【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)涉及電子部件的制造方法和糊劑涂敷裝置等。
技術(shù)介紹
1、在層疊陶瓷電容器、電感器、熱敏電阻等電子部件主體的端面上浸漬涂敷導電性糊劑層，從而在電子部件主體形成外部電極。浸漬涂敷的狀態(tài)下的導電性糊劑層的膜厚不均勻化。因此，還提出了將浸漬涂敷有導電性糊劑的電子部件主體從形成于平臺面的浸漬層提起后，使形成于電子部件主體的端部的導電性糊劑層與去除了浸漬層的平臺面接觸的方案(專利文獻1)。該工序由于利用平臺擦拭電子部件主體側(cè)的多余的導電性糊劑，因此被稱為印跡(blot)工序。通過實施該印跡工序，可期待在電子部件主體的端部形成大致均勻的導電性糊劑層。
2、現(xiàn)有技術(shù)文獻
3、專利文獻
4、專利文獻1：日本特開昭63-45813號公報
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、專利技術(shù)要解決的課題
2、但是，即使實施印跡工序，若從平臺提起電子部件主體，則電子部件主體的導電性糊劑層也被轉(zhuǎn)印于平臺的導電性糊劑的表面張力向平臺側(cè)拉伸。另外，還產(chǎn)生平臺上的導電性糊劑與電子部件主體的導電性糊劑相連的拉絲現(xiàn)象。由于這樣的現(xiàn)象，電子部件主體的外部電極存在覆蓋端面的中心附近的部分較厚而覆蓋周緣附近的部分變薄的傾向。
3、這樣的外部電極會阻礙外部電極的表面的平坦性，而且產(chǎn)生外部電極的膜厚的不均勻。另外，由于轉(zhuǎn)印于平臺的導電性糊劑的表面張力，特別是在電子部件主體的端面與側(cè)面的角部處，導電性糊劑層向平臺側(cè)移動，角部的膜厚變薄。若將具有這樣的外部電極的電子部件焊接在基板上，則焊
4、并且，為了使用平臺來實施浸漬涂敷工序和印跡工序，必須在浸漬涂敷后去除平臺上的導電性糊劑，之后再次使電子部件與平臺接觸，之后從平臺分離。
5、本專利技術(shù)的幾個方式的目的在于提供能夠改善形成于電子部件主體的端部的外部電極的形狀，進而能夠縮短工序時間的電子部件的制造方法和糊劑涂敷裝置。
6、用于解決課題的手段
7、(1)、本專利技術(shù)的一個方式涉及電子部件的制造方法，在沿著第1方向排列的n(n為大于等于2的整數(shù))個電子部件主體各自的端部涂敷導電性糊劑來制造電子部件，其中，該電子部件的制造方法具有如下工序：第1工序，在浸漬層形成部的n個孔中分別形成所述導電性糊劑的浸漬層；第2工序，使所述n個電子部件主體相對于所述浸漬層形成部在與所述浸漬層形成部的主表面交叉的第2方向上相對地移動，使所述端部經(jīng)由所述n個孔各自的第1開口端浸漬于所述浸漬層；第3工序，使所述n個電子部件主體相對于所述浸漬層形成部在與所述第2方向相反的第3方向上相對地移動，使所述端部退避到所述第1開口端外；以及第4工序，在涂敷于所述端部的所述導電性糊劑處于與所述浸漬層相連的狀態(tài)時，使所述n個電子部件主體相對于所述浸漬層形成部與所述第1方向平行地相對移動，利用所述第1開口端將涂敷于所述端部的所述導電性糊劑中的多余的糊劑刮掉而去除。
8、在本專利技術(shù)的一個方式中，通過實施第1工序和第2工序，將n個電子部件主體的端部浸漬于浸漬層，通過實施第3工序，將所述端部從浸漬層提起，通過實施第4工序，將涂敷于電子部件主體的端部的導電性糊劑中的多余的糊劑刮掉而去除。由此，對涂敷于電子部件主體的端部的導電性糊劑進行整形。
9、特別是，通過第4工序，將涂敷于所述端部的導電性糊劑中的多余的糊劑刮掉而去除，與此同時，將涂敷于所述端部的導電性糊劑從浸漬層強制性地切斷。由此，在電子部件主體的側(cè)面、連結(jié)側(cè)面和端面的角部處，確保了導電性糊劑的足夠的膜厚(也參照wo2021/181548a1)。
10、在以往的印跡工序中，使涂敷于電子部件主體的端部的導電性糊劑層與去除了浸漬層后的例如平臺接觸而進行整形。即，在以往的印跡工序中，需要等待平臺上的浸漬層被去除，與此相對，在不必等待浸漬層形成部的浸漬層被去除就能夠?qū)嵤┖齽┤コ谋緦＠夹g(shù)的一個方式中，工序時間被縮短。
11、此外，在本專利技術(shù)的一個方式中，由于僅通過n個電子部件主體與浸漬層形成部的相對移動就能夠?qū)嵤┑?工序～第4工序，因此能夠簡化用于實施本專利技術(shù)方法的糊劑涂敷裝置的構(gòu)造。
12、(2)、在本專利技術(shù)的一個方式(1)中，優(yōu)選為，在所述第2方向和所述第3方向與鉛垂方向平行的情況下，在分別形成于所述n個孔的所述浸漬層的上表面低于所述第1開口端的高度位置時，實施所述第4工序。這樣，能夠?qū)埩粼陔娮硬考黧w的端部的導電性糊劑與浸漬層之間進行連結(jié)的拉絲強制性地切斷。另外，能夠使第1開口端的邊緣不埋入于浸漬層而露出。另外，浸漬層的上表面也可以在第1工序的結(jié)束時刻低于第1開口端的高度位置。
13、(3)、在本專利技術(shù)的一個方式(2)中，可以是，所述n個孔是在與所述第1開口端相反的一側(cè)具有第2開口端的貫通孔。在該情況下，在所述第1工序中，分別形成于所述n個貫通孔的所述浸漬層的上表面與所述第1開口端為同一面，另一方面，該電子部件的制造方法還具有如下工序：在所述第4工序之前，經(jīng)由所述第2開口端將所述導電性糊劑排出，使所述浸漬層的上表面低于所述第1開口端的高度位置。這樣，通過使n個孔分別為貫通孔，能夠利用第2開口端來調(diào)整浸漬層的上表面的位置。
14、(4)、在本專利技術(shù)的一個方式(3)中，也可以是，在將所述浸漬層形成部設為第1浸漬層形成部時，還準備配置為在俯視時與所述第1浸漬層形成部重疊的第2浸漬層形成部，該第2浸漬層形成部與所述第1浸漬層形成部的距離是可變的。在該情況下，在所述第2浸漬層形成部中配置有經(jīng)由所述n個貫通孔各自的與所述第1開口端相反的一側(cè)的所述第2開口端而與所述浸漬層相連的導電性糊劑積存部，而且，在所述第4工序之前，使所述第2浸漬層形成部相對于所述第1浸漬層形成部在所述第2方向上相對地移動。第2浸漬層形成部上的導電性糊劑積存部經(jīng)由第2開口端與各貫通孔的浸漬層連接，因此能夠取決于第2浸漬層形成部相對于第1浸漬層形成部的的相對位置而調(diào)整浸漬層的上表面的高度位置。這樣，在第4工序之前，能夠使浸漬層的上表面低于第1開口端的高度位置。
15、(5)、在本專利技術(shù)的一個方式(3)或(4)中，可以是，該電子部件的制造方法包含如下工序：經(jīng)由所述第1開口端向所述n個貫通孔分別提供所述導電性糊劑；以及之后將殘留于所述浸漬層形成部的上表面的所述導電性糊劑刮掉。這樣，分別形成于n個貫通孔的浸漬層的上表面與第1開口端為同一面。
16、(6)、在本專利技術(shù)的一個方式(1)～(5)中，可以準備n×m(m為大于等于2的整數(shù))個所述電子部件主體。在該情況下，所述n個貫通孔是以與所述第1方向垂直的方向作為長度方向而分別具有能夠供所述m個電子部件主體嵌入的所述長度方向的長度的n個縫。而且，在所述第4工序中，利用所述n個縫各自的所述第1開口端來去除涂敷于所述n×m個電子部件主體各自的所述端部的所述多余的糊劑。這樣，能夠?qū)×m個電子部件主體同時進行處理。
17、(7)、本專利技術(shù)的另一方式涉及糊劑涂敷裝置，其在n(n為大于等于2的整數(shù))個電子部件主體各自的端部涂敷導電性糊劑本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
1.一種電子部件的制造方法，在沿著第1方向排列的N個電子部件主體各自的端部涂敷導電性糊劑來制造電子部件，N為大于等于2的整數(shù)，其中，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件的制造方法，其中，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子部件的制造方法，其中，
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子部件的制造方法，其中，
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的電子部件的制造方法，其中，
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任意一項所述的電子部件的制造方法，其中，
7.一種糊劑涂敷裝置，其在N個電子部件主體各自的端部涂敷導電性糊劑，N為大于等于2的整數(shù)，其中，
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的糊劑涂敷裝置，其中，
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的糊劑涂敷裝置，其中，
【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
1.一種電子部件的制造方法，在沿著第1方向排列的n個電子部件主體各自的端部涂敷導電性糊劑來制造電子部件，n為大于等于2的整數(shù)，其中，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件的制造方法，其中，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子部件的制造方法，其中，
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子部件的制造方法，其中，
5.根據(jù)權(quán)利要...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：佐藤英兒，坂本仁志，
申請(專利權(quán))人：新烯科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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