【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及顯示，尤其涉及一種低幀頻顯示的像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法及顯示設(shè)備。
技術(shù)介紹
1、目前，隨著顯示技術(shù)的不斷進(jìn)步，人們對(duì)顯示面板的要求也逐漸提高，顯示面板正朝著高質(zhì)量顯示、低功耗的方向發(fā)展。為了降低功耗延長(zhǎng)待機(jī)時(shí)間，可以通過(guò)降低幀頻來(lái)減少顯示數(shù)據(jù)的刷新頻率來(lái)降低功耗，可是當(dāng)顯示面板的刷新頻率降低時(shí)，像素電路的漏電問(wèn)題經(jīng)過(guò)時(shí)間的積累將變得嚴(yán)重，容易導(dǎo)致畫面顯示出現(xiàn)閃爍，從而影響了顯示面板的顯示質(zhì)量。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點(diǎn)，而提出的適用于低幀頻顯示的像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法及顯示設(shè)備，以降低像素電路的漏電并提升顯示效果。
2、為解決上述問(wèn)題，第一方面，本專利技術(shù)實(shí)施例提供一種低幀頻顯示的像素電路，包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、第七晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、第一電容、第二電容及發(fā)光器件；
3、第一晶體管的控制極連接復(fù)位信號(hào)線crst，第一晶體管的第一極連接驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極，第一晶體管的第二極連接初始化電壓vinitn；
4、第二晶體管的控制極連接掃描信號(hào)線scanb，第二晶體管的第一極連接驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極，第二晶體管的第二極連接第七晶體管的第一極；
5、第三晶體管的控制極連接掃描信號(hào)線scan，第三晶體管的第一極連接數(shù)據(jù)信號(hào)線vdata，第三晶體管的第二極連接驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極；
6、第四晶體管控制極連接使能信號(hào)線em，第四晶體管的第一
7、第五晶體管的控制極連接使能信號(hào)線em，第五晶體管的第一極連接發(fā)光器件的陽(yáng)極，第五晶體管的第二極連接驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極；
8、第六晶體管的控制極連接復(fù)位信號(hào)線orst，第六晶體管的第一極連接初始化電壓vinitn，第六晶體管的第二極連接發(fā)光器件的陽(yáng)極；
9、第七晶體管的控制極連接掃描信號(hào)線scanb，第七晶體管的第二極連接驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極；
10、第一電容的第一極連接驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極，第一電容的第二極連接第一電源電壓elvdd；
11、第二電容的第一極連接第二晶體管的第二極，第二電容的第二極連接第一電源電壓elvdd；
12、發(fā)光器件的陰極連接第二電源電壓elvss。
13、優(yōu)選地，第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、第七晶體管及驅(qū)動(dòng)晶體管均為單柵晶體管。
14、優(yōu)選地，第一電容及第二電容的參數(shù)相同。
15、優(yōu)選地，發(fā)光器件為oled、micro?led或qled中的一種。
16、第二方面，本專利技術(shù)實(shí)施例還提供一種低幀頻顯示的像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，用于驅(qū)動(dòng)如本專利技術(shù)第一方面的低幀頻顯示的像素電路，驅(qū)動(dòng)方法包括：
17、在t1階段，僅復(fù)位信號(hào)線orst輸入低電平，使得第六晶體管開(kāi)啟，第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第七晶體管關(guān)閉，發(fā)光器件的陽(yáng)極電壓被重置為vinitn；
18、在t2階段，僅復(fù)位信號(hào)線crst和掃描信號(hào)線scanb輸入低電平，使得第一晶體管、第二晶體管及第七晶體管開(kāi)啟，第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管及第六晶體管關(guān)閉，此時(shí)電路中節(jié)點(diǎn)電壓v(g)＝v(m)＝v(d)＝vinitn；
19、在t3階段，僅掃描信號(hào)線scan和掃描信號(hào)線scanb輸入低電平，使得第二晶體管、第三晶體管及第七晶體管開(kāi)啟，第一晶體管、第四晶體管、第五晶體管及第六晶體管關(guān)閉，此時(shí)數(shù)據(jù)信號(hào)vdata對(duì)v(g)進(jìn)行充電，充電完畢后v(g)＝vdata+vth，v(m)＝v(g)；
20、在t4階段，僅使能信號(hào)線em輸入低電平，使得第四晶體管和第五晶體管開(kāi)啟，第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第六晶體管及第七晶體管關(guān)閉，由于第二電容的穩(wěn)壓作用，使得v(m)電壓保持穩(wěn)定，此時(shí)電路中節(jié)點(diǎn)電壓v(m)＝v(g)＝vdata+vth，v(s)＝elvdd，驅(qū)動(dòng)晶體管產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電流id；驅(qū)動(dòng)電流id與vth無(wú)關(guān)。
21、第三方面，本專利技術(shù)實(shí)施例還提供一種低幀頻顯示的像素電路，包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、第七晶體管、第八晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、第一電容及發(fā)光器件；
22、第一晶體管的控制極連接復(fù)位信號(hào)線crst，第一晶體管的第一極連接驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極，第一晶體管的第二極連接初始化電壓vinitn；
23、第二晶體管的控制極連接掃描信號(hào)線scanb，第二晶體管的第一極連接驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極，第二晶體管的第二極連接第七晶體管的第一極；
24、第三晶體管的控制極連接掃描信號(hào)線scan，第三晶體管的第一極連接數(shù)據(jù)信號(hào)線vdata，第三晶體管的第二極連接驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極；
25、第四晶體管控制極連接使能信號(hào)線em，第四晶體管的第一極連接驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極，第四晶體管的第二極連接第一電源電壓elvdd；
26、第五晶體管的控制極連接使能信號(hào)線em，第五晶體管的第一極連接發(fā)光器件的陽(yáng)極，第五晶體管的第二極連接驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極；
27、第六晶體管的控制極連接復(fù)位信號(hào)線orst，第六晶體管的第一極連接初始化電壓vinitn，第六晶體管的第二極連接發(fā)光器件的陽(yáng)極；
28、第七晶體管的控制極連接掃描信號(hào)線scanb，第七晶體管的第二極連接驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極；
29、第八晶體管的控制極連接使能信號(hào)線em，第八晶體管的第一極連接可調(diào)電壓vinitx，第八晶體管的第二極連接第二晶體管的第二極；
30、第一電容的第一極連接驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極，第一電容的第二極連接第一電源電壓elvdd；
31、發(fā)光器件的陰極連接第二電源電壓elvss。
32、優(yōu)選地，第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、第七晶體管、第八晶體管及驅(qū)動(dòng)晶體管均為單柵晶體管。
33、優(yōu)選地，發(fā)光器件為oled、micro?led或qled中的一種。
34、第四方面，本專利技術(shù)實(shí)施例還提供一種低幀頻顯示的像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，用于驅(qū)動(dòng)如第三方面中的低幀頻顯示的像素電路，驅(qū)動(dòng)方法包括：
35、在t1階段，僅復(fù)位信號(hào)線orst輸入低電平，使得第六晶體管開(kāi)啟，第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第七晶體管及第八晶體管關(guān)閉，發(fā)光器件的陽(yáng)極電壓被重置為vinitn；
36、在t2階段，僅復(fù)位信號(hào)線crst和掃描信號(hào)線scanb輸入低電平，使得第一晶體管、第二晶體管及第七晶體管開(kāi)啟，第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管及第八晶體管關(guān)閉，此時(shí)電路中節(jié)點(diǎn)電壓
37、v(g)＝v(m)＝v(d)＝vinitn；
38、在t3階段，僅掃描信號(hào)線本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種低幀頻顯示的像素電路，其特征在于，包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、第七晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、第一電容、第二電容及發(fā)光器件；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低幀頻顯示的像素電路，其特征在于，所述第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、第七晶體管及驅(qū)動(dòng)晶體管均為單柵晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低幀頻顯示的像素電路，其特征在于，所述第一電容及第二電容的參數(shù)相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低幀頻顯示的像素電路，其特征在于，所述發(fā)光器件為OLED、micro?LED或QLED中的一種。
5.一種低幀頻顯示的像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，用于驅(qū)動(dòng)如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的低幀頻顯示的像素電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)方法包括：
6.一種低幀頻顯示的像素電路，其特征在于，包括：一種低幀頻顯示的像素電路，其特征在于，包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、第七晶體管、第八晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、第一電容及發(fā)光器件；
7
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低幀頻顯示的像素電路，其特征在于，所述發(fā)光器件為OLED、micro?LED或QLED中的一種。
9.一種低幀頻顯示的像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，用于驅(qū)動(dòng)如權(quán)利要求6-8中任一項(xiàng)所述的低幀頻顯示的像素電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)方法包括：
10.一種顯示設(shè)備，其特征在于，包括像素電路陣列，所述像素電路陣列包括如權(quán)利要求1-4及6-8中任一項(xiàng)所述的低幀頻顯示的像素電路。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種低幀頻顯示的像素電路，其特征在于，包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、第七晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、第一電容、第二電容及發(fā)光器件；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低幀頻顯示的像素電路，其特征在于，所述第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、第七晶體管及驅(qū)動(dòng)晶體管均為單柵晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低幀頻顯示的像素電路，其特征在于，所述第一電容及第二電容的參數(shù)相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低幀頻顯示的像素電路，其特征在于，所述發(fā)光器件為oled、micro?led或qled中的一種。
5.一種低幀頻顯示的像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，用于驅(qū)動(dòng)如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的低幀頻顯示的像素電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)方法包括：
6.一種低幀頻顯示的像素電路，其特征在于，...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：胡中藝，王士鋒，胡君文，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：信利惠州智能顯示有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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