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    具有羥基分級濃度的激光持續等離子體燈制造技術

    技術編號:40088816 閱讀:11 留言:0更新日期:2024-01-23 15:53
    本發明專利技術公開一種等離子體燈。所述等離子體燈包含氣體收容結構,所述氣體收容結構經配置以收容氣體且在所述氣體收容結構內產生等離子體。所述氣體收容結構由對于來自泵浦激光器的照明及由所述等離子體發射的寬帶輻射透明的玻璃材料形成。所述氣體收容結構包含玻璃壁且所述玻璃壁內的玻璃包含跨越所述玻璃壁的厚度變動的OH濃度分布。

    【技術實現步驟摘要】
    【國外來華專利技術】

    本專利技術大體上涉及激光持續等離子體(lsp)燈,且更特定來說,涉及增加用于寬帶等離子體(bbp)照明器中的lsp燈的壽命。


    技術介紹

    1、隨著對具有越來越小的裝置特征的集成電路的需求不斷增加,對用于檢驗這些不斷縮小的裝置的改進照明源的需求不斷增長。一個此照明源包含激光持續等離子體源。激光持續光源通過將激光輻射聚焦于氣體體積中來操作以便將氣體(例如氬或氙)激發成能夠發光的等離子體狀態。一般來說,這些燈由熔融石英玻璃制成。玻璃中的羥基(oh)的濃度確定玻璃的各種物理性質且可指定燈在操作期間如何降解。為誘發吸收,將oh添加到玻璃配方中。這使得玻璃更易于潛變。因此,具有低oh含量的燈由于較高誘發吸收而降解,而具有高oh含量的燈由于潛變而降解。因而,提供解決方案以彌補上文所識別的方法的缺陷將是有利的。


    技術實現思路

    1、根據本公開的一或多個實施例,公開一種等離子體燈。在實施例中,所述等離子體燈包含氣體收容結構,所述氣體收容結構經配置以收容氣體且在所述氣體收容結構內產生等離子體。在實施例中,所述氣體收容結構由至少部分對于來自泵浦激光器的照明及由所述等離子體發射的寬帶輻射的至少部分透明的玻璃材料形成。在實施例中,所述氣體收容結構包含玻璃壁,其中所述玻璃壁包含跨越所述玻璃壁的厚度變動的oh濃度分布。在實施例中,所述等離子體燈被并入寬帶激光持續等離子體光源內。在實施例中,包含所述等離子體燈的所述寬帶激光持續等離子體光源被并入例如檢驗系統或計量系統的特性化系統內。

    2、根據本公開的一或多個實施例,公開一種形成等離子體燈的方法。在實施例中,所述方法包含提供氣體收容結構,所述氣體收容結構包含玻璃壁。在實施例中,所述方法包含處理所述氣體收容結構的所述玻璃壁的內表面以更改所述內表面處的oh濃度,使得所述內表面處的第一oh濃度大于所述玻璃壁的塊狀區域內的第二oh濃度。

    3、應理解,以上概述及以下詳細描述兩者僅是示范性及說明性的且未必限制本公開。被并入本說明書中且構成本說明書的部分的附圖說明本公開的標的物。描述與圖式一起用于解釋本公開的原理。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種等離子體燈,其包括:

    2.根據權利要求1所述的等離子體燈,其中所述玻璃壁的內表面處的第一OH濃度高于所述玻璃壁的塊狀區域內的第二OH濃度。

    3.根據權利要求2所述的等離子體燈,其中所述OH濃度分布通過所述玻璃壁的所述塊狀區域逐漸變動。

    4.根據權利要求2所述的等離子體燈,其中所述內表面包括具有高于所述玻璃壁的所述塊狀區域的OH濃度的OH濃度的表面層。

    5.根據權利要求4所述的等離子體燈,其中所述內表面具有高于600ppm的OH含量且所述塊狀區域具有低于300pm的OH含量。

    6.根據權利要求4所述的等離子體燈,其中所述表面層通過使用OH或H2中的至少一者浸漬所述玻璃壁的所述內表面的表面處理形成。

    7.根據權利要求4所述的等離子體燈,其中所述表面層在1nm與100μm之間。

    8.根據權利要求2所述的等離子體燈,其中所述玻璃壁的所述內表面處的所述第一OH濃度抑制表面降解。

    9.一種激光持續等離子體光源,其包括:

    10.根據權利要求9所述的激光持續等離子體光源,其中所述玻璃壁的內表面處的第一OH濃度高于所述玻璃壁的塊狀區域內的第二OH濃度。

    11.根據權利要求10所述的激光持續等離子體光源,其中所述OH濃度分布通過所述玻璃壁的所述塊狀區域逐漸變動。

    12.根據權利要求10所述的激光持續等離子體光源,其中所述內表面包括具有高于所述玻璃壁的所述塊狀區域的OH濃度的表面層。

    13.根據權利要求12所述的激光持續等離子體光源,其中所述內表面具有高于600ppm的OH含量且所述塊狀區域具有低于300pm的OH含量。

    14.根據權利要求12所述的激光持續等離子體光源,其中所述表面層通過使用OH或H2中的至少一者浸漬所述玻璃壁的所述內表面的表面處理形成。

    15.根據權利要求12所述的激光持續等離子體光源,其中所述表面層在1nm與100μm之間。

    16.根據權利要求10所述的激光持續等離子體光源,其中所述玻璃壁的所述內表面處的所述第一OH濃度抑制表面降解。

    17.一種特性化系統,其包括:

    18.一種形成等離子體燈的方法,其包括:

    19.根據權利要求18所述的形成等離子體燈的方法,其中所述處理所述氣體收容結構的所述玻璃壁的所述內表面以更改所述內表面處的所述OH濃度,使得所述內表面處的所述第一OH濃度大于所述玻璃壁的所述塊狀區域內的所述第二OH濃度包括:

    20.根據權利要求18所述的形成等離子體燈的方法,其中所述處理所述氣體收容結構的所述玻璃壁的所述內表面以更改所述內表面處的所述OH濃度,使得所述內表面處的所述第一OH濃度大于所述玻璃壁的所述塊狀區域內的所述第二OH濃度包括:

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    【技術特征摘要】
    【國外來華專利技術】

    1.一種等離子體燈,其包括:

    2.根據權利要求1所述的等離子體燈,其中所述玻璃壁的內表面處的第一oh濃度高于所述玻璃壁的塊狀區域內的第二oh濃度。

    3.根據權利要求2所述的等離子體燈,其中所述oh濃度分布通過所述玻璃壁的所述塊狀區域逐漸變動。

    4.根據權利要求2所述的等離子體燈,其中所述內表面包括具有高于所述玻璃壁的所述塊狀區域的oh濃度的oh濃度的表面層。

    5.根據權利要求4所述的等離子體燈,其中所述內表面具有高于600ppm的oh含量且所述塊狀區域具有低于300pm的oh含量。

    6.根據權利要求4所述的等離子體燈,其中所述表面層通過使用oh或h2中的至少一者浸漬所述玻璃壁的所述內表面的表面處理形成。

    7.根據權利要求4所述的等離子體燈,其中所述表面層在1nm與100μm之間。

    8.根據權利要求2所述的等離子體燈,其中所述玻璃壁的所述內表面處的所述第一oh濃度抑制表面降解。

    9.一種激光持續等離子體光源,其包括:

    10.根據權利要求9所述的激光持續等離子體光源,其中所述玻璃壁的內表面處的第一oh濃度高于所述玻璃壁的塊狀區域內的第二oh濃度。

    11.根據權利要求10所述的激光持續等離子體光源,其中所述oh濃度分布通過所述玻璃壁的所述塊狀區域逐漸變動。

    12.根據權...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:O·可哈達金I·貝澤爾
    申請(專利權)人:科磊股份有限公司
    類型:發明
    國別省市:

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