【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
一種半橋IPM功率模塊
[0001]本專利技術(shù)涉及智能功率模塊領(lǐng)域，具體而言，涉及一種半橋
IPM
功率模塊
。
技術(shù)介紹
[0002]智能功率模塊
IPM
是一種先進(jìn)的功率開關(guān)器件，而且智能功率模塊內(nèi)部集成了邏輯
、
控制
、
檢測和保護(hù)電路，使用起來方便，不僅減小了系統(tǒng)的體積以及開發(fā)時間，也大大增強了系統(tǒng)的可靠性，適應(yīng)了當(dāng)今功率器件的發(fā)展方向
——
模塊化
、
復(fù)合化和功率集成電路
(PIC)
，在電力電子領(lǐng)域得到了越來越廣泛的應(yīng)用
。
[0003]智能功率模塊廣泛應(yīng)用在電力電子領(lǐng)域，例如電機驅(qū)動應(yīng)用中對空間和功率密度要求較高的場景普遍使用
IPM。
[0004]IPM
從功能上至少包括功率變換功能，功率器件驅(qū)動功能；從結(jié)構(gòu)上包括驅(qū)動芯片
、
功率芯片
、
放置芯片的載體
、
連接芯片之間和芯片與引腳之間的金屬線
、
以及包封整個模塊的封裝體
。
[0005]常見的
IPM
模塊多為驅(qū)動
+
三相全橋結(jié)構(gòu)，如
SOP23
，
DIP24
，
DIP25
，
DIP27
，
DIP29
封裝
IPM。
[0006]目前在消費領(lǐng)域電機驅(qū)動產(chǎn)品有著越來越小型
【技術(shù)保護(hù)點】
【技術(shù)特征摘要】
1.
一種半橋
IPM
功率模塊，其特征在于，包括有封裝體
(15)
，所述封裝體
(15)
的內(nèi)部設(shè)有驅(qū)動
IC
及半橋電路，所述半橋電路中包括有兩個功率管，共同組成一個半橋
IPM
模塊，所述封裝體
(15)
的內(nèi)部設(shè)有金屬銅框架，所述金屬銅框架中包括有
PAD A
板
(13)、PAD B
板
(12)
和
PAD C
板
(14)
，所述封裝體
(15)
的一側(cè)設(shè)有第一引腳
(1)、
第二引腳
(2)、
第三引腳
(3)、
第四引腳
(4)、
第五引腳
(5)、
第六引腳
(6)、
第七引腳
(7)
和第八引腳
(8)
，所述封裝體
(15)
的另一側(cè)設(shè)有第九引腳
(9)、
第十引腳
(10)
和第十一引腳
(11)
；所述半橋電路中的兩個功率管分別為
MOS1
管和
MOS2
管，所述驅(qū)動
IC
放置在所述
PAD A
板
(13)
上，所述
MOS1
管放置在所述
PAD B
板
(12)
上，所述
MOS2
管放置在所述
PAD C
板
(14)
上，所述
MOS1
管和所述
MOS2
管與所述驅(qū)動
IC
電性連接，所述
MOS1
管的漏極與所述第十一引腳
(11)
電性連接，所述
MOS1
管的源極連接所述
MOS2
管的漏極，同時連接所述第十引腳
(10)
和所述驅(qū)動
IC
的
VS
引腳，所述
MOS2
管的源極連接在所述第九引腳
(9)
上，所述
MOS1
管的柵極連接所述驅(qū)動
IC
的
HO
引腳，即所述
MOS1
管的開關(guān)狀態(tài)取決于
HO
引腳和
VS
引腳連接的電平高低，所述
MOS2
管的柵極連接所述驅(qū)動
IC
的
LO
引腳，即所述
MOS2
管的開關(guān)狀態(tài)取決于
LO
引腳和
PGND
引腳連接的電平高低；所述封裝體
(15)
包括有兩種，分別為所述驅(qū)動
IC
的內(nèi)部設(shè)有運放器和未設(shè)有運放器兩種，設(shè)有所述運放器的所述封裝體
(15)
中，所述運放器的負(fù)輸入信號
PGA
?
連接在所述第八引腳
(8)
上，所述運放器的輸出
PGAO
連接在所述第六引腳
(6)
上，所述運放器的正輸入信號
PGA+
連接在所述第九引腳
(9)
上，未設(shè)有所述運放器的所述封裝體
(15)
中，所述第一引腳
(1)、
所述第二引腳
(2)、
所述第三引腳
(3)、
所述第四引腳
(4)、
所述第五引腳
(5)、
所述第六引腳
(6)、
所述第七引腳
(7)
和所述第八引腳
(8)
均與所述驅(qū)動
IC
電性連接
。2.
根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半橋
IPM
功率模塊，其特征在于，所述半橋電路中的兩個功率管采用的是兩個
MOS
管，或者采用兩組
IGBT+FRD
，以及采用兩個
RC
?
IGBT
，并且所述功率管不限于
MOS
管
、IGBT+FRD
組合
、RC
?
IGBT
或者
SIC。3.
根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半橋
IPM
功率模塊，其特征在于，所述驅(qū)動
IC
的
VB
引腳與所述第一引腳
(1)
連接，所述第一引腳
(1)
是高側(cè)自舉電源端，用于實現(xiàn)對上橋功率器件自舉電源輸入，上橋功率器件即為所述
MOS1
管，所述驅(qū)動
IC
的
VCC
引腳和
COM
引腳分別與所述第二引腳
(2)
和所述第七引腳
(7)
連接，所述第二引腳
(2)
和所述第七引腳
(7)
分別為芯片電源供電端和地線端，分別用于實現(xiàn)所述驅(qū)動
IC
供電及下橋功率器件驅(qū)動電源，下橋功率器件即為所述
MOS2
管
。4.
根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半橋
IPM
功率模塊，其特征在于，所述驅(qū)動
IC
的
HIN
引腳和
LIN
引腳分別與所述第三引腳
(3)
和所述第四引腳
(4)
連接，所述第三引腳
(3)
和所述第四引腳
(4)
分別為高側(cè)輸入端和低側(cè)輸入端，分別實現(xiàn)對所述
MOS1
管和所述
MOS2
管進(jìn)行驅(qū)動，所述
HIN
引腳和所述
LIN
引腳實現(xiàn)驅(qū)動信號輸入處理功能，將驅(qū)動信號轉(zhuǎn)換經(jīng)過
HO
引腳
、VS
引腳和
LO
引腳驅(qū)動所述
MOS1
管和所述
MOS2
管的功能
。5.
根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半橋
IPM
功率模塊，其特征在于，所述驅(qū)動
IC
在滿足基本的驅(qū)動功能基礎(chǔ)上，能夠附加以下功能，溫度監(jiān)...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：尹玉君，陳小紅，溫國椋，唐華平，
申請(專利權(quán))人：黃桷樹半導(dǎo)體重慶有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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