【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及顯示，具體涉及一種微型發(fā)光二極管顯示芯片。
技術(shù)介紹
1、微型發(fā)光二極管(microlight-emittingdiode，microled)是一種尺寸單位為微米級的發(fā)光元件，具有體積小、壽命長、色彩豐富和功耗低等優(yōu)點。但是，microled存在發(fā)光效率低的問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、有鑒于此，本申請實施例提供了一種微型發(fā)光二極管顯示芯片，解決了microled發(fā)光效率低的問題。
2、第一方面，本申請一實施例提供的一種微型發(fā)光二極管顯示芯片包括：基板；第一反射層，設(shè)置于所述基板上；發(fā)光結(jié)構(gòu)層，設(shè)置于所述第一反射層上；第二反射層，設(shè)置于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層上；所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層包括多個陣列排布的led單元，所述led單元包括臺階結(jié)構(gòu)，所述臺階結(jié)構(gòu)使得相鄰的所述led單元電隔離并能夠獨立的被驅(qū)動；其中，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層與所述第二反射層之間設(shè)置有平坦化層，使所述第二反射層具有平整的表面，所述第一反射層的反射率高于所述第二反射層的反射率，所述第一反射層和所述第二反射層形成諧振腔。
3、結(jié)合第一方面，在本申請的一些實現(xiàn)方式中，所述平坦化層填充所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層的間隙，且與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層的頂表面齊平共同形成第一平面，其中，所述第二反射層設(shè)置于所述第一平面上；或者，所述平坦化層完全覆蓋并高于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層的頂表面，所述平坦化層遠(yuǎn)離所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層的一側(cè)具有第二平面，且所述第二反射層設(shè)置于所述第二平面上。
4、結(jié)合第一方面，在本申請的一些實現(xiàn)方式中，臺階結(jié)構(gòu)的臺階面形成l
5、結(jié)合第一方面，在本申請的一些實現(xiàn)方式中，led單元包括：依次位于所述第一反射層上的第一摻雜型半導(dǎo)體層、有源層和第二摻雜型半導(dǎo)體層；其中，臺階結(jié)構(gòu)形成于第二摻雜型半導(dǎo)體層上，臺階結(jié)構(gòu)的高度不小于第二摻雜型半導(dǎo)體層的厚度，以至少使相鄰的led單元的第二摻雜型半導(dǎo)體層電隔離。
6、結(jié)合第一方面，在本申請的一些實現(xiàn)方式中，多個led單元具有公共第一摻雜型半導(dǎo)體層。
7、結(jié)合第一方面，在本申請的一些實現(xiàn)方式中，臺階結(jié)構(gòu)還形成于有源層和第一摻雜型半導(dǎo)體層上；其中，臺階結(jié)構(gòu)的高度等于led單元的厚度，以使相鄰的led單元中的第一摻雜型半導(dǎo)體層、有源層和第二摻雜型半導(dǎo)體層電隔離。
8、結(jié)合第一方面，在本申請的一些實現(xiàn)方式中，led單元還包括：鈍化層和電極層；鈍化層覆蓋所述led單元的臺階結(jié)構(gòu)，其中，鈍化層上設(shè)置有第一開口以暴露所述led單元的第二摻雜型半導(dǎo)體層；電極層覆蓋第一開口，且與led單元的第二摻雜型半導(dǎo)體層形成電接觸。
9、結(jié)合第一方面，在本申請的一些實現(xiàn)方式中，基板包括驅(qū)動電路，驅(qū)動電路包括多個觸點，觸點位于相鄰的led單元之間；鈍化層上還設(shè)置有第二開口并暴露所述觸點，電極層通過第二開口和對應(yīng)的觸點電連接，以利用電極層電連接led單元的第二摻雜型半導(dǎo)體層和對應(yīng)的觸點。
10、結(jié)合第一方面，在本申請的一些實現(xiàn)方式中，微型發(fā)光二極管顯示芯片還包括：鍵合層，設(shè)置于基板和第一反射層之間；其中，所述鍵合層的材質(zhì)為au、sn、in、cu和ti中的一種或者多種的合金；或者所述鍵合層的材質(zhì)是聚酰亞胺、聚二甲基硅氧烷、光刻膠、氫倍半硅氧烷和二乙烯基硅氧烷-雙-苯并環(huán)丁烯中的一種或多種。
11、結(jié)合第一方面，在本申請的一些實現(xiàn)方式中，平坦化層的材料包括以下材料中的任意一種：光刻膠、聚酰亞胺、擋墻膠、苯丙環(huán)丁烯、al、ag、sio2、al2o3、zro2、tio2、si3n4和hfo2。
12、第二方面，本申請一實施例提供的一種微型發(fā)光二極管顯示芯片的制備方法包括：提供襯底；在所述襯底上依次形成發(fā)光結(jié)構(gòu)層和第一反射層；提供基板；將所述第一反射層與所述基板鍵合；去除所述襯底，以暴露所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層；在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層上形成多個陣列排布的led單元，led單元包括臺階結(jié)構(gòu)，所述臺階結(jié)構(gòu)使得相鄰的所述led單元電隔離并能夠獨立的被驅(qū)動；在所述led單元遠(yuǎn)離基板的一側(cè)形成平坦化層，在所述平坦化層上形成第二反射層，所述第一反射層的反射率高于所述第二反射層的反射率，所述第一反射層和所述第二反射層形成諧振腔。
13、結(jié)合第二方面，在本申請的一些實現(xiàn)方式中，所述在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層上形成多個led單元，包括：在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層上形成多個臺階結(jié)構(gòu)，所述多個臺階結(jié)構(gòu)將所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層分隔為多個led單元。
14、結(jié)合第二方面，在本申請的一些實現(xiàn)方式中，所述led單元包括：依次位于第一反射層上的第一摻雜型半導(dǎo)體層、有源層和第二摻雜型半導(dǎo)體層；其中，所述在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層上形成多個臺階結(jié)構(gòu)，包括：去除位于多個預(yù)設(shè)區(qū)域的第二摻雜型半導(dǎo)體層，以形成所述多個臺階結(jié)構(gòu)；其中，所述臺階結(jié)構(gòu)的高度不小于所述第二摻雜型半導(dǎo)體層的厚度，以至少使相鄰的所述led單元中的所述第二摻雜型半導(dǎo)體層電隔離。
15、結(jié)合第二方面，在本申請的一些實現(xiàn)方式中，所述在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層上形成多個臺階結(jié)構(gòu)，包括：去除位于多個預(yù)設(shè)區(qū)域的第二摻雜型半導(dǎo)體層、有源層和至少部分第一摻雜型半導(dǎo)體層，以形成所述多個臺階結(jié)構(gòu)，以至少使相鄰的所述led單元中的所述有源層和所述第二摻雜型半導(dǎo)體層電隔離。
16、結(jié)合第二方面，在本申請的一些實現(xiàn)方式中，在所述將所述第一反射層與所述基板鍵合之前，還包括：在所述第一反射層和/或所述基板上形成鍵合層；所述將所述第一反射層與所述基板鍵合包括：通過所述鍵合層將所述第一反射層與所述基板鍵合。
17、結(jié)合第二方面，在本申請的一些實現(xiàn)方式中，所述基板包括驅(qū)動電路，所述驅(qū)動電路包括多個觸點，所述觸點位于相鄰的所述led單元之間；其中，在所述去除位于多個預(yù)設(shè)區(qū)域的第二摻雜型半導(dǎo)體層，以形成所述多個臺階結(jié)構(gòu)之后，還包括：在所述第一反射層和所述鍵合層上的與所述觸點對應(yīng)的位置形成刻蝕孔，以暴露所述觸點；在所述led單元的遠(yuǎn)離所述第一反射層的一側(cè)形成鈍化層；在所述鈍化層上形成暴露所述第二摻雜型半導(dǎo)體層的第一開口；在所述鈍化層上的與所述觸點對應(yīng)的位置形成第二開口，并暴露所述觸點；在所述鈍化層上形成電極層，所述電極層通過第二開口和對應(yīng)的觸點電連接，以利用電極層電連接led單元的第二摻雜型半導(dǎo)體層和對應(yīng)的觸點。
18、本申請實施例提供的微型發(fā)光二極管顯示芯片，能夠通過諧振腔提高出光準(zhǔn)直性和發(fā)光效率。另外，平坦化層提高了第二反射層的平整性，進一步提高了諧振腔的諧振效果。
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1.一種微型發(fā)光二極管顯示芯片，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管顯示芯片，其特征在于，所述平坦化層填充所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層的間隙且與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層的頂表面齊平共同形成第一平面，其中，所述第二反射層設(shè)置于所述第一平面上；
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管顯示芯片，其特征在于，所述臺階結(jié)構(gòu)的臺階面形成所述LED單元的發(fā)光面，所述第二反射層至少覆蓋所述臺階面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的微型發(fā)光二極管顯示芯片，其特征在于，所述LED單元包括：依次位于所述第一反射層上的第一摻雜型半導(dǎo)體層、有源層和第二摻雜型半導(dǎo)體層；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微型發(fā)光二極管顯示芯片，其特征在于，所述多個LED單元具有公共第一摻雜型半導(dǎo)體層。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微型發(fā)光二極管顯示芯片，其特征在于，所述臺階結(jié)構(gòu)還形成于所述有源層和所述第一摻雜型半導(dǎo)體層上；
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微型發(fā)光二極管顯示芯片，其特征在于，所述LED單元還包括：鈍化層和電極層；
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微型發(fā)光
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微型發(fā)光二極管顯示芯片，其特征在于，還包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管顯示芯片，其特征在于，所述平坦化層的材料包括以下材料中的任意一種：光刻膠、聚酰亞胺、擋墻膠、苯丙環(huán)丁烯、Al、Ag、SiO2、Al2O3、ZrO2、TiO2、Si3N4和HfO2。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種微型發(fā)光二極管顯示芯片，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管顯示芯片，其特征在于，所述平坦化層填充所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層的間隙且與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層的頂表面齊平共同形成第一平面，其中，所述第二反射層設(shè)置于所述第一平面上；
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管顯示芯片，其特征在于，所述臺階結(jié)構(gòu)的臺階面形成所述led單元的發(fā)光面，所述第二反射層至少覆蓋所述臺階面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的微型發(fā)光二極管顯示芯片，其特征在于，所述led單元包括：依次位于所述第一反射層上的第一摻雜型半導(dǎo)體層、有源層和第二摻雜型半導(dǎo)體層；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微型發(fā)光二極管顯示芯片，其特征在于，所述多個led單元具有公共第一摻雜型半導(dǎo)體層。
...【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：莊永漳，
申請(專利權(quán))人：鐳昱光電科技蘇州有限公司，
類型：新型
國別省市：
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