【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及聲表面波濾波器，尤其涉及一種具有橫模抑制的聲表面波裝置。
技術介紹
1、隨著移動通信技術的塊速發展，聲表面波裝置(surface?acoustic?wave,saw)由于其尺寸小，性能好等特點，在射頻前端中占有越來越重要的地位。聲表面波裝置主要可以諧振器或者聲表面波濾波器，其主要結構包括壓電基板、叉指換能器和反射柵，在當前主流的薄膜結構聲表面波濾波器和溫補覆蓋層聲表面波濾波器等層疊聲表面波裝置中，常規的叉指電極不可避免會激勵產生高階的橫向模式雜波，從導納曲線看，即在諧振頻率高頻方向出現很多尖刺，導致諧振器或者濾波器的平坦度惡化。
2、而目前的橫模抑制手段是改變叉指電極的聲速，從而抑制橫向雜波，例如專利技術專利公布號cn116683885a公開了一種具有活塞模式的聲表面波裝置，該專利技術申請文件中公開了在電極指的端部設置了電極指增重部，從而改變聲速以達到橫模抑制的作用。然而對于一些高頻濾波器，周期很小，叉指指條和間隙也相應很窄，而由于增加了電極指增重部，使得精度的要求非常高，這對成型的工藝要求非?？量?，對光刻機的分辨率要求也非常高，而一旦工藝精度不滿足，就容易造成增重部的偏差，影響產品性能，甚至造成短路的情況。
技術實現思路
1、本專利技術所要解決的技術問題是：提供一種具有橫模抑制的聲表面波裝置，該聲表面波濾波器結構不但能夠有效的抑制橫模，而且可以方便成型。
2、為解決上述技術問題，本專利技術的技術方案是：一種具有橫模抑制的聲表面波裝置，包括壓電
3、作為一種優選的方案，各端部橫模抑制塊的縱向長度從叉指換能器的縱向一側向另一側逐漸縮短或逐漸變長。
4、作為一種優選的方案，所述端部橫模抑制塊的縱向長度為0.1-0.4倍波長。
5、作為一種優選的方案，所述第一端部橫模抑制塊的橫向端面與第一叉指電極的指端面平齊，所述第二端部橫模抑制塊的橫向端面與第二叉指電極的指端面平齊。
6、作為一種優選的方案，所述壓電基板的一側還設置有若干個中間橫模抑制塊，所述中間橫模抑制塊與第一端部橫模抑制塊和第二端部橫模抑制塊的厚度相同且處在同一層，若干個所述中間橫模抑制塊與第一叉指電極和第二叉指電極的中間段一一對應。
7、作為一種優選的方案，所有的中間橫模抑制塊與第一端部橫模抑制塊和第二端部橫模抑制塊共同形成了至少兩條直線排列的離散排列塊組。
8、作為一種優選的方案，同一根第一叉指電極上的第一端部橫模抑制塊和中間橫模抑制塊的形狀和尺寸相同，同一根第二叉指電極上的第二端部橫模抑制塊和中間橫模抑制塊的形狀和尺寸相同。
9、作為一種優選的方案，所述壓電基板上設置有若干個凹坑，所述第一端部橫模抑制塊和第二端部橫模抑制塊一一對應設置于凹坑內。
10、作為一種優選的方案，所述凹坑內的第一端部橫模抑制塊和第二端部橫模抑制塊的表面與壓電基板平齊。
11、作為一種優選的方案，所述反射柵上也設置有所述的中間橫模抑制塊，所述反射柵上的中間橫模抑制塊與叉指換能器上對應的中間橫模抑制塊、第一端部橫模抑制塊和第二端部橫模抑制塊一起成直線排列。
12、采用了上述技術方案后，本專利技術的效果是：由于所述壓電基板的一側設置有若干個離散的第一端部橫模抑制塊和第二端部橫模抑制塊，所述叉指換能器設置于壓電基板上，并且第一端部橫模抑制塊與第一叉指電極的端部一一對應并位于第一叉指電極端部的下方，所述第二端部橫模抑制塊與第二叉指電極的端部一一對應且位于第二叉指電極的端部的下方，因此，該第一端部橫模抑制塊和第二端部橫模抑制塊可以改變濾波器的聲場，有效的抑制橫模，而更重要的是，本專利技術中的濾波器可以先在晶圓(壓電基板上成型離散的第一端部橫模抑制塊和第二端部橫模抑制塊)，而初始晶圓表面平整和均勻，因此能夠實現更高的光刻分辨率，而之后的反射柵和叉指換能器就可以正常的通過套刻工藝制作，并且第一叉指電極和第二叉指電極之間的指間間距就不會變小，成型難度也就更低。
13、又由于各端部橫模抑制塊的縱向長度從叉指換能器的縱向一側向另一側逐漸縮短或逐漸變長，因此，各端部橫模抑制塊的縱向長度會發生有規律的漸變，這樣橫向雜波在進行橫向傳遞同時，端部橫模抑制塊不但可以減低橫向雜波聲速，抑制橫模，并且橫向雜波的能量也可以在各不同尺寸的端部橫模抑制塊之間傳導，最終傳導出叉指換能器，這樣橫模抑制的效果更好。
14、又由于所述壓電基板的一側還設置有若干個中間橫模抑制塊，所述中間橫模抑制塊與第一端部橫模抑制塊和第二端部橫模抑制塊的厚度相同且處在同一層，若干個所述中間橫模抑制塊與第一叉指電極和第二叉指電極的中間段一一對應。采用該中間橫模抑制塊能夠進一步改變聲場結構，更有利于抑制橫模。
15、又由于所述壓電基板上設置有若干個凹坑，所述第一端部橫模抑制塊和第二端部橫模抑制塊一一對應設置于凹坑內。所述凹坑內的第一端部橫模抑制塊和第二端部橫模抑制塊的表面與壓電基板平齊，這樣，壓電基板的整體表面依舊是平整狀態，叉指換能器和反射柵的成型難度更低。
16、又由于所述反射柵上也設置有所述的中間橫模抑制塊，所述反射柵上的中間橫模抑制塊與叉指換能器上對應的中間橫模抑制塊、第一端部橫模抑制塊和第二端部橫模抑制塊一起成直線排列，這樣可以更方便將橫向雜波的能量傳導到反射柵的外部。
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1.一種具有橫模抑制的聲表面波裝置，包括壓電基板、叉指換能器和反射柵，所述叉指換能器包括第一匯流條和第二匯流條；第一匯流條和第二匯流條之間交替間隔設置有多個第一叉指電極和多個第二叉指電極；所述第一叉指電極自第一匯流條引出并向第二匯流條延伸，所述第二叉指電極自第二匯流條引出并向第一匯流條延伸，其特征在于：所述壓電基板的一側設置有若干個離散的第一端部橫模抑制塊和第二端部橫模抑制塊，所述叉指換能器設置于壓電基板上，并且第一端部橫模抑制塊與第一叉指電極的端部一一對應并位于第一叉指電極端部的下方，所述第二端部橫模抑制塊與第二叉指電極的端部一一對應且位于第二叉指電極的端部的下方。
2.如權利要求1所述的一種具有橫模抑制的聲表面波裝置，其特征在于：各端部橫模抑制塊的縱向長度從叉指換能器的縱向一側向另一側逐漸縮短或逐漸變長。
3.如權利要求2所述的一種具有橫模抑制的聲表面波裝置，其特征在于：所述端部橫模抑制塊的縱向長度為0.1-0.4倍波長。
4.如權利要求3所述的一種具有橫模抑制的聲表面波裝置，其特征在于：所述第一端部橫模抑制塊的橫向端面與第一叉指電極的指端
5.如權利要求4所述的一種具有橫模抑制的聲表面波裝置，其特征在于：所述壓電基板的一側還設置有若干個中間橫模抑制塊，所述中間橫模抑制塊與第一端部橫模抑制塊和第二端部橫模抑制塊的厚度相同且處在同一層，若干個所述中間橫模抑制塊與第一叉指電極和第二叉指電極的中間段一一對應。
6.如權利要求5所述的一種具有橫模抑制的聲表面波裝置，其特征在于：所有的中間橫模抑制塊與第一端部橫模抑制塊和第二端部橫模抑制塊共同形成了至少兩條直線排列的離散排列塊組。
7.如權利要求6所述的一種具有橫模抑制的聲表面波裝置，其特征在于：同一根第一叉指電極上的第一端部橫模抑制塊和中間橫模抑制塊的形狀和尺寸相同，同一根第二叉指電極上的第二端部橫模抑制塊和中間橫模抑制塊的形狀和尺寸相同。
8.如權利要求1至7任一項所述的一種具有橫模抑制的聲表面波裝置，其特征在于：所述壓電基板上設置有若干個凹坑，所述第一端部橫模抑制塊和第二端部橫模抑制塊一一對應設置于凹坑內。
9.如權利要求8所述的一種具有橫模抑制的聲表面波裝置，其特征在于：所述凹坑內的第一端部橫模抑制塊和第二端部橫模抑制塊的表面與壓電基板平齊。
10.如權利要求9所述的一種具有橫模抑制的聲表面波裝置，其特征在于：所述反射柵上也設置有所述的中間橫模抑制塊，所述反射柵上的中間橫模抑制塊與叉指換能器上對應的中間橫模抑制塊、第一端部橫模抑制塊和第二端部橫模抑制塊一起成直線排列。
...【技術特征摘要】
1.一種具有橫模抑制的聲表面波裝置，包括壓電基板、叉指換能器和反射柵，所述叉指換能器包括第一匯流條和第二匯流條；第一匯流條和第二匯流條之間交替間隔設置有多個第一叉指電極和多個第二叉指電極；所述第一叉指電極自第一匯流條引出并向第二匯流條延伸，所述第二叉指電極自第二匯流條引出并向第一匯流條延伸，其特征在于：所述壓電基板的一側設置有若干個離散的第一端部橫模抑制塊和第二端部橫模抑制塊，所述叉指換能器設置于壓電基板上，并且第一端部橫模抑制塊與第一叉指電極的端部一一對應并位于第一叉指電極端部的下方，所述第二端部橫模抑制塊與第二叉指電極的端部一一對應且位于第二叉指電極的端部的下方。
2.如權利要求1所述的一種具有橫模抑制的聲表面波裝置，其特征在于：各端部橫模抑制塊的縱向長度從叉指換能器的縱向一側向另一側逐漸縮短或逐漸變長。
3.如權利要求2所述的一種具有橫模抑制的聲表面波裝置，其特征在于：所述端部橫模抑制塊的縱向長度為0.1-0.4倍波長。
4.如權利要求3所述的一種具有橫模抑制的聲表面波裝置，其特征在于：所述第一端部橫模抑制塊的橫向端面與第一叉指電極的指端面平齊，所述第二端部橫模抑制塊的橫向端面與第二叉指電極的指端面平齊。
5.如權利要求4所述的一種具有橫模抑制的聲表面波裝置，其特征在于：所述壓電基板的一側還設置...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王景虹，李曉輝，
申請(專利權)人：蘇州聲芯電子科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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