【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種可動嵌入式微結構，特別是涉及一種包括多層線圈的可動嵌入式微結構。
技術介紹
1、由于電子產品正朝著更小、更薄的方向發展，如何縮小這些電子產品的尺寸始成一重要的課題。微機電系統(micro?electromechanical?system；mems)技術是一種用以有效地縮小元件尺寸的技術。微機電系統技術的概念是結合半導體加工技術及精準的機械技術，并制造具多功能的微型元件及微型系統。然而，用以制造動圈式揚聲器的微機電系統技術仍未有所發展。
技術實現思路
1、本專利技術的一些實施例提供一種可動嵌入式微結構，包括：基板、振膜、電路板、永久磁性元件以及多層線圈。前述基板具有中空腔室。前述振膜設置于前述基板上，且覆蓋前述中空腔室。前述電路板接合至前述基板。前述永久磁性元件設置于前述電路板上，且設置于前述中空腔室中。前述多層線圈嵌入于前述振膜中。
2、在一些實施例中，前述可動嵌入式微結構還包括絕緣層，形成于前述基板和前述振膜之間。前述可動嵌入式微結構還包括籽晶層及軟磁元件，其中前述籽晶層設置于前述絕緣層和前述軟磁元件之間。前述籽晶層及前述軟磁元件嵌入于前述振膜中。前述軟磁元件及前述永久磁性元件位于不同的水平面上。前述籽晶層包括鈦及/或銅。前述軟磁元件包括鎳鐵合金。
3、在一些實施例中，前述多層線圈包括第一層及第二層，且前述第一層與前述第二層至少部分重疊。前述可動嵌入式微結構還包括介電層，形成于前述第一層和前述第二層之間。前述介電層具有多個通孔，且前述第一
4、在一些實施例中，前述多層線圈包括鋁硅合金、鋁或銅。前述振膜包括大分子材料，且前述大分子材料的楊氏模數(young’s?modulus)介于1mpa至100gpa的范圍內。在一些實施例中，一溝槽形成在前述振膜周圍。前述電路板具有氣孔，且前述氣孔允許前述中空腔室與外界環境連通。
5、本專利技術的一些實施例提供一種微型揚聲器，包括：基底、振膜、電路板、永久磁性元件、多層線圈以及軟磁元件。前述基底具有中空腔室。前述振膜設置于前述基板上，且覆蓋前述中空腔室。前述電路板接合至前述基板。前述永久磁性元件設置于前述電路板上，且設置于前述中空腔室中。前述多層線圈嵌入于前述振膜中。前述軟磁元件設置于前述基板上，且嵌入于前述振膜中。
6、為讓本專利技術的上述和其他目的、特征和優點能更明顯易懂，下文特舉出優選實施例，并配合所附的附圖，做詳細說明如下。
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1.一種可動嵌入式微結構，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的可動嵌入式微結構，還包括絕緣層，形成于該基板和該振膜之間。
3.如權利要求2所述的可動嵌入式微結構，還包括籽晶層及軟磁元件，其中該籽晶層設置于該絕緣層和該軟磁元件之間。
4.如權利要求3所述的可動嵌入式微結構，其中該籽晶層及該軟磁元件嵌入于該振膜中，并位于所述第一層的螺旋結構周圍。
5.如權利要求3所述的可動嵌入式微結構，其中該軟磁元件及該永久磁性元件位于不同的水平面上。
6.如權利要求3所述的可動嵌入式微結構，其中該籽晶層包括鈦及/或銅。
7.如權利要求3所述的可動嵌入式微結構，其中該軟磁元件包括鎳鐵合金。
8.如權利要求1所述的可動嵌入式微結構，其中該介電層具有多個通孔，且該第一層通過該多個通孔與該第二層電連接。
9.如權利要求8所述的可動嵌入式微結構，其中在垂直方向上，位于該介電層上的該多個通孔的其中數者會與該振膜的開口重疊。
10.如權利要求1所述的可動嵌入式微結構，其中該第一層設置于該振膜的中心軸
11.如權利要求10所述的可動嵌入式微結構，其中該第一層于該振膜的開口中與該第二層電連接，且該第一層具有S形結構，將該螺旋結構連接至該開口。
12.如權利要求1所述的可動嵌入式微結構，其中該多層線圈包括鋁硅合金、鋁或銅。
13.如權利要求1所述的可動嵌入式微結構，其中該振膜包括大分子材料，且該大分子材料的楊氏模數介于1MPa至100GPa的范圍內。
14.如權利要求1所述的可動嵌入式微結構，其中一溝槽形成在該振膜周圍。
15.如權利要求1所述的可動嵌入式微結構，其中該電路板具有多個氣孔，且該多個氣孔允許該中空腔室與外界環境連通。
16.一種可動嵌入式微結構，其特征在于，包括：
17.一種微型揚聲器，其特征在于，包括：
...【技術特征摘要】
1.一種可動嵌入式微結構，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的可動嵌入式微結構，還包括絕緣層，形成于該基板和該振膜之間。
3.如權利要求2所述的可動嵌入式微結構，還包括籽晶層及軟磁元件，其中該籽晶層設置于該絕緣層和該軟磁元件之間。
4.如權利要求3所述的可動嵌入式微結構，其中該籽晶層及該軟磁元件嵌入于該振膜中，并位于所述第一層的螺旋結構周圍。
5.如權利要求3所述的可動嵌入式微結構，其中該軟磁元件及該永久磁性元件位于不同的水平面上。
6.如權利要求3所述的可動嵌入式微結構，其中該籽晶層包括鈦及/或銅。
7.如權利要求3所述的可動嵌入式微結構，其中該軟磁元件包括鎳鐵合金。
8.如權利要求1所述的可動嵌入式微結構，其中該介電層具有多個通孔，且該第一層通過該多個通孔與該第二層電連接。
9.如權利要求8所述的可動嵌入式微結構，其中在垂直方向上，位于該介...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳立仁，傅宥閔，鄭裕庭，龔詩欽，
申請(專利權)人：美商富迪科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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