光學(xué)記錄介質(zhì)及其制造方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供一種光學(xué)記錄介質(zhì)及其制造方法。該光學(xué)記錄介質(zhì)包括：基板，具有第一主表面和第二主表面；一個(gè)或多個(gè)信息信號(hào)層，形成在基板的第一主表面上，用于在照射光時(shí)進(jìn)行信息信號(hào)的記錄或再現(xiàn)；以及阻擋層，形成在基板的第二主表面上，用于抑制氣體從基板的第二主表面釋放，其中基板的第二主表面由阻擋層暴露的區(qū)域的面積不大于６８８ｍｍ２。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及。具體地，本專利技術(shù)涉及用于在照射光時(shí)進(jìn) 行記錄和/或再現(xiàn)信息信號(hào)的光學(xué)記錄介質(zhì)。
技術(shù)介紹
到目前為止，可重寫光學(xué)記錄介質(zhì)已經(jīng)廣泛普及，該可重寫光學(xué)記錄介質(zhì)用于在 信息信號(hào)層上照射有激光時(shí)進(jìn)行讀取或?qū)懭胄畔⑿盘?hào)。通常，對于可重寫藍(lán)光光盤等中采 用的信息記錄層，采用相變記錄材料，在該相變記錄材料中照射激光時(shí)發(fā)生晶相和非晶相 之間的可逆改變(例如，見JP-A-2006-18926)。在該相變記錄材料中，通過急劇降低照射激 光時(shí)被加熱的記錄層的溫度，可以形成非晶相(記錄標(biāo)記)，并且照射具有相對小的功率的 激光相對長的時(shí)間非晶相可以返回到晶相。因?yàn)檫@樣的原因，其可以進(jìn)行多次重寫。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
然而，在記錄次數(shù)增加的情況下，通常存在這樣的趨勢熱損壞累積在相變記錄層 中，實(shí)施晶相和非晶相之間的可逆改變的功能失去，并且記錄標(biāo)記的再現(xiàn)特性劣化。該劣化 的程度取決于制造條件。根據(jù)本專利技術(shù)人最近的了解，在剛好在相變記錄層的薄膜沉積之前 的真空度相對差的情況下，前述劣化變得顯著。例如，在雙層藍(lán)光光盤中，因?yàn)閺幕宓某?型到Ll層的薄膜沉積的時(shí)間必定變得很長，因此，水分被吸入樹脂基板和由UV硬化樹脂形 成的中間層中。當(dāng)吸入的水分釋放在用于Ll層薄膜沉積的真空濺射設(shè)備中時(shí)，Ll層的記 錄/再現(xiàn)特性，特別是重復(fù)重寫后的抖動(dòng)(jitter)，劣化。為了抑制該影響，可以考慮圖1 的流程圖所示的技術(shù)，具有形成在其上的LO層和中間層的基板置于80°C的高溫很長的時(shí) 間周期，并且在基板和中間層中的水分被脫氣且干燥后，得到的結(jié)構(gòu)被投入用于Ll層薄膜 沉積的真空濺射設(shè)備。然而，該脫氣花費(fèi)4小時(shí)或更長的時(shí)間，因此，生產(chǎn)率顯著下降。從而，所希望的是提供一種，該光學(xué)記錄介質(zhì)能夠增 強(qiáng)對重復(fù)記錄的耐久性，而不引起生產(chǎn)率的下降。根據(jù)本專利技術(shù)的實(shí)施例涉及一種光學(xué)記錄介質(zhì)，包括基板，具有第一主表面和第二主表面；—個(gè)或多個(gè)信息信號(hào)層，形成在基板的第一主表面上，用于在照射光時(shí)進(jìn)行信息 信號(hào)的記錄或再現(xiàn)；以及阻擋層，形成在基板的第二主表面上，用于抑制氣體從基板的第二主表面釋放，其 中基板的第二主表面由阻擋層暴露的區(qū)域的面積不大于688mm2。根據(jù)本專利技術(shù)的另一個(gè)實(shí)施例涉及制造光學(xué)記錄介質(zhì)的方法，包括如下步驟成型具有第一主表面和第二主表面的基板；在基板的第一主表面上形成第一信息信號(hào)層；在第一信息信號(hào)層上形成中間層；在中間層上形成第二信息信號(hào)層；以及在成型基板的步驟之后并在形成第二信息信號(hào)層的步驟之前，在基板的第二主表 面上形成阻擋層用于抑制自基板的第二主表面的氣體釋放，其中在形成阻擋層的步驟中，基板的第二主表面由阻擋層暴露的區(qū)域的面積不大于 688mm2。在根據(jù)本專利技術(shù)的實(shí)施例中，不僅形成了用于抑制在基板的第二主表面上的氣體釋 放的阻擋層，而且基板的第二主表面由阻擋層暴露的區(qū)域的面積設(shè)定為不大于688mm2。據(jù) 此，在信息信號(hào)記錄層的形成中，可以有效抑制基板內(nèi)的排氣。出于這樣的原因，在信息信 號(hào)層的形成中，可以抑制由諸如水分的雜質(zhì)氣體引起的真空度的劣化。從而，可以獲得由重 復(fù)記錄引起的劣化很小的信息信號(hào)層。就是說，甚至在不實(shí)施高溫脫氣處理時(shí)，也可以獲得 對重復(fù)記錄具有優(yōu)秀耐久性的光學(xué)記錄介質(zhì)。如前所述，根據(jù)本專利技術(shù)的實(shí)施例，可以獲得對重復(fù)記錄的優(yōu)秀耐久性，而不引起生 產(chǎn)率的下降。附圖說明圖1是用于說明包括脫氣處理的制造光學(xué)記錄介質(zhì)的方法的流程圖；圖2的示意性截面圖示出了根據(jù)本專利技術(shù)第一實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造示例；圖3的示意性截面圖示出了第一信息信號(hào)層的構(gòu)造示例；圖4的示意性截面圖示出了第二信息信號(hào)層的構(gòu)造示例；圖5的平面圖示出了形成在基板后表面上的阻擋層的薄膜沉積區(qū)域；圖6是用于說明根據(jù)本專利技術(shù)第一實(shí)施例的制造光學(xué)記錄介質(zhì)的方法示例的流程 圖；圖7的示意圖示出了外周掩模31和內(nèi)周掩模32的布置示例。圖8的示意性截面圖示出了根據(jù)本專利技術(shù)第二實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造示例；圖9的圖線示出了經(jīng)歷示例1至4和比較例1和2的每個(gè)光學(xué)記錄介質(zhì)的相變記 錄層的薄膜沉積的真空室的真空度；圖10的圖線示出了示例1至4和比較例1和2的每個(gè)光學(xué)記錄介質(zhì)在1000次重 寫后的抖動(dòng)；圖11的圖線示出了在形成示例1至4和比較例1和2的每個(gè)光學(xué)記錄介質(zhì)的相 變記錄層時(shí)真空度和DOW 1，000次后的限制EQ抖動(dòng)之間的關(guān)系；圖12的圖線示出了在示例1至4和比較例1和2的每個(gè)光學(xué)記錄介質(zhì)中重復(fù)重 寫次數(shù)和定時(shí)抖動(dòng)之間的關(guān)系；圖13的圖線示出了在示例1至4和比較例1和2的每個(gè)光學(xué)記錄介質(zhì)中激光功 率Pp和定時(shí)抖動(dòng)之間的關(guān)系。具體實(shí)施例方式在下文，參考附圖以下面的順序描述根據(jù)本專利技術(shù)的實(shí)施例。在下面實(shí)施例的所有 附圖中，對于相同或?qū)?yīng)的部分給出相同的附圖標(biāo)記。1.第一實(shí)施例(雙層光學(xué)記錄介質(zhì)的示例)42.第二實(shí)施例(單層光學(xué)記錄介質(zhì)的示例)<1.第一實(shí)施例>圖2示出了根據(jù)本專利技術(shù)第一實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造示例。該光學(xué)記錄介質(zhì) 是能夠擦除或重寫數(shù)據(jù)的可重寫光學(xué)記錄介質(zhì)。如圖2所示，光學(xué)記錄介質(zhì)包括基板1 ； 第一信息信號(hào)層(L0層)2、中間層3、第二信息信號(hào)層(Li層)4和蓋層(cover layer) 5, 依次層疊在基板1的一個(gè)主表面(第一主表面)上；以及阻擋層6，層疊在基板的另一主表 面(第二主表面)上。在下文，基板1的其上層疊有第一信息信號(hào)層2和第二信息信號(hào)層 4的一個(gè)主表面適當(dāng)?shù)乇环Q為“信號(hào)表面”；并且在相反側(cè)上的另一個(gè)主表面適當(dāng)?shù)乇环Q為 “后表面”。在該光學(xué)記錄介質(zhì)中，通過從蓋層5側(cè)在第一信息信號(hào)層2或第二信息信號(hào)層4 上照射激光，進(jìn)行信息信號(hào)的記錄或再現(xiàn)。例如，波長為400nm至410nm的激光被數(shù)值孔徑 為0. 84至0. 86的物鏡聚集，并且從蓋層5側(cè)照射在第一信息信號(hào)層2或第二信息信號(hào)層 4上，由此進(jìn)行信息信號(hào)的記錄或再現(xiàn)。這樣的光學(xué)記錄介質(zhì)的示例包括BD-RE (可重寫藍(lán) 光光盤)該光學(xué)記錄介質(zhì)包括激光入射的入射表面和與該入射表面相反的后表面。基于入 射表面，第二信息信號(hào)層4設(shè)置在近側(cè)，并且第一信息信號(hào)層2設(shè)置在遠(yuǎn)側(cè)。第二信息信號(hào) 層4是半透明層，其構(gòu)成為使得照射在第一信息信號(hào)層2上的激光可以從其透過。從而，通 過在第一信息信號(hào)層2上照射已經(jīng)透射通過第二信息信號(hào)層4的激光，進(jìn)行與第一信息信 號(hào)層2相關(guān)的信息信號(hào)的記錄或再現(xiàn)。在下文，陸續(xù)描述構(gòu)成光學(xué)記錄介質(zhì)的基板1、第一信息信號(hào)層2、中間層3、第二 信息信號(hào)層4、蓋層5和阻擋層6的每個(gè)。(基板)基板1具有環(huán)形形狀，其具有形成在該環(huán)形形狀的中心的開口(該開口在下文將 稱為“中心孔”)。基板1的一個(gè)主表面形成例如凹凸表面，并且第一信息信號(hào)層2經(jīng)歷在 該凹凸表面上的薄膜沉積。在下文，凹凸表面的凹部稱為凹槽中(in-gr00Ve)Gin，并且凹凸 表面的凸部稱為凹槽上(on-groove)Gon。凹槽中Gin和凹槽上Gon中每個(gè)的形狀示例包括各種形狀，如螺旋狀和同心形狀。 而且，凹槽中Gin和/或凹槽上Gon例如為了添加地址信息的目的而擺動(dòng)(wobbled)。基板1的直徑選擇為例如120mm。基板1的厚度同時(shí)考慮到剛度而被選擇；優(yōu)選 選擇為在0. 3mm以上且不大于1. 3mm的范圍內(nèi)，且更優(yōu)選在0. 6mm以上且不大本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種光學(xué)記錄介質(zhì)，包括：基板，具有第一主表面和第二主表面；一個(gè)或多個(gè)信息信號(hào)層，形成在所述基板的所述第一主表面上，用于在被光照射時(shí)進(jìn)行信息信號(hào)的記錄或再現(xiàn)；以及阻擋層，形成在所述基板的所述第二主表面上，用于抑制氣體從所述基板的所述第二主表面釋放，其中所述基板的所述第二主表面由所述阻擋層暴露的區(qū)域的面積不大于６８８ｍｍ↑［２］。

【技術(shù)特征摘要】
...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：諏訪部正次，中山比呂史，豬狩孝洋，太田輝之，
申請(專利權(quán))人：索尼公司，
類型：發(fā)明
國別省市：JP[日本]