連接，所述第五電阻的第一端與所述應(yīng)用系統(tǒng)的印制電路板接地端電連接，所述第一二極管的第二端與所述第五電阻的第二端電連接，所述待測芯片的接地端電連接于所述第一二極管的第二端和所述第五電阻的第二端之間；所述控制模塊，用于在所述電源端的電壓小于零的情況下，控制所述開關(guān)模塊導通，使所述寄生二極管短路
。2.
根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護電路，其特征在于，所述開關(guān)模塊包括：第一開關(guān)管和第二開關(guān)管；所述第一開關(guān)管的控制端和所述第二開關(guān)管的控制端電連接，所述控制模塊的第四端電連接于所述第一開關(guān)管的控制端和所述第二開關(guān)管的控制端之間，所述第一開關(guān)管的第一端和所述第二開關(guān)管的第一端電連接，所述第一開關(guān)管的第二端與所述待測芯片的接地端電連接，所述第二開關(guān)管的第二端與所述待測芯片的電源端電連接
。3.
根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的保護電路，其特征在于，所述控制模塊包括：第一電阻
、
第二電阻
、
第三電阻
、
第三開關(guān)管
、
第四開關(guān)管
、
第五開關(guān)管
、
第六開關(guān)管和第七開關(guān)管；所述第三開關(guān)管的控制端與所述第四開關(guān)管的控制端電連接，所述第三開關(guān)管的第一端與所述電源端電連接，所述第四開關(guān)管的第一端與所述待測芯片的電源端電連接，所述第三開關(guān)管的第二端與所述第五開關(guān)管的第二端電連接，所述第三開關(guān)管的第二端還與所述第三開關(guān)管的控制端電連接，所述第五開關(guān)管的控制端與所述待測芯片的輸入輸出口電連接，所述第五開關(guān)管的第一端與所述第三電阻的第一端電連接，所述第三電阻的第二端與所述待測芯片的接地端電連接，所述第四開關(guān)管的第二端與所述第六開關(guān)管的第二端電連接，所述第六開關(guān)管的第一端與所述待測芯片的接地端電連接，所述第六開關(guān)管的控制端與所述第七開關(guān)管的控制端電連接，所述第六開關(guān)管的第二端還與所述第六開關(guān)管的控制端電連接，所述第一電阻的第一端與所述待測芯片的輸入輸出口電連接，所述第一電阻的第二端與所述第二電阻的第一端電連接，所述第二電阻的第二端接地，所述第七...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張維承，羅明，
申請(專利權(quán))人：上海類比半導體技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：