一種半導體封裝器件及其封裝方法技術

本發明專利技術涉及半導體器件技術領域，本發明專利技術公開了一種半導體封裝器件及其封裝方法，半導體封裝器件工作時，芯片產生的熱量沿第一引線框架向上傳導，再從第一引線框架的上表面散失到外界；芯片產生的熱量還能夠沿第二引線框架與第三引線框架向下傳導，即形成了多條散熱通道，進一步提高了半導體封裝器件的散熱效率；設置了兩個凹槽，安裝芯片時若焊料溢出，兩個凹槽能夠預防焊料溢上芯片表面，還能增加引線框架與封裝體的結合性，防止兩者分層脫落；通過涂刷焊料的方式使芯片與三個引線框架固定，安裝難度低，生產效率高

【技術實現步驟摘要】
一種半導體封裝器件及其封裝方法


[0001]本專利技術涉及半導體器件
，特別涉及一種半導體封裝器件及其封裝方法
。

技術介紹

[0002]隨著信息時代的發展，半導體器件被普遍應用于各種電子產品中，人們對于這些電子器件的需求也越來越大，其中半導體器件作為電子產品的核心部件，也受到了很大的重視
。
[0003]目前功率型半導體器件大部分采用全包封或者半包封結構，半導體器件內部連接采用引線或者橋式連接方式，這種半導體封裝器件存在以下問題：
1.
采用引線或者橋式連接，加工難度大，生產效率低；
2.
無論是全包封還是半包封，半導體器件的芯片均包封在塑封體內部，半導體器件工作時芯片產生的熱量傳達方式主要是從上往下進行散熱，散熱通道單一，熱量無法高效導出，以降低芯片溫度；
3.
橋式連接所采用的引腳表面一般為平面，封裝體與引腳表面的粘合力差，在使用過程中容易出現引腳與封裝體之間出現分層問題
。
因此，現有技術還有待于改進和發展
。

技術實現思路

[0004]鑒于上述現有技術的不足之處，本專利技術的目的在于提供一種半導體封裝器件及其封裝方法，以解決現有的半導體器件加工難度大問題
、
散熱效率低問題以及引腳與封裝體連接容易分層的問題
。
[0005]一種半導體封裝器件，包括封裝體和設置在所述封裝體內的芯片，所述半導體封裝器件還包括：第一引線框架，所述第一引線框架下端與所述芯片電接觸，所述第一引線框架的上表面延伸出所述封裝體的上表面；第二引線框架，所述第二引線框架上端具有第一凸起以及環繞所述第一凸起的第一凹槽，所述第一凸起上端與所述芯片電接觸，所述第二引線框架的下表面延伸出所述封裝體的下表面；第三引線框架，所述第三引線框架上端具有第二凸起以及環繞所述第二凸起的第二凹槽，所述第二凸起上端與所述芯片電接觸，所述第三引線框架的下表面延伸出所述封裝體的下表面；所述第一引線框架前后左右四個側面均連接有第一連筋，所述第一連筋的外側面延伸出所述封裝體的外側面；所述第二引線框架前后左右四個側面均連接有第二連筋，所述第二連筋的外側面延伸出所述封裝體的外側面；所述第三引線框架前側面與左側面均連接有第三連筋，所述第三連筋的外側面延伸出所述封裝體的外側面
。
[0006]具體的，所述芯片包括柵極
、
源極
、
漏極，所述漏極位于所述芯片上端，所述源極
、
柵極位于所述芯片下端，所述第一引線框架下端通過第一焊料層與所述漏極連接，所述第一凸起通過第二焊料層與所述源極連接，所述第二凸起通過第三焊料層與所述柵極連接
。
[0007]具體的，同一平面上，所述第一連筋與所述第二連筋沿排布方向錯位設置，所述第一連筋與所述第三連筋沿排布方向錯位設置
。
[0008]具體的，所述第一引線框架的上端具有第一散熱部以及環繞所述第一散熱部的第一鏤空槽，所述封裝體的部分填充于所述第一鏤空槽內，所述第一散熱部的上表面延伸出所述封裝體的上表面；所述第二引線框架的下端具有第二散熱部以及環繞所述第二散熱部的第二鏤空槽，所述封裝體的部分填充于所述第二鏤空槽內，所述第二散熱部的下表面延伸出所述封裝體的下表面；所述第三引線框架的下端具有第三散熱部以及環繞所述第三散熱部的第三鏤空槽，所述封裝體的部分填充于所述第三鏤空槽內，所述第三散熱部的下表面延伸出所述封裝體的下表面
。
[0009]具體的，所述第一散熱部上表面與所述漏極上表面的面積比大于
1:1。
[0010]具體的，所述第二散熱部下表面與所述源極下表面的面積比大于
1:1。
[0011]具體的，所述第三散熱部下表面與所述柵極下表面的面積比大于
1:1。
[0012]一種半導體封裝器件的封裝方法，包括以下步驟：
S1
準備第一框架
、
第二框架，其中，所述第一框架包括第一外框以及連接在所述第一外框內側的所述第一引線框架，所述第二框架包括第二外框以及連接在所述第二外框內側的所述第二引線框架與所述第三引線框架；
S2
在所述第二引線框架與所述第三引線框架上分別刷上錫膏，將所述芯片對位固定，然后在所述芯片上刷上錫膏，將所述第一引線框架對位放置，經過固化后得到中間芯層；
S3
通過塑封料將中間芯層包覆，固化后得到封裝體，其中，所述第一引線框架的上表面延伸出所述封裝體的上表面，所述第二引線框架的下表面延伸出所述封裝體的下表面，所述第三引線框架的下表面延伸出所述封裝體的下表面；
S4
將所述第一外框與所述第二外框裁切除去，得到所述半導體封裝器件
。
[0013]本專利技術的有益效果：本專利技術的一種半導體封裝器件及其封裝方法，半導體封裝器件工作時，芯片產生的熱量沿第一引線框架向上傳導，再從第一引線框架的上表面散失到外界；芯片產生的熱量還能夠沿第二引線框架與第三引線框架向下傳導，即形成了多條散熱通道，進一步提高了半導體封裝器件的散熱效率；設置了兩個凹槽，安裝芯片時若焊料溢出，兩個凹槽能夠預防焊料溢上芯片表面，還能增加引線框架與封裝體的結合性，防止兩者分層脫落；通過涂刷焊料的方式使芯片與三個引線框架固定，安裝難度低，生產效率高
。
附圖說明
[0014]本專利技術的上述和
/
或附加的方面和優點從結合下面附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：圖1為本專利技術的一種半導體封裝器件的立體結構圖；
圖2為本專利技術的一種半導體封裝器件的仰視圖；圖3為圖2中
A
?
A
面的剖面圖；圖4為本專利技術的一種半導體封裝器件的爆炸圖；圖5為本專利技術的芯片的背面結構示意圖；圖6為本專利技術的第二引線框架
、
第三引線框架的背面結構示意圖；圖7為本專利技術的第一框架的立體結構圖；圖8為本專利技術的第二框架的立體結構圖
。
[0015]附圖標記為：封裝體
10、
芯片
20、
第一引線框架
30、
第一焊料層
21、
第二引線框架
40、
第一凸起
41、
第一凹槽
42、
第二焊料層
22、
第三引線框架
50、
第二凸起
51、
第二凹槽
52、
第三焊料層
23、
第一連筋
31、
第二連筋
43、
第三連筋
53、
第一散熱部
32、
第一鏤空槽
33、
第二散熱部
44、
第二鏤空槽
45、
第三散熱部
54、
第三鏤空槽
55、
第一框架
60、
第二框架
70。
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【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.
一種半導體封裝器件，包括封裝體（
10
）和設置在所述封裝體（
10
）內的芯片（
20
），其特征在于，所述半導體封裝器件還包括：第一引線框架（
30
），所述第一引線框架（
30
）下端與所述芯片（
20
）電接觸，所述第一引線框架（
30
）的上表面延伸出所述封裝體（
10
）的上表面；第二引線框架（
40
），所述第二引線框架（
40
）上端具有第一凸起（
41
）以及環繞所述第一凸起（
41
）的第一凹槽（
42
），所述第一凸起（
41
）上端與所述芯片（
20
）電接觸，所述第二引線框架（
40
）的下表面延伸出所述封裝體（
10
）的下表面；第三引線框架（
50
），所述第三引線框架（
50
）上端具有第二凸起（
51
）以及環繞所述第二凸起（
51
）的第二凹槽（
52
），所述第二凸起（
51
）上端與所述芯片（
20
）電接觸，所述第三引線框架（
50
）的下表面延伸出所述封裝體（
10
）的下表面；所述第一引線框架（
30
）前后左右四個側面均連接有第一連筋（
31
），所述第一連筋（
31
）的外側面延伸出所述封裝體（
10
）的外側面；所述第二引線框架（
40
）前后左右四個側面均連接有第二連筋（
43
），所述第二連筋（
43
）的外側面延伸出所述封裝體（
10
）的外側面；所述第三引線框架（
50
）前側面與左側面均連接有第三連筋（
53
），所述第三連筋（
53
）的外側面延伸出所述封裝體（
10
）的外側面
。2.
根據權利要求1所述的一種半導體封裝器件，其特征在于，所述芯片（
20
）包括柵極
、
源極
、
漏極，所述漏極位于所述芯片（
20
）上端，所述源極
、
柵極位于所述芯片（
20
）下端，所述第一引線框架（
30
）下端通過第一焊料層（
21
）與所述漏極連接，所述第一凸起（
41
）通過第二焊料層（
22
）與所述源極連接，所述第二凸起（
51
）通過第三焊料層（
23
）與所述柵極連接
。3.
根據權利要求1所述的一種半導體封裝器件，其特征在于，同一平面上，所述第一連筋（
31
）與所述第二連筋（
43
）沿排布方向錯位設置，所述第一連筋（
31
）與所述第三連筋（
53
）沿排布方向錯位設置
。4.
根據權利要求2所述的一種半導體封裝器件，其特征在于，所述第一引線框架（
30
）的上端具有第一散熱部（
...

【專利技術屬性】
技術研發人員：雒繼軍，林品旺，劉耀文，梁曉峰，張亮亮，李健榮，
申請(專利權)人：佛山市藍箭電子股份有限公司，
類型：發明
國別省市：