【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本申請屬于晶圓清洗，具體而言，涉及一種控制方法及系統(tǒng)、晶圓后處理裝置、介質(zhì)或程序產(chǎn)品。
技術(shù)介紹
1、在集成電路/半導體(integrated?circuit,ic)的制造中，由于晶圓在不斷被加工的過程中，尤其是進行化學機械拋光的過程中，晶圓會與各種有機物、粒子及金屬接觸，導致晶圓上產(chǎn)生了污染物，為了防止這些污染物導致晶圓的電路損壞，需要在不破壞晶圓表面以及電特性的前提下，對晶圓上的污染物進行清洗。進一步地，為了保證化學機械拋光設(shè)備的“干進干出”，會在化學機械拋光設(shè)備中拋光單元的后端設(shè)置晶圓后處理裝置，來對晶圓進行清洗和干燥。
2、在進行晶圓清洗時，一般利用清洗部件與晶圓之間的機械作用將晶圓表面的顆粒去除，清洗部件與晶圓之間壓力的穩(wěn)定性與清洗效果密切相關(guān)。
3、以水平清洗為例，水平清洗通常采用水平機構(gòu)夾持晶圓，擺動電機驅(qū)動清洗部件在晶圓上擺動，升降電機控制清洗部件在晶圓表面下壓的方法，實現(xiàn)水平清洗。為保持晶圓不同位置的壓力一致，行業(yè)通常在清洗部件的擺臂上安裝傳感器以讀取作用于晶圓表面的壓力值，升降電機根據(jù)壓力值調(diào)節(jié)清洗部件的高度，從而實現(xiàn)作用于晶圓表面的壓力恒定。
4、然而，上述方案存在由于壓力反饋的滯后性，導致作用于晶圓表面的壓力不能保持恒定的問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本申請實施例提供了一種控制方法及系統(tǒng)、晶圓后處理裝置、介質(zhì)或程序產(chǎn)品，旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。
2、本申請實施例的第一方面提供了一種晶圓后處理裝置的
3、在一個實施例中，所述預設(shè)運動方案包括在晶圓表面擺動，所述根據(jù)清洗部件的預設(shè)運動方案和所述變形參數(shù)，確定所述清洗部件的控制距離，包括：根據(jù)所述清洗部件的擺動角度，確定所述清洗部件與所述晶圓圓心在平行于晶圓表面方向上的第一距離；根據(jù)所述第一距離和所述變形參數(shù)，確定所述清洗部件與所述晶圓在垂直于晶圓表面方向上的第二距離，并將所述第二距離確定為所述控制距離。
4、在一個實施例中，所述方法還包括：對所述清洗部件和所述晶圓之間的壓力進行檢測，得到壓力檢測值；根據(jù)所述壓力檢測值，確定所述清洗部件的運動對所述晶圓的變形補償情況；根據(jù)所述變形補償情況調(diào)整所述晶圓的變形參數(shù)。
5、在一個實施例中，所述確定晶圓的變形參數(shù)，包括：確定晶圓各位置的變形量；對所述晶圓各位置的變形量進行擬合，得到所述晶圓的變形函數(shù)；根據(jù)所述變形函數(shù)確定所述變形參數(shù)。
6、在一個實施例中，所述清洗部件和所述晶圓之間對應有若干個預設(shè)壓力，所述確定晶圓各位置的變形量，包括：根據(jù)所述清洗部件和所述晶圓之間的所述預設(shè)壓力，計算得到與各所述預設(shè)壓力對應的晶圓各位置的變形量，以得到與各所述預設(shè)壓力分別對應的一組變形參數(shù)。
7、在一個實施例中，所述根據(jù)清洗部件的預設(shè)運動方案和所述變形參數(shù)，確定所述清洗部件的控制距離，包括：確定用戶從所述若干個預設(shè)壓力中選擇的目標壓力，并確定所述目標壓力對應的一組目標變形參數(shù)；根據(jù)所述清洗部件的預設(shè)運動方案和所述目標變形參數(shù)，確定所述清洗部件的控制距離。
8、本申請實施例的第二方面提供了一種晶圓后處理裝置，包括：清洗部件，用于清洗晶圓；第一驅(qū)動部件，用于按照預設(shè)運動方案驅(qū)動所述清洗部件運動；第二驅(qū)動部件，用于按照控制距離驅(qū)動所述清洗部件運動，以使所述清洗部件的運動補償所述晶圓的變形，其中，所述控制距離根據(jù)所述預設(shè)運動方案和所述晶圓的變形參數(shù)確定。
9、本申請實施例的第三方面提供了一種晶圓后處理裝置的控制系統(tǒng)，包括：上位機、晶圓后處理裝置，所述晶圓后處理裝置包括清洗部件、驅(qū)動部件；所述上位機用于確定晶圓的變形參數(shù)，并根據(jù)所述清洗部件的預設(shè)運動方案和所述變形參數(shù)，確定所述清洗部件的控制距離；所述驅(qū)動部件用于在所述上位機的控制下，按照所述預設(shè)運動方案和所述控制距離驅(qū)動所述清洗部件運動，以使所述清洗部件的運動補償所述晶圓的變形。
10、在一個實施例中，所述上位機用于根據(jù)所述清洗部件的擺動角度，確定所述清洗部件與所述晶圓圓心在平行于晶圓表面方向上的第一距離，以及根據(jù)所述第一距離和所述變形參數(shù)，確定所述清洗部件與所述晶圓在垂直于晶圓表面方向上的第二距離，并將所述第二距離確定為所述控制距離。
11、在一個實施例中，所述上位機中預先存儲有若干個預設(shè)壓力及其分別對應的一組變形參數(shù)；所述上位機用于確定用戶從所述若干個預設(shè)壓力中選擇的目標壓力，并從存儲中確定所述目標壓力對應的一組目標變形參數(shù)；根據(jù)所述清洗部件的預設(shè)運動方案和所述目標變形參數(shù)，確定所述清洗部件的控制距離。
12、本申請實施例的第四方面提供了一種計算機可讀存儲介質(zhì)，存儲有可執(zhí)行指令，用于引起處理器執(zhí)行所述可執(zhí)行指令時，實現(xiàn)如上所述的方法。
13、本申請實施例的第五方面提供了一種計算機程序產(chǎn)品或計算機程序，所述計算機程序產(chǎn)品或計算機程序包括可執(zhí)行指令，所述可執(zhí)行指令存儲在計算機可讀存儲介質(zhì)中；當電子設(shè)備的處理器從所述計算機可讀存儲介質(zhì)讀取所述可執(zhí)行指令，并執(zhí)行所述可執(zhí)行指令時，實現(xiàn)如上所述的方法。
14、本申請的有益效果：先根據(jù)清洗部件的預設(shè)運動方案和變形參數(shù)，可以預先確定清洗部件的控制距離，再根據(jù)預設(shè)運動方案控制清洗部件運動，可以按照預設(shè)計劃對晶圓進行清洗，同時根據(jù)控制距離控制清洗部件運動，可以保證清洗過程中，清洗部件的運動能夠補償晶圓的變形，保證清洗部件和晶圓之間的壓力恒定，不存在反應滯后的問題，極大地提高了晶圓的清洗效果；另外，上述控制過程不依賴壓力檢測和反饋控制邏輯，節(jié)約了成本。
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1.一種晶圓后處理裝置的控制方法，其特征在于，晶圓后處理裝置包括用于清洗晶圓的清洗部件，所述方法包括：
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預設(shè)運動方案包括在晶圓表面擺動，所述根據(jù)清洗部件的預設(shè)運動方案和所述變形參數(shù)，確定所述清洗部件的控制距離，包括：
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述確定晶圓的變形參數(shù)，包括：
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述清洗部件和所述晶圓之間對應有若干個預設(shè)壓力，所述確定晶圓各位置的變形量，包括：
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)清洗部件的預設(shè)運動方案和所述變形參數(shù)，確定所述清洗部件的控制距離，包括：
7.一種晶圓后處理裝置，其特征在于，包括：
8.一種晶圓后處理裝置的控制系統(tǒng)，其特征在于，包括：上位機、晶圓后處理裝置，所述晶圓后處理裝置包括清洗部件、驅(qū)動部件；
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的控制系統(tǒng)，其特征在于，所述上位機用于根據(jù)所述清洗部件的擺動角度，確定所述
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的控制系統(tǒng)，其特征在于，所述上位機中預先存儲有若干個預設(shè)壓力及其分別對應的一組變形參數(shù)；所述上位機用于確定用戶從所述若干個預設(shè)壓力中選擇的目標壓力，并從存儲中確定所述目標壓力對應的一組目標變形參數(shù)；根據(jù)所述清洗部件的預設(shè)運動方案和所述目標變形參數(shù)，確定所述清洗部件的控制距離。
11.一種計算機可讀存儲介質(zhì)，其特征在于，
12.一種計算機程序產(chǎn)品或計算機程序，所述計算機程序產(chǎn)品或計算機程序包括可執(zhí)行指令，所述可執(zhí)行指令存儲在計算機可讀存儲介質(zhì)中；
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種晶圓后處理裝置的控制方法，其特征在于，晶圓后處理裝置包括用于清洗晶圓的清洗部件，所述方法包括：
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預設(shè)運動方案包括在晶圓表面擺動，所述根據(jù)清洗部件的預設(shè)運動方案和所述變形參數(shù)，確定所述清洗部件的控制距離，包括：
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述確定晶圓的變形參數(shù)，包括：
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述清洗部件和所述晶圓之間對應有若干個預設(shè)壓力，所述確定晶圓各位置的變形量，包括：
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)清洗部件的預設(shè)運動方案和所述變形參數(shù)，確定所述清洗部件的控制距離，包括：
7.一種晶圓后處理裝置，其特征在于，包括：
8.一種晶圓后處理裝置的控制系統(tǒng)，其特征在于，包括：上位機、晶圓后處理裝置，所述...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：劉曉瑞，高慶剛，唐林，陳賀，許振杰，
申請(專利權(quán))人：華海清科股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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