射頻開關電路制造技術

本申請公開了一種射頻開關電路

【技術實現步驟摘要】
射頻開關電路、芯片以及射頻前端模組


[0001]本申請涉及射頻
，尤其涉及一種射頻開關電路
、
芯片以及射頻前端模組
。

技術介紹

[0002]在射頻前端電路中，射頻開關是必不可少的元件之一
。
終端可通過射頻前端電路中的射頻開關選擇性地連接到所需的功率放大器，從而實現在不同通信網絡間切換
。
[0003]在相關技術中，射頻開關電路中設置有有多個串聯的場效應管，因場效應管柵極或襯底漏電或其他原因，射頻開關支路在導通時各個場效應管所承受的電壓不完全均勻，會存在部分場效應管承受的電壓超過自身的擊穿電壓，進而會導致這部分場效應管損壞的問題
。

技術實現思路

[0004]本申請提出了一種射頻開關電路
、
芯片以及射頻前端模組
。
[0005]第一方面，本申請實施例提供了一種射頻開關電路，包括：第一傳輸端口；第二傳輸端口；射頻開關單元，所述射頻開關單元的第一端與所述第一傳輸端口相連，所述射頻開關單元的第二端與所述第二傳輸端口相連，所述射頻開關單元用于控制所述第一傳輸端口與第二傳輸端口之間的通斷狀態；其中，所述射頻開關單元包括多個場效應管，所述多個場效應管的結構參數不完全相同
。
[0006]可選地，每個所述場效應管的結構參數包括場效應管的源極
、
漏極
、
柵極中的任意兩極之間的距離，和
/
或，場效應管的源極
、
漏極
、
柵極中的任意兩極作為寄生電容極板的面積
。
[0007]可選地，每個所述場效應管包括金屬層，所述金屬層設置有源極電極以及漏極電極；所述源極電極以及所述漏極電極分別包括多個叉指，在同一所述場效應管中，所述源極電極的多個叉指與所述漏極電極的多個叉指交替排列，相鄰的源極叉指和漏極叉指之間的間距為源漏間距；其中，所述射頻開關單元包括至少兩個所述源漏間距不同的所述場效應管
。
[0008]可選地，所述金屬層還設置有柵極電極；所述柵極電極包括多個條形的柵電極條，在同一所述場效應管中，任一相鄰的所述源極叉指和所述漏極叉指之間設置有所述柵電極條，相鄰的所述柵電極條和所述源極叉指之間的間距為柵源間距，相鄰的所述柵電極條和所述漏極叉指之間的間距為柵漏間距；其中，所述射頻開關單元包括至少兩個所述柵源間距或所述柵漏間距不同的所述場效應管
。
[0009]可選地，所述場效應管還包括多個所述金屬層，且每相鄰兩個所述金屬層之間具有中間絕緣層；任意兩個相鄰的所述金屬層上的所述源極電極之間通過穿透所述中間絕緣層的過孔連接，任意兩個相鄰的所述金屬層上的所述漏極電極之間通過穿透所述中間絕緣層的過孔連接；位于同一金屬層的所述源極電極以及所述漏極電極分別包括多個叉指，且所述源極電極的多個叉指與所述漏極電極的多個叉指交替排列
。
[0010]可選地，所述多個場效應管中存在至少一個所述源漏間距小于第一距離的第一場效應管，并且所述多個場效應管中還存在至少一個所述源漏間距大于所述第一距離的第二場效應管
。
[0011]可選地，所述第二場效應管的所述源漏間距還大于第二距離，所述第二距離大于所述第一距離
。
[0012]可選地，所述第二距離與第一距離的差值小于或等于
900nm。
[0013]可選地，所述第二距離與第一距離的差值小于或等于
500nm。
[0014]可選地，所述第二距離與第一距離的差值小于或等于
300nm。
[0015]可選地，所述射頻開關單元包括串聯連接的所述多個場效應管，其中，首尾兩端的至少兩個所述場效應管為所述第一場效應管
。
[0016]可選地，所述射頻開關單元包括串聯連接的多個場效應管，沿所述串聯連接的多個場效應管的首尾兩端到中間的方向，各場效應管的源漏間距呈減小趨勢
。
[0017]可選地，每相鄰兩個所述場效應管的源漏間距之差小于或等于
900nm。
[0018]可選地，所述第一傳輸端口的數量為至少一個，所述第二傳輸端口的數量為多個，所述射頻開關單元的數量為多個，任一所述第一傳輸端口與任一所述第二傳輸端口之間對應連接一個所述射頻開關單元
。
[0019]第二方面，本申請實施例提供了一種芯片，包括上述的射頻開關電路
。
[0020]第三方面，本申請實施例提供了一種射頻前端模組，包括上述的芯片
。
[0021]本申請實施例提供的射頻開關電路包括：第一傳輸端口；第二傳輸端口；射頻開關單元，射頻開關單元的第一端與第一傳輸端口相連，射頻開關單元的第二端與第二傳輸端口相連，射頻開關單元用于控制第一傳輸端口與第二傳輸端口之間的通斷狀態；其中，射頻開關單元包括多個場效應管，多個場效應管的結構參數不完全相同
。
如此，在射頻開關電路中各個場效應管的結構參數一致而分壓不均勻時，可通過調整部分場效應管的結構參數，使得多個場效應管的結構參數不完全相同，從而減小分壓過大處場效應管的分壓大小或增大分壓較小處場效應管的分壓大小，使得射頻開關單元中各個場效應管的分壓均勻，避免了因部分場效應管分壓過大，導致場效應管在實際承受的電壓超過自身的擊穿電壓時造成場效應管損壞等問題的發生；同時無需在射頻開關電路中額外設置電子元器件，減小了射頻開關電路的使用面積，并減少了射頻開關電路的制造成本
。
附圖說明
[0022]為了更清楚地說明本申請實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例，對于本領域技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖
。
[0023]圖1示出了本申請一實施例提供的射頻開關電路的電路示意圖
。
[0024]圖2示出了本申請一實施例提供的場效應管的結構示意圖
。
[0025]圖3示出了本申請另一實施例提供的場效應管的結構示意圖
。
[0026]圖4示出了本申請圖3提供的場效應管的橫截面示意圖
。
[0027]圖5示出了本申請一實施例提供的射頻開關單元的電路示意圖
。
[0028]圖6示出了本申請另一實施例提供的射頻開關單元的電路示意圖
。
[0029]圖7示出了本申請另一實施例提供的射頻開關電路的電路示意圖
。
[0030]圖8示出了本申請又一實施例提供的射頻開關電路的電路示意圖
。
[0031]圖9示出了本申請一實施例提供的芯片的結構示意圖
。
[0032]圖
10
示出了本申請一實施例提供的射頻前端模組的結構示意圖
。
具體實施方式
[0033]為了使本
的人員更好地理解本申請方案，下面將本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.
一種射頻開關電路，其特征在于，所述射頻開關電路包括：第一傳輸端口；第二傳輸端口；射頻開關單元，所述射頻開關單元的第一端與所述第一傳輸端口相連，所述射頻開關單元的第二端與所述第二傳輸端口相連，所述射頻開關單元用于控制所述第一傳輸端口與第二傳輸端口之間的通斷狀態；其中，所述射頻開關單元包括多個場效應管，所述多個場效應管的結構參數不完全相同
。2.
根據權利要求1所述的射頻開關電路，其特征在于，每個所述場效應管的結構參數包括場效應管的源極
、
漏極
、
柵極中的任意兩極之間的距離，和
/
或，場效應管的源極
、
漏極
、
柵極中的任意兩極作為寄生電容極板的面積
。3.
根據權利要求1所述的射頻開關電路，其特征在于，每個所述場效應管包括金屬層，所述金屬層設置有源極電極以及漏極電極；所述源極電極以及所述漏極電極分別包括多個叉指，在同一所述場效應管中，所述源極電極的多個叉指與所述漏極電極的多個叉指交替排列，相鄰的源極叉指和漏極叉指之間的間距為源漏間距；其中，所述射頻開關單元包括至少兩個所述源漏間距不同的所述場效應管
。4.
根據權利要求3所述的射頻開關電路，其特征在于，所述金屬層還設置有柵極電極；所述柵極電極包括多個條形的柵電極條，在同一所述場效應管中，任一相鄰的所述源極叉指和所述漏極叉指之間設置有所述柵電極條，相鄰的所述柵電極條和所述源極叉指之間的間距為柵源間距，相鄰的所述柵電極條和所述漏極叉指之間的間距為柵漏間距；其中，所述射頻開關單元包括至少兩個所述柵源間距或所述柵漏間距不同的所述場效應管
。5.
根據權利要求3所述的射頻開關電路，其特征在于，所述場效應管還包括多個所述金屬層，且每相鄰兩個所述金屬層之間具有中間絕緣層；任意兩個相鄰的所述金屬層上的所述源極電極之間通過穿透所述中間絕緣層的過孔連接，任意兩個相鄰的所述金屬層上的所述漏極電極之間通過穿透所述中間絕緣層的過孔連接；位于同一金屬層的所述源極電極以及所述漏極電極分別包括多個叉指，且所述源極電極的多個叉指與所述漏極電極的多...

【專利技術屬性】
技術研發人員：黃浦桓，陳勁業，劉躍，王歡，奉靖皓，
申請(專利權)人：銳磐微電子科技上海有限公司，
類型：發明
國別省市：