本發明專利技術提出了一種基板結構及其制造方法。該基板結構包括基板陣列，基板陣列包括按照預定方向排列的多個基板，每個所述基板包括相對的第一表面和第二表面，多個基片，其中對于相間隔的基板的每一個，其第二表面與其一側的相鄰基板的第二表面共用一個基片，以形成第一溝槽，且其第一表面與其另一側的相鄰基板的第一表面共用另一個基片，以形成第二溝槽，所述第一溝槽與第二溝槽開口方向相反。本發明專利技術有效地利用了襯底的厚度，從而在不增加整個晶圓片尺寸的前提下，提高了晶圓片的可加工的表面積或表面積利用率。并且，可以利用所形成的第一溝槽和第二溝槽在后續的加工工藝中很容易地對基板結構的雙側分別進行不同材料的沉積和處理的工藝，提高了產出和降低了成本。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體制造領域，特別涉及一種具有增大的表面積的、用于半導體器 件制造的基板結構及其制造方法。
技術介紹
近年來，隨著半導體產業的迅速發展，半導體器件不斷地朝小體積、高電路密集 度、快速、低耗電方向發展，集成電路現已進入亞微米級的技術階段。因此，為了適應小體 積、高集成度的需要，目前提出了兩方面的要求，一方面是要求晶圓片的直徑逐漸增大，到 2005年，直徑300mm硅片已成為主流產品，預計到2012年，將開始使用直徑450mm(18in)硅 片，晶圓片的直徑大約以每9年增大1.5倍的速度不斷增大，而向大面積發展。另一方面也 提出了一種要求，即希望在不增加現有的晶圓片尺寸的基礎上增加表面積利用率，從而提 高其可加工的表面積。然而，目前為止，還沒有提出一種能夠基于現有晶圓片的尺寸來增加 晶圓片利用率的方案。
技術實現思路
為了解決上述問題，本專利技術提供了一種利用襯底進行加工的基板結構，包括基板 陣列，所述基板陣列包括按照預定方向排列的多個基板，每個所述基板包括第一表面和與 其相對的第二表面，多個基片，所述多個基片分別設置在所述基板的第一表面和第二表面 的外側，其中對于相間隔的基板的每一個，其第二表面與其一側的相鄰基板的第二表面共 用一個基片，以形成第一溝槽，且其第一表面與其另一側的相鄰基板的第一表面共用另一 個基片，以形成第二溝槽，所述第一溝槽與所述第二溝槽開口方向相反，以使所述基板結構 形成長城型結構。其中所述基板的第一表面和第二表面為所述襯底的兩個表面。此外本專利技術還提供了一種用于半導體器件制造的基板結構的制造方法，包括如下 步驟提供襯底，所述襯底包括第一表面和與第一表面相對的第二表面；對所述襯底的第 一表面和第二表面進行構圖；從所述襯底的第一表面刻蝕至少兩個第一溝槽；以及從所述 襯底的第二表面刻蝕至少一個第二溝槽，其中每個所述第二溝槽位于相鄰的兩個所述第一 溝槽之間，從而形成至少兩個基板和至少一個基片，所述基板由所述第一溝槽和第二溝槽 的側壁所限定，所述基片連接相鄰的兩個所述基板，以使所述基板結構形成長城型結構。根據本專利技術的另一個方面，可以在所述步驟之后進行如下步驟沿所述預定方向 拉伸所述基板結構，以使相鄰基板間的基片彎曲并使所述基板陣列基本形成一個平面。進而，根據本專利技術的另一個方面，可以提供一種利用襯底進行加工的基板結構，包 括基板陣列，所述基板陣列包括按照預定方向排列的多個基板，所述多個基板的每個基板 包括第一表面和與其相對的第二表面，對于相間隔的所述基板的每一個，其所述第一表面 與其一側的相鄰基板的所述第一表面相對，且其所述第二表面與其另一側的相鄰基板的所 述第二表面相對；以及至少一個可彎曲基片，所述可彎曲基片形成在相鄰的所述基板相對 的兩個表面上并可彎曲地連接所述相鄰的兩個基板。特別地，所述可彎曲基片包括至少兩個基片，其中相鄰的可彎曲基片的彎曲曲率相反。所述基板陣列中至少兩個所述基板排列 在與所述第一表面垂直的平面上。根據本專利技術的基板結構有效地利用了襯底的厚度，從而在不增加整個晶圓片尺寸 的前提下，提高了晶圓片的可加工的表面積或表面積利用率。并且，由于所述基板結構具有 長城型結構，可以利用所形成的第一溝槽和第二溝槽在后續的加工工藝中很容易地對基板 結構的雙側分別進行不同材料的沉積和處理工藝，從而適于各種加工工藝和要求、提高了 產出和降低了成本。本專利技術附加的方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變 得明顯，或通過本專利技術的實踐了解到。附圖說明本專利技術上述的和/或附加的方面和優點從下面結合附圖對實施例的描述中將變 得明顯和容易理解，其中圖1示出了根據本專利技術的實施例的基板結構的示意圖；圖2示出了根據本專利技術的實施例的基板結構的形成方法的流程圖；圖3-12示出了根據本專利技術的基板結構的制造方法的各個階段的示意圖。具體實施例方式下面詳細描述本專利技術的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終 相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附 圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本專利技術，而不能解釋為對本專利技術的限制。下文的公 開提供了許多不同的實施例或例子用來實現本專利技術的不同結構。為了簡化本專利技術的公開， 下文中對特定例子的部件和設置進行描述。當然，它們僅僅為示例，并且目的不在于限制本 專利技術。此外，本專利技術可以在不同例子中重復參考數字和/或字母。這種重復是為了簡化和 清楚的目的，其本身不指示所討論各種實施例和/或設置之間的關系。此外，本專利技術提供了 的各種特定的工藝和材料的例子，但是本領域普通技術人員可以意識到其他工藝的可應用 于性和/或其他材料的使用。另外，以下描述的第一特征在第二特征之“上”的結構可以包 括第一和第二特征形成為直接接觸的實施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特 征之間的實施例，這樣第一和第二特征可能不是直接接觸。本專利技術主要在于通過一種具有長城型結構的基板結構，來增加襯底，例如半導體 襯底的利用率，提高其可加工的表面積。如圖1示出了本專利技術實施例的基板結構的示意圖，所述基板結構是利用襯底進行 加工獲得，所述襯底可以是半導體襯底，該半導體襯底的厚度可為0. 2-2mm。所述基板結構 包括基板陣列，所述基板陣列包括按照預定方向排列的多個基板101-1. . . 101-9，圖中示出 的僅僅是示例，所述基板的數量可以任意設置，優選為至少兩個。所述預定方向如圖1中的 箭頭A所示，所述多個基板在方向A上進行排列。每個所述基板包括第一表面301和與其 相對的第二表面302。所述基板結構還包括多個基片303-1. . . 303-4以及304-1. . . 304-4， 圖中示出的僅僅是示例，所述基片的數量可以任意設置，優選為至少一個。所述多個基片分 別設置在所述基板的第一表面301和第二表面302的外側。其中對于相間隔的基板的每一個，其第二表面302與其一側的相鄰基板的第二表面302共用一個基片，以形成第一溝槽 305，且其第一表面301與其另一側的相鄰基板的第一表面301共用另一個基片，以形成第 二溝槽306，所述第一溝槽305與第二溝槽306開口方向相反，以使所述基板結構形成長城 型結構。具體來說，例如，對于相間隔的基板的每一個，例如101-1、101-3、101-5...的 每一個，具體而言對于基板101-3，所述基板101-3的第二表面302與其一側的相鄰基板 101-2的第二表面302共用一個基片304-1，以形成第一溝槽305，且所述基板101-3的第一 表面301與其另一側的相鄰基板101-4的第一表面301共用另一個基片303-2，以形成第二 溝槽306，所述第一溝槽305與第二溝槽306開口方向相反。所述基板可以包括半導體材料，例如硅、鍺以及化合物半導體的一種或其組合，并 且可以包括N型摻雜配置或P型摻雜配置，這些都可以根據基板結構的在實際應用過程中 的需要進行配置，本專利技術不做限制。特別地，所述基板陣列與所述多個基片可以由相同或不同材料形成。所述基片也 可以是半導體材料，但也可以包括絕緣材料、金屬或上述材料的組合。而且所述基片可以包 括一個或多個層。可以根據需要配置每個層所使用的材料，例如，可以包括用于刻蝕停止的 絕緣層、本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
...
【專利技術屬性】
技術研發人員：朱慧瓏，尹海洲，駱志炯，
申請(專利權)人：朱慧瓏，尹海洲，駱志炯，
類型：發明
國別省市：US
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