【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本公開涉及電子束(“e-beam”)裝置，且更明確來說，涉及清潔電子束裝置中電子槍的提取器電極。
技術(shù)介紹
1、冷場發(fā)射源可能是高通量及高空間分辨率電子束應(yīng)用的合適選擇。然而，在此類應(yīng)用中使用冷場發(fā)射源受到殘余氣體壓力的挑戰(zhàn)，所述殘余氣體壓力可污染冷場發(fā)射源，縮短其壽命且引入發(fā)射噪聲。典型的極超高真空環(huán)境(≈1e-11托)的殘余氣體壓力由真空室組件的除氣產(chǎn)生。一種此組件是提取器電極(有時簡稱為提取器)。一旦安裝冷場發(fā)射源并實現(xiàn)標(biāo)稱真空，就烘烤提取器電極以減少后續(xù)除氣。但僅烘烤不足以從靠近冷場發(fā)射源的提取器電極的表面完全解吸分子。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、因此，需要用于清潔提取器電極的方法及系統(tǒng)。
2、在一些實施例中，一種電子束裝置包含：冷場發(fā)射源，其用于發(fā)射電子；及提取器電極，其相對于所述冷場發(fā)射源正偏置以從所述冷場發(fā)射源提取所述電子。所述提取器電極具有用于所述電子的第一開口。所述電子束裝置還包含具有用于所述電子的第二開口的鏡電極。所述鏡電極可配置為在第一操作模式期間相對于所述提取器電極正偏置且在第二操作模式期間相對于所述提取器電極負(fù)偏置。所述提取器電極安置于所述冷場發(fā)射源與所述鏡電極之間。所述電子束裝置進(jìn)一步包含相對于所述提取器電極及所述冷場發(fā)射源正偏置的陽極。所述鏡電極安置于所述提取器電極與所述陽極之間。
3、在一些實施例中，一種方法包含提供電子束裝置，所述電子束裝置包含：冷場發(fā)射源；提取器電極，其具有用于來自所述冷場發(fā)射源的電子的第一開口；鏡電極，其具有用于
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點】
1.一種電子束裝置，其包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述鏡電極能夠配置為在所述第一操作模式期間電連接到所述陽極且在所述第二操作模式期間電連接到所述冷場發(fā)射源。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其進(jìn)一步包括開關(guān)，所述開關(guān)在所述第一操作模式期間將所述鏡電極電連接到所述陽極且在所述第二操作模式期間電連接到所述冷場發(fā)射源。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述陽極接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中：
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述第二開口比所述第一開口寬。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述提取器電極及所述鏡電極關(guān)于穿過所述冷場發(fā)射源、所述第一開口及所述第二開口的軸徑向?qū)ΨQ。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中：
9.一種方法，其包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中使所述提取器電極相對于所述冷場發(fā)射源及所述鏡電極正偏置包括：將所述鏡電極電連接到所述冷場發(fā)射源。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中使所述鏡電極及所述陽極相對于所述提
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中使所述鏡電極及所述陽極相對于所述提取器電極正偏置進(jìn)一步包括：將所述鏡電極及所述陽極接地。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中：
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中：
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中：
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其進(jìn)一步包括在清潔所述提取器電極之前烘烤所述提取器電極且使所述冷場發(fā)射源閃爍。
17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中：
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述第二開口比所述第一開口寬。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述提取器電極及所述鏡電極關(guān)于穿過所述冷場發(fā)射源、所述第一開口及所述第二開口的軸徑向?qū)ΨQ。
...【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
1.一種電子束裝置，其包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述鏡電極能夠配置為在所述第一操作模式期間電連接到所述陽極且在所述第二操作模式期間電連接到所述冷場發(fā)射源。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其進(jìn)一步包括開關(guān)，所述開關(guān)在所述第一操作模式期間將所述鏡電極電連接到所述陽極且在所述第二操作模式期間電連接到所述冷場發(fā)射源。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述陽極接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中：
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述第二開口比所述第一開口寬。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述提取器電極及所述鏡電極關(guān)于穿過所述冷場發(fā)射源、所述第一開口及所述第二開口的軸徑向?qū)ΨQ。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中：
9.一種方法，其包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中使所述提取器電極相對于所述冷場發(fā)射源及所述鏡電極正偏置包括...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：L·葛瑞拉，N·朱邦，S·皮茨，
申請(專利權(quán))人：科磊股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。