【技術實現步驟摘要】
IGBT器件結構及其制備方法
[0001]本專利技術涉及半導體
，特別是涉及一種
IGBT
器件結構及其制備方法
。
技術介紹
[0002]IGBT
（
Insulated Gate Bipolar Transistor
，絕緣柵雙極型晶體管） 器件通常應用于電機，變頻器，
PFC
等多種大電流應用領域，在大多數
IGBT
領域中，需要
IGBT
器件能夠有
10us
的短路時間，為保
IGBT
證器件有
10us
的短路時間，需降低
IGBT
器件電流密度，這樣會極大的增加
IGBT
器件的導通損耗，使得
IGBT
器件的工作效率降低
。
[0003]通常當
IGBT
器件短路發生時，需要通過外圍過流檢測電路，當外圍過流檢測電路檢測到大電路時，會將信號傳遞至
MCU
（
Microcontroller Unit
，微控制單元），
MCU
會將控制信號發送至驅動芯片（
Driver IC
），驅動芯片控制
IGBT
器件關斷，降低電流，減少器件發熱，避免燒毀
。
然而，上述方式需要比較復雜的外圍過流檢測電路，會導致整體結構比較復雜，生產成本較高；外圍檢測電路因為需要檢測信號，傳遞信號需要一定時間，...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.
一種
IGBT
器件結構，其特征在于，包括：電路板；第一芯片，位于所述電路板上；所述第一芯片內具有
IGBT
器件，所述
IGBT
器件包括
IGBT
柵極
、IGBT
發射極和
IGBT
集電極；第二芯片，位于所述第一芯片的上方；所述第二芯片包括
PNP
三極管，所述
PNP
三極管包括發射極
、
集電極和基極；所述
PNP
三極管的集電極經由所述電路板與所述
IGBT
發射極電連接，所述
PNP
三極管的基極經由所述電路板與所述
IGBT
柵極電連接
。2.
根據權利要求1所述的
IGBT
器件結構，其特征在于，所述電路板的正面設有多個焊盤，多個所述焊盤包括間隔排布的第一焊盤
、
第二焊盤
、
第三焊盤和第四焊盤；所述第一焊盤與所述
PNP
三極管的集電極相連接，所述第二焊盤與所述
IGBT
發射極相連接，所述第三焊盤與所述
PNP
三極管的基極相連接，所述第四焊盤與所述
IGBT
柵極相連接；第一焊盤與所述第二焊盤經由所述電路板電連接；所述第三焊盤與所述第四焊盤經由所述電路板電連接
。3.
根據權利要求2所述的
IGBT
器件結構，其特征在于，所述
IGBT
器件結構還包括多條連接導線，多條所述連接導線包括：第一連接導線，所述第一連接導線一端與所述第一焊盤相連接，另一端與所述
PNP
三極管的集電極相連接；第二連接導線，所述第二連接導線一端與所述第二焊盤相連接，另一端與所述
IGBT
發射極相連接；第三連接導線，所述第三連接導線一端與所述第三焊盤相連接，另一端與所述
PNP
三極管的基極相連接；第四連接導線，所述第四連接導線一端與所述第四焊盤相連接，另一端與所述
IGBT
柵極相連接
。4.
根據權利要求2所述的
IGBT
器件結構，其特征在于，所述
IGBT
器件結構還包括：介質保護層，位于所述電路板的背面；多個焊球，多個所述焊球均位于所述電路板的背面，并貫穿所述介質保護層，延伸至所述介質保護層遠離所述電路板的一側；多個連接柱，位于所述電路板內，自所述電路板的正面延伸至所述電路板的背面，以將多個所述焊球與所述第一焊盤
、
所述第二焊盤
、
所述第三焊盤和所述第四焊盤一一對應電連接
。5.
根據權利要求1至4中任一項所述的
IGBT
器件結構，其特征在于，所述
IGBT
器件結構還包括：第一
DAF
層，位于所述電路板與所述第一芯片之間；第二
DAF
層，位于所述第二芯片與所述第一芯片之間
。6.
一種
IGBT
器件結構的制備方法，其特征在于，包括：提供電路板；提供第一芯片，將所述第一芯片鍵合于所述電路板的正面；所述第一芯片內具有
IGBT
器件，所述
IGBT
器件包括
IGBT
柵極
、IGBT
發射極和
IGBT
集電極；提供第二芯片，將所述第二芯片鍵合于所述第一芯片的上方；所述第二芯片包括
PNP
三極管，所述
PNP
三極管包括發射極
、
集電極和基極...
【專利技術屬性】
技術研發人員：侯曉偉，柴展，羅杰馨，
申請(專利權)人：上海功成半導體科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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