【技術實現步驟摘要】
本技術涉及一種太陽能單晶爐磁場裝置。
技術介紹
1、太陽能單晶爐是將高純度的硅料加熱至熔化狀態后，通過特定的結晶方法將其生長成單晶硅棒，再將硅棒切割成薄片，制成太陽能光伏電池。單晶硅的制備過程對于太陽能光伏電池的性能至關重要，而在實際晶體生長過程中,由于重力的存在,使得高溫熔體中存在熱對流,很難保證邊界層的穩定性,生長出來的晶體存在成分不均勻現象,缺陷較多,各項性能較低，因此通過單晶爐磁場裝置抑制熱對流和硅液中的氧含量從而提升晶棒的性能，而傳統的磁場裝置體積大，同體積下的磁場強度低，能耗大，達到同等性能要求下的成本較高，因此需要改進。
技術實現思路
1、為解決上述問題，本技術要解決的技術問題是提供一種結構緊湊、成本低的太陽能單晶爐磁場裝置。
2、本技術太陽能單晶爐磁場裝置采用的技術方案:?其特征在于包括磁屏蔽殼體、相對設置在所述磁屏蔽殼體內的第一磁體組件和第二磁體組件，所述磁屏蔽殼體中部設有磁體置入口，所述磁屏蔽殼體前后端內壁上設有線圈固定塊，所述第一磁體組件和所述第二磁體組件均包括磁體殼體、設在所述磁體殼體內的主線圈、進電導電板、出電導電板、進水總管和出水總管，所述主線圈中部設有套設在所述線圈固定塊上的線圈安裝口，所述主線圈包括從上至下堆疊串聯在一起的銅管單元，所述銅管單元包括第一銅管、第二銅管、第三銅管和導電塊，所述第一銅管、所述第二銅管和所述第三銅管均設有與所述進水總管連通的銅管進水口和與所述出水總管連通的銅管出水口，所述第一銅管正端與所述進電導電板連接，所述第一
3、所述第一銅管、所述第二銅管和所述第三銅管均設有上下雙層重疊且從內至外間隔設置的銅管環形回路，相鄰的所述銅管環形回路之間形成用于所述第一銅管、所述第二銅管和所述第三銅管插入的環形回路插入口。
4、所述第二銅管的所述銅管環形回路、所述第一銅管的所述銅管環形回路和所述第三銅管的所述銅管環形回路依次并排設置。
5、所述銅管環形回路的數量為6圈。
6、所述第二銅管正端和所述第二銅管負端分別置于所述第一銅管負端和所述第一銅管正端的外側，所述第三銅管正端和所述第三銅管負端分別置于所述第二銅管負端和所述第二銅管正端的外側。
7、所述線圈固定塊前端兩側設有用于所述第一磁體組件和所述第二磁體組件定位的引磁擋塊。
8、所述磁體置入口、所述線圈安裝口和所述銅管環形回路均為方形結構。
9、所述引磁擋塊為三角形結構，其三個角上均設有引磁塊切角。
10、所述磁體殼體包括用于所述主線圈安裝的線圈殼體部和水電安裝殼體部，所述水電安裝殼體部正面設有與所述進水總管和所述出水總管相對應的走水孔，所述水電安裝殼體部側部設有與所述進電導電板和所述出電導電板相對應的導電板外接口。
11、所述水電安裝殼體部設在所述線圈殼體部上端，所述第一磁體組件和所述第二磁體組件相對設置，所述第一磁體組件的所述導電板外接口朝向右側，所述第二磁體組件的所述導電板外接口朝向左側。
12、本技術太陽能單晶爐磁場裝置的優點在于：磁場裝置結構緊湊，同體積下的磁場強度高，集成設計能耗小，可以有效降低硅液里的氧含量，使硅液氧含量小于10ppm同時成本較低。
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1.一種太陽能單晶爐磁場裝置，其特征在于：包括磁屏蔽殼體（1）、相對設置在所述磁屏蔽殼體（1）內的第一磁體組件（2）和第二磁體組件（3），所述磁屏蔽殼體（1）中部設有磁體置入口（5），所述磁屏蔽殼體（1）前后端內壁上設有線圈固定塊（6），所述第一磁體組件（2）和所述第二磁體組件（3）均包括磁體殼體（9）、設在所述磁體殼體（9）內的主線圈（10）、進電導電板（11）、出電導電板（12）、進水總管（13）和出水總管（14），所述主線圈（10）中部設有套設在所述線圈固定塊（6）上的線圈安裝口（15），所述主線圈（10）包括從上至下堆疊串聯在一起的銅管單元（16），所述銅管單元（16）包括第一銅管（18）、第二銅管（19）、第三銅管（20）和導電塊（21），所述第一銅管（18）、所述第二銅管（19）和所述第三銅管（20）均設有與所述進水總管（13）連通的銅管進水口（24）和與所述出水總管（14）連通的銅管出水口（25），所述第一銅管（18）正端與所述進電導電板（11）連接，所述第一銅管（18）負端與所述第二銅管（19）正端通過所述導電塊（21）連接，所述第二銅管（19）負端與所述第三銅管
2.根據權利要求1所述的太陽能單晶爐磁場裝置，其特征在于：所述第一銅管（18）、所述第二銅管（19）和所述第三銅管（20）均設有上下雙層重疊且從內至外間隔設置的銅管環形回路（27），相鄰的所述銅管環形回路（27）之間形成用于所述第一銅管（18）、所述第二銅管（19）和所述第三銅管（20）插入的環形回路插入口（28）。
3.根據權利要求2所述的太陽能單晶爐磁場裝置，其特征在于：所述第二銅管（19）的所述銅管環形回路（27）、所述第一銅管（18）的所述銅管環形回路（27）和所述第三銅管（20）的所述銅管環形回路（27）依次并排設置。
4.根據權利要求2所述的太陽能單晶爐磁場裝置，其特征在于：所述銅管環形回路（27）的數量為6圈。
5.根據權利要求1所述的太陽能單晶爐磁場裝置，其特征在于：所述第二銅管（19）正端和所述第二銅管（19）負端分別置于所述第一銅管（18）負端和所述第一銅管（18）正端的外側，所述第三銅管（20）正端和所述第三銅管（20）負端分別置于所述第二銅管（19）負端和所述第二銅管（19）正端的外側。
6.根據權利要求1所述的太陽能單晶爐磁場裝置，其特征在于：所述線圈固定塊（6）前端兩側設有用于所述第一磁體組件（2）和所述第二磁體組件（3）定位的引磁擋塊（7）。
7.根據權利要求2所述的太陽能單晶爐磁場裝置，其特征在于：所述磁體置入口（5）、所述線圈安裝口（15）和所述銅管環形回路（27）均為方形結構。
8.根據權利要求6所述的太陽能單晶爐磁場裝置，其特征在于：所述引磁擋塊（7）為三角形結構，其三個角上均設有引磁塊切角（30）。
9.根據權利要求1所述的太陽能單晶爐磁場裝置，其特征在于：所述磁體殼體（9）包括用于所述主線圈（10）安裝的線圈殼體部（31）和水電安裝殼體部（32），所述水電安裝殼體部（32）正面設有與所述進水總管（13）和所述出水總管（14）相對應的走水孔（34），所述水電安裝殼體部（32）側部設有與所述進電導電板（11）和所述出電導電板（12）相對應的導電板外接口（35）。
10.根據權利要求9所述的太陽能單晶爐磁場裝置，其特征在于：所述水電安裝殼體部（32）設在所述線圈殼體部（31）上端，所述第一磁體組件（2）和所述第二磁體組件（3）相對設置，所述第一磁體組件（2）的所述導電板外接口（35）朝向右側，所述第二磁體組件（3）的所述導電板外接口（35）朝向左側。
...【技術特征摘要】
1.一種太陽能單晶爐磁場裝置，其特征在于：包括磁屏蔽殼體（1）、相對設置在所述磁屏蔽殼體（1）內的第一磁體組件（2）和第二磁體組件（3），所述磁屏蔽殼體（1）中部設有磁體置入口（5），所述磁屏蔽殼體（1）前后端內壁上設有線圈固定塊（6），所述第一磁體組件（2）和所述第二磁體組件（3）均包括磁體殼體（9）、設在所述磁體殼體（9）內的主線圈（10）、進電導電板（11）、出電導電板（12）、進水總管（13）和出水總管（14），所述主線圈（10）中部設有套設在所述線圈固定塊（6）上的線圈安裝口（15），所述主線圈（10）包括從上至下堆疊串聯在一起的銅管單元（16），所述銅管單元（16）包括第一銅管（18）、第二銅管（19）、第三銅管（20）和導電塊（21），所述第一銅管（18）、所述第二銅管（19）和所述第三銅管（20）均設有與所述進水總管（13）連通的銅管進水口（24）和與所述出水總管（14）連通的銅管出水口（25），所述第一銅管（18）正端與所述進電導電板（11）連接，所述第一銅管（18）負端與所述第二銅管（19）正端通過所述導電塊（21）連接，所述第二銅管（19）負端與所述第三銅管（20）正端通過所述導電塊（21），所述第三銅管（20）負端與所述出電導電板（12）連接。
2.根據權利要求1所述的太陽能單晶爐磁場裝置，其特征在于：所述第一銅管（18）、所述第二銅管（19）和所述第三銅管（20）均設有上下雙層重疊且從內至外間隔設置的銅管環形回路（27），相鄰的所述銅管環形回路（27）之間形成用于所述第一銅管（18）、所述第二銅管（19）和所述第三銅管（20）插入的環形回路插入口（28）。
3.根據權利要求2所述的太陽能單晶爐磁場裝置，其特征在于：所述第二銅管（19）的所述銅管環形回路（27）、所述第一銅管（18）的所述銅管環形回路（27）和所述第三銅管（20）的所...
【專利技術屬性】
技術研發人員：周云龍，吳凌鋒，
申請(專利權)人：浙江晶泰半導體有限公司，
類型：新型
國別省市：
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