【技術實現步驟摘要】
一種內置正溫度系數溫度傳感電路的柵極驅動芯片
[0001]本技術涉及一種柵極驅動芯片，特別提供一種內置正溫度系數溫度傳感電路的柵極驅動芯片
。
技術介紹
[0002]柵極驅動芯片用于接受
CPU
或者
MCU
等外部數字芯片控制信號，提供控制驅動功率器件所需的柵極信號，得到了廣泛的應用
。
柵極驅動芯片作為功率器件的開關引起會功率損耗和導通損耗，將導致芯片發熱；另外，柵極驅動芯片和功率器件的運行環境可能包含極高的熱量，有可能引起柵極驅動芯片或功率器件的結溫超過最大值而導致損壞
。
通常，應用中會單獨使用熱敏電阻或熱敏二極管監測系統溫度，當系統溫度達到設定的限值時降低功率，溫度超過最大閾值時完全關閉功率器件，以保證系統的安全
。
[0003]傳統的柵極驅動方案中，采用熱敏電阻或熱敏二極管監測系統溫度，需要單獨配置器件來處理溫度傳感信號，無形中會提高硬件成本
。
另外，溫度測量精度是關鍵因素，在不必要情況下，降低功率是不可取的
。
如果精度很差，則該功率器件可能仍會承受過多熱量并隨著時間的推移而退化
。
技術實現思路
[0004]為了解決上述問題，本技術的目的是提供一種將正溫度系數溫度傳感電路和柵極驅動電路進行單片集成的內置正溫度系數溫度傳感電路的柵極驅動芯片
。
[0005]為達到上述目的，本技術的技術方案如下：一種內置正溫度系數溫度傳感電路的柵極驅動芯片，包括
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.
一種內置正溫度系數溫度傳感電路的柵極驅動芯片，其特征在于：包括低邊電路和高邊電路；所述低邊電路由高邊信號輸入端口
HIN、
低邊信號的輸入端口
LIN、
對應的濾波電路
、
正溫度系數傳感電路
、
死區時間控制電路
、
脈沖產生電路
、
低壓鎖定
、
延遲電路
、
輸出邏輯
、PMOS
驅動管
P2、NMOS
驅動管
N2、
輸出電阻
XR3、XR4
，輸出端口
LO
組成；所述高邊電路由自舉二極管
、
電平移位電路
、
低壓鎖定
、
輸出邏輯
、PMOS
驅動管
P1、NMOS
驅動管
N1、
輸出電阻
XR1、XR2
和輸出端口
HO
組成；所述高邊信號輸入端口
HIN
和低邊信號的輸入端口
LIN
連接對應的濾波電路后連接所述死區時間控制電路；所述死區時間控制電路分別連接所述脈沖產生電路
、
低邊電路中的低壓鎖定和延遲電路；所述低邊電路中的低壓鎖定連接電壓
VCC
；所述脈沖產生電路連接所述電平移位電路；所述延遲電路連接所述低邊電路中的輸出邏輯后連接所述
PMOS
驅動管
P2
的柵極和所述
NMOS
驅動管
N2
的柵極，所述
PMOS
驅動管
P2
的漏極接所述輸出電阻
XR3
后連接輸出端口
LO
，源極接電壓
VCC
；所述
NMOS
驅動管
N2
的漏極接所述輸出電阻
XR4
后連接輸出端口
LO
，源極接電壓
VSS
；所述自舉二極管一端連接電壓
VCC
，另一端連接電壓
VB
；所述高邊電路中的低壓鎖定一端接電壓
VB
，另一端接高邊電路中的輸出邏輯；所述電平移位電路連接高邊電路中的輸出邏輯后連接所述
PMOS
驅動管
P1
的柵極和所述
NMOS
驅動管
N1
的柵極，所述
PMOS
驅動管
P1
的漏極接所述輸出電阻
XR1
后連接輸出端口
HO
，源極接電壓
VB
；所述
NMOS
驅動管
N1
的漏極接所述輸出電阻
XR2
后連接輸出端口
HO
，源極接電壓
VS。2.
根據權利要求1所述的一種內置正溫度系數溫度傳感電路的柵極驅動芯片，其特征在于：所述正溫度系數傳感電路包括啟動電路
、
正溫度系數電壓產生電路和電壓...
【專利技術屬性】
技術研發人員：姜帆，陳利，陳彬，
申請(專利權)人：廈門芯一代集成電路有限公司，
類型：新型
國別省市：
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