【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及電纜，具體涉及一種高頻低損耗穩相電纜及其制造工藝。
技術介紹
1、高頻低損耗穩相電纜是一種頻率范圍在幾千兆赫茲以上的射頻/微波電纜，其特點是具有很低的信號傳輸損耗和穩相特性。一般來說，高頻信號在傳輸過程中會遇到傳輸損耗和相位變化等問題，這會對信號的質量產生負面影響，甚至導致信號的丟失或失真。而高頻低損耗穩相電纜采用了先進的材料技術和工藝技術，通過設計和優化電纜的結構和參數，使得其具有優異的高頻性能，有效地解決了在高頻傳輸中產生的損耗和相位失真問題。
2、現有的高頻低損耗穩相電纜技術，難以對內導體進行更加穩固的固定，受到外力干擾情況下易在內部出現位移現象；穩相電纜的內部結構較為致密，使得穩相電纜重量過重，難以運輸或安裝。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種高頻低損耗穩相電纜及其制造工藝，解決以下技術問題：
2、現有的高頻低損耗穩相電纜技術，難以對內導體進行更加穩固的固定；同時，穩相電纜的內部結構較為致密，使得穩相電纜重量過重，難以運輸或安裝。
3、本專利技術的目的可以通過以下技術方案實現：
4、一種高頻低損耗穩相電纜及其制造工藝，包括：
5、內導體，所述內導體的外側設置有內導體定位機構，所述內導體和內導體定位機構之間填充有絕緣顆粒，所述內導體定位機構的內部設置有支撐氣腔；
6、絕緣體，所述內導體和內導體定位機構的外側設置有絕緣體；
7、外導體，所述絕緣體的外側設置有外導體，所
8、外屏蔽層，所述緩沖層的外側設置有外屏蔽層，所述外屏蔽層的外側設置有保護套。
9、作為本專利技術進一步的方案：所述內導體包括：
10、第二內導體，所述第二內導體的外側包覆有內保護層，所述內保護層的外側設置有中空保護套；
11、第一內導體，所述第一內導體設置有若干個，若干個所述第一內導體呈環形陣列狀分布于第二內導體的外側，所述第一內導體的外側設置有若干個內導體保護管，若干個所述內導體保護管的外側包覆有內導體保護套。
12、作為本專利技術進一步的方案：所述內導體定位機構包括：
13、中空保護套，所述中空保護套的內部設置有支撐氣腔，所述中空保護套的外側連接有支撐管；
14、支撐管，所述支撐管與內導體保護套間隔設置；
15、支撐弧形管，所述內導體保護套的外側設置有支撐弧形管，所述支撐弧形管的兩端連接到相鄰設置的所述第一內導體的內導體保護套的外側。
16、作為本專利技術進一步的方案：所述內導體定位機構還包括內導體保護管；
17、其中，所述內導體定位機構的中空保護套的支撐氣腔內部與支撐管和支撐弧形管的內部空腔相互連通。
18、作為本專利技術進一步的方案：所述中空保護套、支撐管和支撐弧形管采用聚酰亞胺材料；所述緩沖層采用聚丙烯材料。
19、作為本專利技術進一步的方案：所述絕緣體設置為微孔改性四氟乙烯絕緣層。
20、作為本專利技術進一步的方案：保護套設置為改性全氟乙丙烯保護層。
21、一種高頻低損耗穩相電纜制造工藝,其特征在于，包括以下步驟：
22、s1：對鋁芯外側包覆管狀銅層形成銅包銀線芯，在銅包銀線芯的外側進行鍍銀，將鍍銀后的銅包銀線芯正反絞合作為電纜的內導體；
23、s2：在內導體的外側安裝內導體定位機構，在所述內導體定位機構內部設置支撐氣腔；
24、s3：將安裝完內導體定位機構的內導體放置于-70℃～-30℃的低溫環境中保溫3～5小時，進行低溫處理；
25、s4：通過擠出設備拉伸出微孔改性四氟乙烯絕緣層，微孔改性四氟乙烯絕緣層加熱至高溫100℃～180℃包覆在低溫處理后的內導體和內導體定位機構的外側作為絕緣體，并靜置1小時后，再次至于-70℃～-30℃的低溫環境中保溫2～3小時，進行二次低溫處理；
26、s5：二次低溫處理后，依次在絕緣體的外側設置外導體、緩沖層、外屏蔽層和保護套，形成最終產品。
27、作為本專利技術進一步的方案：所述步驟s2在內導體的外側安裝內導體定位機構包括以下步驟：
28、制出若干個內導體，將其中一個內導體作為電纜中心的第二內導體，其余的內導體作為圍繞在第二內導體外側的第一內導體；
29、將聚酰亞胺原料擠出若干個管狀的內導體保護管，將若干個內導體保護管環繞貼附在第一內導體的外側，將聚四氟乙烯帶包覆在貼附內導體保護管后的第一內導體外側，形成內導體保護套；
30、將每個貼附內導體保護管并包覆內導體保護套的第一內導體排列在第二內導體的周圍；
31、第二內導體的外側包覆一層內保護層，將包覆過內保護層的第二內導體套入中空保護套，中空保護套的外側連接支撐管，將支撐管與內導體保護套間隔設置，內導體保護套之間連接支撐弧形管，支撐弧形管的中部連接到支撐管。
32、作為本專利技術進一步的方案：所述步驟s5中二次低溫處理后，依次在絕緣體的外側設置外導體、緩沖層、外屏蔽層和保護套包括以下步驟：
33、二次低溫處理后，在絕緣體的外側編織鍍銀銅圓線作為電纜的外導體，在外導體的外側包覆聚丙烯涂層作為緩沖層；
34、在緩沖層的外側編織銅包律扁線作為電纜的外屏蔽層，將包覆外屏蔽層后的電纜放置80℃～120℃的高溫箱中保溫1小時，進行高溫處理；
35、高溫處理后，在外屏蔽層的外側包覆至少一層改性全氟乙丙烯保護層，并冷卻至室溫，形成最終產品。
36、本專利技術的有益效果：
37、本專利技術通過內導體定位機構的內部設置有支撐氣腔，使得內導體的位置更加穩定，支撐氣腔也可為內導體進行減震，起到保護內導體的效果；支撐氣腔相較于填充材料等其他填充方式，可以減少電纜內部的材料使用量，有利于降低電纜的重量。同時，配合內導體和內導體定位機構之間填充有絕緣顆粒，增加內導體之間的絕緣性，絕緣顆粒也增加了緩沖性能。
38、本專利技術通過安裝完內導體定位機構的內導體放置于-70℃～-30℃的低溫環境中保溫3～5小時，進行低溫處理，可使得內導體定位機構的支撐氣腔在低溫下收縮，同時微孔改性四氟乙烯絕緣層加熱至高溫100℃～180℃，使得微孔改性四氟乙烯絕緣層受熱膨脹，此時將微孔改性四氟乙烯絕緣層包覆在經過低溫處理的內導體和內導體定位機構的外側，使得靜置到室溫時，絕緣體有一定收縮，內導體和內導體定位機構在支撐氣腔作用下有一定膨脹，使得絕緣體更加緊固的包裹在內導體和內導體定位機構的外側。
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1.一種高頻低損耗穩相電纜，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的一種高頻低損耗穩相電纜,其特征在于，所述內導體包括：
3.根據權利要求2所述的一種高頻低損耗穩相電纜,其特征在于，所述內導體定位機構包括：
4.根據權利要求3所述的一種高頻低損耗穩相電纜,其特征在于，所述內導體定位機構還包括內導體保護管(2)；
5.根據權利要求3所述的一種高頻低損耗穩相電纜,其特征在于，所述中空保護套(14)、支撐管(5)和支撐弧形管(6)采用聚酰亞胺材料；所述緩沖層(9)采用聚丙烯材料。
6.根據權利要求1所述的一種高頻低損耗穩相電纜,其特征在于，所述絕緣體(7)設置為微孔改性四氟乙烯絕緣層。
7.根據權利要求1所述的一種高頻低損耗穩相電纜,其特征在于，保護套(11)設置為改性全氟乙丙烯保護層。
8.一種高頻低損耗穩相電纜制造工藝,其特征在于，包括以下步驟：
9.根據權利要求8所述的一種高頻低損耗穩相電纜制造工藝,其特征在于，所述步驟S2在內導體的外側安裝內導體定位機構包括以下步驟：
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