一種封裝器件及電子器件制造技術

本實用新型專利技術公開了一種封裝器件及電子器件，應用于電子器件封裝技術領域，包括封裝器件本體和引線框架，封裝器件本體包括相對設置的第一表面和第二表面，引線框架的頂面裸露于封裝器件本體的第一表面；引線框架的頂面為平整表面；封裝器件本體的側壁為分離面，分離面靠近第一表面一側裸露有引線框架的側壁；分離面包括第一切割面和第二切割面，第一切割面從第一表面向第二表面延伸，第一切割面的寬度小于引線框架的厚度

【技術實現步驟摘要】
一種封裝器件及電子器件


[0001]本技術涉及電子器件封裝
，特別是涉及一種封裝器件以及一種電子器件
。

技術介紹

[0002]QFN(Quad Flat No lead)
是一種方形扁平無引腳半導體芯片封裝結構，
DFN(Dual Flat No lead)
是一種矩形扁平無引腳半導體芯片封裝結構，
QFN/DFN
類半導體封裝測試器件在框架上需要切割分離成獨立的個體
。
切割機使用以樹脂為載體內嵌金剛石的切割刀具對框架及塑封材料進行分割
。
[0003]但是在切割過程中會產生切割毛刺，保留在產品邊緣，這個毛刺在后續的電鍍過程中會被鍍上錫，使之進一步加厚拉長，造成封裝體引腳邊緣不平整，或引腳延展，導致后續上板發生焊接不良等品質問題
。
所以如何提供一種沒有毛刺的封裝器件是本領域技術人員急需解決的問題
。

技術實現思路

[0004]本技術的目的是提供一種封裝器件，表面沒有毛刺；本技術的另一目的在于提供一種電子器件，其所使用的封裝器件表面沒有毛刺
。
[0005]為解決上述技術問題，本技術提供一種封裝器件，包括封裝器件本體和引線框架，所述封裝器件本體包括相對設置的第一表面和第二表面，所述引線框架的頂面裸露于所述封裝器件本體的第一表面；所述引線框架的頂面為平整表面；
[0006]所述封裝器件本體的側壁為分離面，所述分離面靠近所述第一表面一側裸露有所述引線框架的側壁；所述分離面包括第一切割面和第二切割面，所述第一切割面從所述第一表面向所述第二表面延伸，所述第一切割面的寬度小于所述引線框架的厚度；所述第二切割面從所述第一切割面向所述第二表面延伸
。
[0007]可選的，還包括電鍍層，所述電鍍層覆蓋所述引線框架的頂面，以及所述引線框架側壁位于所述第一切割面的區域
。
[0008]可選的，所述電鍍層為錫電鍍層
。
[0009]可選的，所述第一切割面的寬度為所述引線框架厚度的一半
。
[0010]可選的，所述引線框架為銅引線框架
。
[0011]可選的，所述分離面為平整表面
。
[0012]可選的，所述封裝器件本體包括芯片，和包覆所述芯片的塑封體，所述芯片與所述引線框架通信連接
。
[0013]可選的，所述芯片通過粘片膠貼合在所述引線框架表面
。
[0014]可選的，所述芯片通過焊線與所述引線框架連接
。
[0015]本技術還提供了一種電子器件，包括如上述任一項所述的封裝器件
。
[0016]本技術所提供的一種封裝器件，包括封裝器件本體和引線框架，封裝器件本
體包括相對設置的第一表面和第二表面，引線框架的頂面裸露于封裝器件本體的第一表面；引線框架的頂面為平整表面；封裝器件本體的側壁為分離面，分離面靠近第一表面一側裸露有引線框架的側壁；分離面包括第一切割面和第二切割面，第一切割面從第一表面向第二表面延伸，第一切割面的寬度小于引線框架的厚度；第二切割面從第一切割面向第二表面延伸
。
[0017]通過形成兩個切割面，在第一次切割時在厚度方向僅僅切割部分引線框架，此時基于半切割的引線框架可以對封裝器件表面進行去毛刺處理，使得引線框架的頂面為平整表面；之后再對引線框架進行全切割，形成分離面，保證封裝器件表面無毛刺
。
[0018]本技術還提供了一種電子器件，同樣具有上述有益效果，在此不再進行贅述
。
附圖說明
[0019]為了更清楚的說明本技術實施例或現有技術的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單的介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖
。
[0020]圖1為現有技術中封裝器件的切割工藝示意圖；
[0021]圖2為本技術實施例所提供的一種封裝器件的側視結構示意圖；
[0022]圖3為圖2的俯視結構示意圖；
[0023]圖4為本技術實施例所提供的一種封裝器件的工藝示意圖；
[0024]圖5為本技術實施例所提供的一種具體的
QFN/DFN
封裝器件的側視結構示意圖；
[0025]圖6為圖5的俯視結構示意圖；
[0026]圖7為本技術實施例所提供的一種具體的封裝器件的工藝流程圖
。
[0027]圖中：
1.
封裝器件本體
、11.
芯片
、12.
塑封體
、13.
粘片膠
、14.
焊線
、2.
引線框架
、3.
分離面
、31.
第一切割面
、32.
第二切割面
、4.
電鍍層
、5.
毛刺
。
具體實施方式
[0028]本技術的核心是提供一種封裝器件
。
如圖1所示，圖1為現有技術中封裝器件的切割工藝示意圖
。
由于銅材的延展性較強，在切割過程中銅材的斷面會被延展拉伸，切割時形成毛刺5，保留在產品邊緣
。
現有的切割流程如下：首先對整條的產品進行表面電鍍，形成電鍍層4，引腳表面鍍上一層錫作為后續上板的保護層
。
然后進行切割分離，使每顆產品從料條中分離出來
。
由于銅材的延展性，在切割過程中會產生毛刺
5。
這一流程管對簡單，但無法去除毛刺5，對于應用要求比較高的產品，無法解決毛刺的問題
。
[0029]而本技術所提供的一種封裝器件，包括封裝器件本體和引線框架，封裝器件本體包括相對設置的第一表面和第二表面，引線框架的頂面裸露于封裝器件本體的第一表面；引線框架的頂面為平整表面；封裝器件本體的側壁為分離面，分離面靠近第一表面一側裸露有引線框架的側壁；分離面包括第一切割面和第二切割面，第一切割面從第一表面向第二表面延伸，第一切割面的寬度小于引線框架的厚度；第二切割面從第一切割面向第二表面延伸
。
[0030]通過形成兩個切割面，在第一次切割時在厚度方向僅僅切割部分引線框架，此時基于半切割的引線框架可以對封裝器件表面進行去毛刺處理，使得引線框架的頂面為平整表面；之后再對引線框架進行全切割，形成分離面，保證封裝器件表面無毛刺
。
[0031]為了使本
的人員更好地理解本技術方案，下面結合附圖和具體實施方式對本技術作進一步的詳細說明
。
顯然，所描述的實施例僅僅是本技術一部分實施例，而不是全部的實施例
。
基于本技術中的實施例，本領域普通本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.
一種封裝器件，其特征在于，包括封裝器件本體和引線框架，所述封裝器件本體包括相對設置的第一表面和第二表面，所述引線框架的頂面裸露于所述封裝器件本體的第一表面；所述引線框架的頂面為平整表面；所述封裝器件本體的側壁為分離面，所述分離面靠近所述第一表面一側裸露有所述引線框架的側壁；所述分離面包括第一切割面和第二切割面，所述第一切割面從所述第一表面向所述第二表面延伸，所述第一切割面的寬度小于所述引線框架的厚度；所述第二切割面從所述第一切割面向所述第二表面延伸
。2.
根據權利要求1所述的封裝器件，其特征在于，還包括電鍍層，所述電鍍層覆蓋所述引線框架的頂面，以及所述引線框架側壁位于所述第一切割面的區域
。3.
根據權利要求2所述的封裝器件，其特征在于，所述電鍍層為錫電鍍層
。4.
根據權利要求1所述...

【專利技術屬性】
技術研發人員：湯文祥，薛恩華，董美丹，
申請(專利權)人：上海凱虹科技電子有限公司，
類型：新型
國別省市：