半導體裝置、半導體裝置制造方法和LED顯示器，提高位置精度。LED顯示器裝置(1)設置有：基底層(26R)，其具有絕緣性；多個薄膜LED(30R)，它們形成于基底層上表面(26RS1)；陰極盤(41cR)和陽極盤(44aG1、44aR、44aB1)，它們與薄膜LED(30R)連接；以及通氣槽(50R)，其設置于與基底層上表面(26RS1)相反一側的面即基底層下表面(26RS2)，通氣槽(50R)形成于基底層(26R)的在從與上表面垂直的發光方向(De)觀察時不與薄膜LED(30R)重疊的區域。時不與薄膜LED(30R)重疊的區域。時不與薄膜LED(30R)重疊的區域。
【技術實現步驟摘要】
半導體裝置、半導體裝置制造方法和LED顯示器
[0001]本專利技術涉及半導體裝置、半導體裝置制造方法和LED顯示器，例如優選應用于將半導體元件安裝于電路基板而成的發光裝置。
技術介紹
[0002]近年來，已提出一種半導體裝置，該半導體裝置是通過選擇性地驅動呈矩陣狀安裝于電路基板的多個半導體元件使其發光而顯示圖像的發光裝置(例如參照專利文獻1)。在這種半導體裝置中，具有作為發光元件的半導體元件的膜狀部件即接合物在與發光元件的發光面垂直的方向上層疊于作為被接合物的基板等。
[0003]專利文獻1：日本特開2022
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23263號公報
[0004]在這種半導體裝置中，在制作接合物后，在與被接合物接合時產生氣泡，可能無法位置精度良好地進行轉印。
技術實現思路
[0005]本專利技術正是考慮以上方面而完成的，提出能夠提高位置精度的半導體裝置和半導體裝置制造方法。
[0006]為了解決該課題，在本專利技術的半導體裝置中設置：平坦化層，其具有絕緣性；多個半導體元件，它們形成于平坦化層的第1面上；連接部，其與半導體元件連接；以及槽部，其設置于平坦化層的與第1面相反一側的面即第2面，槽部形成于在從與第1面垂直的第1方向觀察時不與半導體元件重疊的區域。
[0007]此外，在本專利技術的半導體裝置制造方法中包含以下步驟：犧牲層形成步驟，在形成基板上形成犧牲層，該犧牲層在與跟該形成基板相接的面相反一側的面具有凸部；平坦化層形成步驟，在犧牲層上形成具有絕緣性的平坦化層；半導體元件形成步驟，在平坦化層的第1面上形成多個半導體元件；連接部形成步驟，以與半導體元件連接的方式在平坦化層形成連接部；以及槽部形成步驟，通過去除犧牲層，在平坦化層的與第1面相反一側的第2面形成槽部，凸部配置于在從與第1面垂直的方向觀察時不與半導體元件重疊的區域。
[0008]本專利技術防止在與被接合物接合時在半導體裝置與被接合物之間局部地積存空氣而使其分散，由此，能夠在維持光學特性的同時，提高半導體裝置相對于被接合物的位置精度。
[0009]根據本專利技術，能夠實現能夠提高位置精度的半導體裝置和半導體裝置制造方法。
附圖說明
[0010]圖1是示出LED顯示器裝置的結構的立體圖。
[0011]圖2示出第1實施方式的LED顯示器顯示部的結構，是圖1中的數個像素的區域即A部的放大平面圖。
[0012]圖3示出第1實施方式的電路基板的結構，是從圖2去除薄膜層組后的狀態的放大
平面圖。
[0013]圖4示出第1實施方式的包含相鄰的像素部的一部分的像素部的結構(1)，是圖2中的A
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A向視剖視圖。
[0014]圖5示出第1實施方式的包含相鄰的像素部的一部分的像素部的結構(2)，是圖2中的B
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B向視剖視圖。
[0015]圖6是示出第1實施方式的第1薄膜層的結構的平面圖。
[0016]圖7是示出第1實施方式的第2薄膜層的結構的平面圖。
[0017]圖8是示出第1實施方式的第3薄膜層的結構的平面圖。
[0018]圖9示出第1實施方式的第1薄膜層的制造步驟，是圖6中的C
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C向視剖視圖。
[0019]圖10示出第1實施方式的LED顯示器顯示部的制造步驟，是圖2中的A
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A向視剖視圖。
[0020]圖11示出第2實施方式的LED顯示器顯示部的結構，是圖1中的數個像素的區域即A部的放大平面圖。
[0021]圖12示出第2實施方式的包含相鄰的像素部的一部分的像素部的結構(1)，是圖11中的A
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A向視剖視圖。
[0022]圖13示出第2實施方式的包含相鄰的像素部的一部分的像素部的結構(2)，是圖11中的B
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B向視剖視圖。
[0023]圖14是示出第2實施方式的第1薄膜層的結構的平面圖。
[0024]圖15是示出第2實施方式的第2薄膜層的結構的平面圖。
[0025]圖16是示出第2實施方式的第3薄膜層的結構的平面圖。
[0026]圖17是示出第3實施方式的薄膜層的結構的平面圖。
[0027]圖18示出第3實施方式的像素部的結構和與該像素部相鄰的像素部的一部分的結構，是圖17中的D
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D向視剖視圖。
[0028]圖19是示出第4實施方式的薄膜層的結構的平面圖。
[0029]圖20示出第4實施方式的像素部的結構和與該像素部相鄰的像素部的一部分的結構，是圖19中的E
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E向視剖視圖。
[0030]圖21是示出其他實施方式的通氣槽的結構(1)的平面圖。
[0031]圖22是示出其他實施方式的通氣槽的結構(2)的平面圖。
[0032]圖23是示出其他實施方式的通氣槽的結構(3)的平面圖。
[0033]圖24是示出其他實施方式的通氣槽的結構(4)的平面圖。
[0034]圖25是示出其他實施方式的通氣槽的結構(5)的平面圖。
[0035]圖26是示出其他實施方式的通氣槽的結構(6)的平面圖。
[0036]標號說明
[0037]1、101、201、301：LED顯示器裝置；2、102、202、302、1002、1102、1202、1302：LED顯示器顯示部；3：散熱部件；4：連接纜線；5：連接端子部；6：驅動用驅動器；8、108、208、308、1408：像素部；10、210：電路基板；10M：基材部；10S：基板表面；11：絕緣層；12R、12G、12G、12C：電路連接盤；12T：電路連接盤組；14R、14G、14B、14C：有源元件；16：布線層；18、118：薄膜層組；20R、120R、1420R：第1薄膜層；20G、120G：第2薄膜層；20B、120B：第3薄膜層；220R：薄膜層；20RS1：第1薄膜層上表面；20RS2：第1薄膜層下表面；20GS1：第2薄膜層上表面；20GS2：
第2薄膜層下表面；20BS2：第3薄膜層下表面；22R、22G、22B、22C：垂直方向布線；24：發光部；26R、26G、26B：基底層；26RS1、26GS1、26BS1：基底層上表面；26RS2、26GS2、26BS2：基底層下表面；28R、28G、28B：覆蓋層；30R、30G、30B：薄膜LED；32R、32G、32B：陽極電極；34R、34G、34B：陰極電極；36aR、36aG、36aB、36cR、36cG、36cB：引出布線；38aR、38aG、38aB：層間絕緣膜；40cR、40cG：陰極柱；41cR、41cG、41cB：陰極盤；42aG、42aB1、42aB2：陽極柱；44aG1、44aB1、44aR、44aB2、44aG2、44aB3：陽極盤；45R、45G1、45G2、45B1、45B2、45B3、45B4：虛設柱；47G、47B1、47B2：虛設盤；50R、50G、50B、150本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種半導體裝置，該半導體裝置具有：平坦化層，其具有絕緣性；多個半導體元件，它們形成于所述平坦化層的第1面上；以及槽部，其設置于所述平坦化層的與所述第1面相反一側的面即第2面，所述槽部形成于在從與所述第1面垂直的第1方向觀察時不與所述半導體元件重疊的區域。2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述半導體裝置具有連接部，該連接部與所述半導體元件連接，所述槽部形成于在從所述第1方向觀察時不與所述半導體元件和所述連接部重疊的區域。3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，所述連接部在所述平坦化層的所述第2面露出，使所述半導體元件與位于所述平坦化層的所述第2面側的其他的連接部導通。4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述槽部在所述平坦化層的沿著所述第1面的面方向的端面處與所述平坦化層的外部連通。5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述槽部以在從所述第1方向觀察時至少在比所述半導體元件靠外側處包圍所述半導體元件的方式形成。6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，所述半導體裝置具有連接部，該連接部與所述半導體元件連接，所述槽部以在從所述第1方向觀察時在比所述連接部靠外側處包圍所述半導體元件和所述連接部的方式形成。7.根據權利要求5或6所述的半導體裝置，其中，在從所述第1方向觀察時，所述槽部為格子狀。8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述槽部在至少一部分將多個所述半導體元件的排列方向包含在內的方向上延伸。9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述槽部在所述第1方向上的深度為所述平坦化層在所述第1方向上的厚度的一半以下。10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，在所述平坦化層的所述第2面處，所述槽部從所述第2面朝向所述第1面凹陷。11.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述半導體裝置具有：連接部，其與所述半導體元件連接；第1層，其包含作為所述平坦化層的第1平坦化層、作為所述半導體元件的第1半導體元件、作為所述連接部的第1連接部和作為所述槽部的第1槽部；控制基板，所述第1層以使所述第1平坦化層的所述第2面抵接于該控制基板的方式層疊于該控制基...
【專利技術屬性】
技術研發人員：飯野皓宏，小酒達，古田裕典，松尾元一郎，十文字伸哉，川田寬人，篠原悠貴，
申請(專利權)人：沖電氣工業株式會社，
類型：發明
國別省市：
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