【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及cmp拋光墊的，尤其是涉及一種改善cmp拋光墊打磨性能的方法。
技術介紹
1、化學機械拋光(chemical?mechanical?polishing,cmp)是將機械研磨作用和化學氧化作用結合，來去除被加工工件表面材料的一種微納米加工技術，獲得光潔表面來實現超精密無損傷表面加工，滿足電路在0.35μm下的平整要求，主要用于超精密表面(如硅晶片、微型集成電路、存儲器等)的加工。
2、拋光步驟是一個化學腐蝕與機械摩擦結合的過程，被加工工件固定在面朝下的磨頭上并固定在旋轉機臺上。旋轉機臺表面用拋光墊覆蓋，帶有小研磨顆粒的磨料漿流到臺面上。被加工工件表面物質被磨料顆粒侵襲，并一點點磨去，再被磨料漿沖走。拋光墊在cmp過程中起著非常重要的角色，因此，人們在拋光墊特性及其對cmp過程的作用規律等方面開展了大量的研究工作。
3、聚氨酯拋光墊因其優異的性能，被廣泛應用于化學機械拋光領域。影響機械拋光的主要因素有拋光墊表面粗糙度、拋光液成分，拋光液的濃度及流速，機臺旋轉速度等。拋光過程中，拋光墊除了與晶圓表面接觸外，還需要金剛石磨盤以一定的速度不停打磨拋光墊的表面，目的是使拋光墊表面保持一定的粗糙度同時刮走多余的研磨液。無紡布底材生產的聚氨酯拋光墊因其優異的性能，被廣泛應用于化學機械拋光領域。
4、相關技術中，公開了一種無紡布拋光墊，其使用浸漬方式生產，包括如下重量百分比的組分：溶劑40％、聚氨酯樹脂50％、蓖麻油1％、羧甲基纖維素鈉3％、硅烷偶聯劑2％和滑石粉4％，將上述組分經過高速攪拌后形成
5、但是，由于無紡布存在孔隙，當磨料、拋光屑堵塞孔隙時，容易導致被拋光面產生擦痕，另外，在磨料、拋光屑進入無紡布的孔隙深處時，不易清除。因此，導致上述無紡布拋光墊出現拋光時產生劃傷和拋光表面不光滑等負面異常。
技術實現思路
1、為了改善拋光墊的拋光效果，本申請提供一種改善cmp拋光墊打磨性能的方法。
2、本申請提供的一種改善cmp拋光墊打磨性能的方法，采用如下的技術方案：
3、一種改善cmp拋光墊打磨性能的方法，包括如下步驟：
4、表面處理：將無紡布拋光革在含二甲基甲酰胺或二甲基乙酰胺的溶劑中浸沒10-30min后，清洗無紡布拋光革，得到微孔無紡布；
5、印刷處理：在1.2-1.8mpa的印刷壓力下，向微孔無紡布的表面印刷填充漿料，填充漿料完全覆蓋微孔無紡布的表面，干燥后，即得到cmp拋光墊。
6、通過采用上述技術方案，含二甲基甲酰胺或二甲基乙酰胺的溶劑，能夠侵蝕無紡布拋光革的表面，從而在無紡布拋光革的表面形成若干個微孔。本申請將浸沒的時長控制在上述范圍內，有助于將無紡布拋光革的表面侵蝕程度控制在合適的范圍內，從而使得微孔無紡布既具有均勻分布的微孔，又保留良好的力學性能和柔軟性能。清洗可以除去無紡布拋光革上殘留的含二甲基甲酰胺或二甲基乙酰胺的溶劑，便于進行后續印刷處理。在微孔無紡布的表面印刷填充漿料，填充漿料即可滲入微孔無紡布表面的微孔和孔隙中，從而填充微孔無紡布表面的微孔和內部的孔隙。微孔的存在和上述印刷壓力，均有助于填充漿料更好的滲入微孔無紡布內部的孔隙，而且，由于填充漿料滲入微孔和孔隙內，有助于填充漿料與微孔無紡布更好的結合，干燥后，減少填充漿料脫落，同時，使得cmp拋光墊不僅獲得更加致密的表面，還能降低柔軟度，有助于減少劃傷被拋光件的表面，提高被拋光件的表面光滑性和平坦性，從而提高cmp拋光墊的拋光效果和拋光效率。
7、在一個具體的可實施方案中，所述印刷漿料包括如下重量百分比的組分：醇溶劑45-55％，聚氨酯樹脂40-50％，蓖麻油0.1-0.3％，拋光粉0.1-0.3％，白炭黑0.1-0.3％。
8、通過采用上述技術方案，蓖麻油可以降低印刷漿料的表面張力，提高印刷漿料的乳化性，便于印刷漿料進入微孔無紡布的微孔和孔隙中。拋光粉和白炭黑能夠進入微孔無紡布的微孔和孔隙中，并填充微孔和孔隙，聚氨酯樹脂可以封堵微孔和孔隙，并與無紡布粘接，在印刷漿料干燥后，有助于防止印刷漿料脫落。
9、在一個具體的可實施方案中，所述醇溶劑是質量濃度為50-55％的乙醇水溶液。
10、通過采用上述技術方案，采用上述質量濃度的乙醇水溶液，不僅能夠充分溶解聚氨酯樹脂，還能夠形成流動性高、滲透性好的填充漿料，便于滲入微孔無紡布的微孔和孔隙內，而且，在干燥后，剝落強度更高，不易脫落。
11、在一個具體的可實施方案中，所述拋光粉包括氧化鈰、氧化鋯、氧化鋁中的至少一種。
12、通過采用上述技術方案，上述任意一種拋光粉不僅可以填充微孔無紡布和微孔和孔隙，而且具有用量少、拋光速度快以及拋光效率高的優點，有助于進一步提高cmp拋光墊的拋光效率和拋光效果。而且，上述拋光粉對環境的污染小，有助于提高本方法的環保性。
13、在一個具體的可實施方案中，所述拋光粉是重量比為1:(0.8-1.2)的氧化鈰和氧化鋯的混合物。
14、通過采用上述技術方案，氧化鋯的硬度高、耐磨性好，氧化鈰的硬度比氧化鋯的硬度低，但是氧化鈰具有一定的韌性。本申請通過實驗發現，采用上述配比的氧化鈰和氧化鋯，不僅有助于改善cmp拋光墊表面的致密性，減少被拋光件表面劃傷，還有助于cmp拋光墊獲得優異的力學性能，改善cmp拋光墊的平坦性和拋光效果。
15、在一個具體的可實施方案中，所述拋光粉和白炭黑的粒徑均為0.5-1μm。
16、通過采用上述技術方案，上述粒徑范圍內的拋光粉和白炭黑，不僅可以更好的滲入微孔無紡布的微孔和孔隙內，還可以進一步改善cmp拋光墊表面的致密性，從而進一步改善cmp拋光墊的拋光效果。
17、在一個具體的可實施方案中，所述印刷漿料包括如下重量百分比的組分：醇溶劑45-55％，聚氨酯樹脂40-50％，蓖麻油0.1-0.3％，拋光粉0.1-0.3％，白炭黑0.1-0.3％，色料0.1-0.3％。
18、通過采用上述技術方案，添加色料，可以根據需要改變印刷漿料的顏色，從而可以得到所需顏色的cmp拋光墊。
19、在一個具體的可實施方案中，所述含二甲基甲酰胺或二甲基乙酰胺的溶劑還包括四氫呋喃或丙酮中的至少一種。
20、通過采用上述技術方案，四氫呋喃或丙酮，均可以與二甲基甲酰胺或二甲基乙酰胺形成溶液，而且，采用上述溶劑，不僅便于調節侵蝕速度，還可以改善侵蝕效果，使得無紡布拋光革的表面能形成大小均勻的微孔，微孔連通無紡布拋光革孔隙，便于填充漿料能夠滲入孔隙中。
21、在一個具體的可實施方案中，所述含二甲基甲酰胺或二甲基乙酰胺的溶劑包括重量比為1:(1-3)的二甲基甲酰胺和丙酮。
22、通過采用上述技術方案，本申請通過實驗發現，采用上述配比的二甲基甲酰胺和丙酮，有助于進一步提高cmp拋光墊的拋光效果，而且，溶劑的毒性低，有助于提高本方法的安全性。<本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種改善CMP拋光墊打磨性能的方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種改善CMP拋光墊打磨性能的方法，其特征在于，所述印刷漿料包括如下重量百分比的組分：醇溶劑45-55%，聚氨酯樹脂40-50%，蓖麻油0.1-0.3%，拋光粉0.1-0.3%，白炭黑0.1-0.3%。
3.根據權利要求2所述的一種改善CMP拋光墊打磨性能的方法，其特征在于，所述醇溶劑是質量濃度為50-55%的乙醇水溶液。
4.根據權利要求2所述的一種改善CMP拋光墊打磨性能的方法，其特征在于，所述拋光粉包括氧化鈰、氧化鋯、氧化鋁中的至少一種。
5.根據權利要求4所述的一種改善CMP拋光墊打磨性能的方法，其特征在于，所述拋光粉是重量比為1:(0.8-1.2)的氧化鈰和氧化鋯的混合物。
6.根據權利要求2所述的一種改善CMP拋光墊打磨性能的方法，其特征在于，所述拋光粉和白炭黑的粒徑均為0.5-1μm。
7.根據權利要求1所述的一種改善CMP拋光墊打磨性能的方法，其特征在于，所述印刷漿料包括如下重量百分比的組分：醇溶劑45
8.根據權利要求1所述的一種改善CMP拋光墊打磨性能的方法，其特征在于，所述含二甲基甲酰胺或二甲基乙酰胺的溶劑還包括四氫呋喃或丙酮中的至少一種。
9.根據權利要求8所述的一種改善CMP拋光墊打磨性能的方法，其特征在于，所述含二甲基甲酰胺或二甲基乙酰胺的溶劑包括重量比為1:(1-3)的二甲基甲酰胺和丙酮。
10.根據權利要求1所述的一種改善CMP拋光墊打磨性能的方法，其特征在于，所述表面處理步驟中，將無紡布拋光革在含二甲基甲酰胺或二甲基乙酰胺的溶劑中浸沒15-30min后，用氯化銨水溶液和去離子水交替清洗無紡布拋光革1-3次。
...【技術特征摘要】
1.一種改善cmp拋光墊打磨性能的方法，其特征在于，包括如下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種改善cmp拋光墊打磨性能的方法，其特征在于，所述印刷漿料包括如下重量百分比的組分：醇溶劑45-55%，聚氨酯樹脂40-50%，蓖麻油0.1-0.3%，拋光粉0.1-0.3%，白炭黑0.1-0.3%。
3.根據權利要求2所述的一種改善cmp拋光墊打磨性能的方法，其特征在于，所述醇溶劑是質量濃度為50-55%的乙醇水溶液。
4.根據權利要求2所述的一種改善cmp拋光墊打磨性能的方法，其特征在于，所述拋光粉包括氧化鈰、氧化鋯、氧化鋁中的至少一種。
5.根據權利要求4所述的一種改善cmp拋光墊打磨性能的方法，其特征在于，所述拋光粉是重量比為1:(0.8-1.2)的氧化鈰和氧化鋯的混合物。
6.根據權利要求2所述的一種改善cmp拋光墊打磨性能的方法，其特征在于，所述拋光粉和白炭黑的粒徑均為0...
【專利技術屬性】
技術研發人員：傅一非，蘇明，王志華，李靜，袁棟，
申請(專利權)人：萬樺常州新材料科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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