一種晶片的切割加工方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)涉及晶片切割加工技術(shù)領(lǐng)域，具體公開(kāi)了一種晶片的切割加工方法，先在晶圓的正面粘接一層方便后續(xù)剝離的

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種晶片的切割加工方法


[0001]本專利技術(shù)涉及晶片切割加工
，特別涉及一種晶片的切割加工方法
。

技術(shù)介紹

[0002]集成電路生產(chǎn)時(shí)通常是在一個(gè)晶圓上形成重復(fù)的圖案，從而進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)
。
這樣在一個(gè)晶圓上就一次性能生產(chǎn)出幾十至幾十萬(wàn)顆晶片，每個(gè)晶片被獨(dú)立封裝后形成芯片，實(shí)現(xiàn)特定的功能
。
為了實(shí)現(xiàn)封裝時(shí)進(jìn)行良好切割，一般在晶片之間設(shè)計(jì)了一定間距，此間距的部分被稱為劃片槽，在劃片時(shí)，刀具從劃片槽的中間將晶片劃開(kāi)，實(shí)現(xiàn)晶片的分離
。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)的晶片切割工藝，請(qǐng)參考圖1到圖3所示，將藍(lán)膜
20a
通過(guò)固定環(huán)
50
固定，在藍(lán)膜
20a
上放置晶圓
10a
，轉(zhuǎn)移到劃片機(jī)中，通過(guò)刀片或激光等在晶圓
10a
上沿分割線
60
進(jìn)行切割，經(jīng)過(guò)切割形成多個(gè)晶片
13a。
[0004]在實(shí)際操作過(guò)程中，如圖4所示，經(jīng)過(guò)切割后，晶片
13a
朝向劃片槽的邊角可能出現(xiàn)崩角
80
，影響了晶片
13a
的質(zhì)量
。
[0005]為了解決上述問(wèn)題，申請(qǐng)?zhí)枮?br/>CN202211397300.9
中國(guó)專利申請(qǐng)文件公開(kāi)了一種劃片方法，包括：提供一晶圓，晶圓包括：切割道和陣列排布的多個(gè)芯片；形成絕緣介質(zhì)層，絕緣介質(zhì)層覆蓋芯片和切割道；形成鈍化層，鈍化層覆蓋所述絕緣介質(zhì)層；刻蝕所述鈍化層以得到多條溝槽，其中，鈍化層中的溝槽位于切割道上方；對(duì)晶圓進(jìn)行劃片以得到多個(gè)獨(dú)立的所述芯片
。
通過(guò)對(duì)切割道上的鈍化層進(jìn)行刻蝕，使得切割道上的鈍化層與芯片上的鈍化層隔離，避免了劃片時(shí)鈍化層以及其底部的芯片發(fā)生崩角
、
崩邊或裂紋等缺陷的問(wèn)題，在劃片時(shí)芯片上的鈍化層可以不受劃片影響，從而使得芯片內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)不受到任何影響，提高了劃片的效率，保證了器件的可靠性
。
[0006]上述劃片方法，是直接在硅晶片的上端形成鈍化層
(SiO2、SiNx
或者磷硅玻璃
)
，鈍化層形成后不可逆，難以去除，而且還降低了晶片中硅材料的厚度，影響晶片的電學(xué)性能
。
[0007]因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展
。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

[0008]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，本專利技術(shù)的目的在于提供一種晶片的切割加工方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)的晶片上端形成鈍化層影響其電學(xué)性能的問(wèn)題
。
[0009]一種晶片的切割加工方法，包括以下步驟：
S1
將晶圓置于藍(lán)膜上，烘烤使晶圓的背面與藍(lán)膜粘接；
S2
在晶圓的正面粘接一層
UV
膜；
S3
在
UV
膜上覆蓋一層保護(hù)膜，其中，保護(hù)膜的硬度不低于晶圓的硬度；
S4
將步驟
S3
所得晶圓放入劃片機(jī)中，沿分割線切割出切口，切口的切割深度為
UV
膜
、
保護(hù)膜
、
晶圓總厚度的
0.1~0.3
倍；
S5
沿分割線切割出劃片槽，使晶圓單片化，得到多個(gè)晶片；
S6
采用
UV
燈照射使
UV
膜粘性降低，去除晶片正面的
UV
膜和保護(hù)膜；
S7
利用頂針將藍(lán)膜頂起，通過(guò)吸取裝置將單片晶片吸取并轉(zhuǎn)移
。
[0010]具體的，步驟
S1
中，烘烤時(shí)間為
20~35min
，烘烤溫度為
65~75℃。
[0011]具體的，步驟
S1
中，藍(lán)膜厚度為
105~110
μ
m。
[0012]具體的，所述
UV
膜的厚度為
50~100
μ
m。
[0013]具體的，所述保護(hù)膜與所述晶圓的厚度比為
1:100~5:100。
[0014]具體的，所述保護(hù)膜為氧化鋁膜或氧化硅膜
。
[0015]具體的，所述保護(hù)膜的厚度為
20~30
μ
m。
[0016]具體的，所述切口的寬度小于所述劃片槽的寬度
。
[0017]具體的，步驟
S6
中，所述
UV
燈的紫外光波長(zhǎng)為
365nm
，功率為
80~100W/cm
，照射時(shí)間為
15~30min。
[0018]本專利技術(shù)的有益效果：本專利技術(shù)的一種晶片的切割加工方法，先在晶圓的正面粘接一層方便后續(xù)剝離的
UV
膜，然后在
UV
膜上覆蓋一層保護(hù)膜，并且保護(hù)膜的硬度不低于晶圓的硬度，晶圓切割后得到的晶片無(wú)崩角，產(chǎn)品質(zhì)量好，完成切割后，
UV
膜
、
保護(hù)膜可以直接剝離，不會(huì)對(duì)晶片上端產(chǎn)生影響，確保其電學(xué)性能
。
附圖說(shuō)明
[0019]本專利技術(shù)的上述和
/
或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：圖1為現(xiàn)有技術(shù)和對(duì)比例1的晶圓
、
藍(lán)膜
、
固定環(huán)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)和對(duì)比例1的晶圓上分割線的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為現(xiàn)有技術(shù)和對(duì)比例1的晶圓經(jīng)過(guò)切割形成多個(gè)晶片的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為現(xiàn)有技術(shù)和對(duì)比例1的晶圓切割前后的結(jié)構(gòu)示意圖，分割后晶片形成崩角；圖5為對(duì)比例
3~5
的晶圓切割過(guò)程的結(jié)構(gòu)示意圖，晶片被刀片帶起；圖6為對(duì)比例
9~10
的頂料的結(jié)構(gòu)示意圖，通過(guò)頂針將單片晶片頂起，便于后續(xù)吸取裝置將單片晶片吸取并轉(zhuǎn)移；圖7為對(duì)比例
9~10
的頂料后的晶片背面結(jié)構(gòu)示意圖，部分晶片背面具有印記；圖8為實(shí)施例
1~9
的一種晶片的切割加工方法的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為實(shí)施例
1~9
中經(jīng)過(guò)步驟
S4
后藍(lán)膜
、
晶片的結(jié)構(gòu)示意圖；圖
10
為實(shí)施例
1~9
中步驟
S7
后頂料后的晶片背面結(jié)構(gòu)示意圖，晶片背面沒(méi)有印記
。
[0020]附圖標(biāo)記為：晶圓
10a、10b、10d
；藍(lán)膜
20a、20b、20c、20d
；
UV
膜
30
；保護(hù)膜
40
；切口
11
；劃片槽
12
；晶片
13a、13b、13c、13d
；固定環(huán)
50
；分割線
60
；刀片
70b
；崩角
80、
頂針
...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

【技術(shù)特征摘要】
1.
一種晶片的切割加工方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1
將晶圓置于藍(lán)膜上，烘烤使晶圓的背面與藍(lán)膜粘接；
S2
在晶圓的正面粘接一層
UV
膜；
S3
在
UV
膜上覆蓋一層保護(hù)膜，其中，保護(hù)膜的硬度不低于晶圓的硬度；
S4
將步驟
S3
所得晶圓放入劃片機(jī)中，沿分割線切割出切口，切口的切割深度為
UV
膜
、
保護(hù)膜
、
晶圓總厚度的
0.1~0.3
倍；
S5
沿分割線切割出劃片槽，使晶圓單片化，得到多個(gè)晶片；
S6
采用
UV
燈照射使
UV
膜粘性降低，去除晶片正面的
UV
膜和保護(hù)膜；
S7
利用頂針將藍(lán)膜頂起，通過(guò)吸取裝置將單片晶片吸取并轉(zhuǎn)移
。2.
根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶片的切割加工方法，其特征在于，步驟
S1
中，烘烤時(shí)間為
20~35min
，烘烤溫度為
65~75℃。3....

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：姚劍鋒，葉世交，曾小明，陳嘉淇，羅世健，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：