【技術實現步驟摘要】
本技術涉及光伏，特別是涉及一種選擇性發射極電池及光伏組件。
技術介紹
1、為了同時兼顧開路電壓、短路電流和填充因子的需要，選擇性發射極(se)太陽電池是非常理想的選擇。具體的，在se太陽電池中，在電極接觸部位進行重摻雜，在電極之間位置進行輕摻雜。這樣的結構會增加短波響應和降低表面復合，同時減少前電極與發射區的接觸電阻，使得短路電流、開路電壓和填充因子都得到較好的改善，最終提高轉換效率。并且，與橫截面為正方形的se太陽電池相比，橫截面為矩形的se太陽電池可以較大限度的利用半導體棒料，減少制造se太陽電池的半導體棒料的損耗，降低制造成本。
2、但是，現有的橫截面為矩形的se太陽電池包括的電極結構對載流子的收集能力較差，不利于提升se太陽電池的光電轉換效率。
技術實現思路
1、本技術的目的在于提供一種選擇性發射極電池及光伏組件，用于提高橫截面為矩形的se太陽電池包括的電極結構對載流子的收集能力，降低載流子的復合速率，利于提高se太陽電池的光電轉換效率。
2、第一方面，本技術提供了一種選擇性發射極電池。該選擇性發射極電池包括：半導體基底和多個集電電極。該半導體基底具有相對的第一面和第二面。第一面和第二面的輪廓均包括交替分布的第一邊和第二邊。第一邊的長度大于第二邊的長度。第一面和第二面中的至少一者為目標面，半導體基底位于目標面的一側具有選擇性發射極。選擇性發射極包括的多個重摻雜區均沿大致平行于第二邊的方向延伸、且沿大致平行于第一邊的方向間隔分布。上述多個集電電極形成在
3、采用上述技術方案的情況下，選擇性發射極電池包括的半導體基底具有的第一面和第二面的輪廓均包括交替分布的第一邊和第二邊。基于此，因第一邊的長度大于第二邊的長度，故電池本體的橫截面形狀為矩形。相應的，本技術中的選擇性發射極電池為矩形選擇性發射極電池。在此情況下，在實際制造選擇性發射極電池的過程中，需要通過對半導體棒料進行切片處理以形成半導體切片，并基于半導體切片形成選擇性發射極等結構以獲得上述半導體基底。基于此，在用于制造半導體基底的半導體棒料的尺寸一定的情況下，與正方形選擇性發射極電池相比，本技術提供的選擇性發射極電池對半導體棒料的利用率更高，可以降低半導體棒料的損耗，降低選擇性發射極電池的制造成本。
4、其次，在實際的制造過程中，通常以半導體基底的短邊(即第二邊)平行于濕法腐蝕或擴散等工裝的開口所處平面的方向，將半導體基底防止上述工裝內，此時無須因將原正方形半導體基底改為本技術中的矩形半導體基底后而調整上述工裝中用于卡裝半導體基底的構件的間距或重新更換尺寸適配的工裝，降低選擇性發射極電池的制造成本，同時也不會出現因由半導體基底以寬度較寬的一側放入用于對原正方形半導體基底(該原正方形半導體基底的邊長等于本技術中矩形半導體基底的第二邊的長度)進行處理的工裝內而導致矩形半導體基底出現崩邊的問題。并且，在實際的制造過程中，因執行選擇性發射極工藝的設備所使用的上料工裝為機械手構造，其在對經擴散處理的半導體基底進行上料時會旋轉90°，使得半導體基底中第二邊的延伸方向平行于執行選擇性發射工藝的設備的半導體基片行進方向。在此情況下，因選擇性發射極包括的多個重摻雜區均大致平行于長度較小的第二邊的方向延伸、且沿大致平行于長度較大的第一邊的方向間隔分布，故此時將選擇性發射極工藝所應用的集電電極圖案的延伸方向由現有技術中的垂直于執行選擇性發射工藝的設備的半導體基片行進方向改為平行于執行選擇性發射工藝的設備的半導體基片行進方向，可以降低部分由于執行選擇性發射工藝的設備在工作狀態下存在沿半導體基片行進方向的震動而導致獲得的重摻雜區圖案相對于初始設計的集電電極圖案發生偏移的概率，提高選擇性發射極電池的良率。
5、再者，上述集電電極在目標面上的分布密度大于0.82根/mm、且小于等于0.92根/mm，此時集電電極在目標面上的分布數量適配橫截面為矩形的半導體基底，使得每個集電電極在目標面上的實際載流子收集范圍與自身對應的理論有效載流子收集范圍相適配，從而可以防止因集電電極在目標面上的分布密度較小而使得集電電極難以將較大范圍內的更多載流子及時導出而導致目標面一側的載流子復合速率較高，同時還可以防止因集電電極在目標面上的分布密度較大而導致集電電極在目標面一側的遮光面積較大，確保可以有較多的光線可以由目標面一側透射至半導體基底內，利于提升選擇性發射極電池的光電轉換效率。
6、在一種可能的實現方式中，導電類型相同的相鄰兩個重摻雜區對應的兩個不同集電電極的間距大于等于1.1μm、且小于等于1.2μm。
7、采用上述技術方案的情況下，導電類型相同的相鄰兩個重摻雜區對應的兩個不同集電電極的間距在上述范圍內，可以防止因上述間距較大而導致半導體基底內的相應導電類型的載流子無法及時經由集電電極導出，進一步降低載流子復合速率，提高選擇性發射極電池的光電轉換效率。同時，也可以防止因上述間距較小使得形成于半導體基底的目標面上的集電電極的數量較多導致半導體基底的實際受光面積減小，確保有較多的光線可以透射至半導體基底內，進而確保選擇性發射極電池具有較高的光電轉換效率。
8、在一種可能的實現方式中，上述選擇性發射極包括的每個重摻雜區的中軸線與自身接觸的相應集電電極的中軸線之間的夾角大于等于0、且小于0.019°。在此情況下，選擇性發射極包括的每個重摻雜區的中軸線與自身接觸的相應集電電極的中軸線之間的夾角較小。換句話說，選擇性發射極包括的每個重摻雜區與自身接觸的相應集電電極之間的偏移程度較小，確保每個集電電極沿延伸方向的各部分均能夠形成在相應重摻雜區上，確保選擇性發射極電池具有較高的良率和工作性能。
9、在一種可能的實現方式中，僅每個重摻雜區沿大致平行于第一邊方向的一側邊緣區域暴露在與自身接觸的相應集電電極之外。并且，邊緣區域的寬度大于0、且小于等于60μm。在此情況下，每個重摻雜區沿大致平行于第一方向的一側與自身接觸的集電電極的一側平齊。并且，每個重摻雜區沿大致平行于第一方向的另一側暴露在與自身接觸的相應集電電極之外的邊緣區域的寬度較小，選擇性發射極包括的每個重摻雜區與自身接觸的相應集電電極之間的偏移程度較小，確保每個集電電極沿延伸方向的各部分均能夠形成在相應重摻雜區上，降低后道偏移概率，確保選擇性發射極電池具有較高的良率和工作性能。
10、在一種可能的實現方式中，每個重摻雜區沿大致平行于第一邊方向的兩側邊緣區域均暴露在與自身接觸的相應集電電極之外。并且，邊緣區域的寬度大于0、且小于等于60μm。該情況下具有的有益效果與前文所述的僅每個重摻雜區沿大致平行于第一邊方向的一側邊緣區域暴露在與自身接觸的相應集電電極之外，且邊緣區域的寬度大于0、且小于等于60μm的有益效果相似，此處不再贅述。
11、在一種可能的實現方式中，上述集電電極本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種選擇性發射極電池，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的選擇性發射極電池，其特征在于，導電類型相同的相鄰兩個所述重摻雜區對應的兩個不同所述集電電極的間距大于等于1.1μm、且小于等于1.2μm。
3.根據權利要求1所述的選擇性發射極電池，其特征在于，所述選擇性發射極包括的每個所述重摻雜區的中軸線與自身接觸的相應所述集電電極的中軸線之間的夾角大于等于0、且小于0.019°。
4.根據權利要求1所述的選擇性發射極電池，其特征在于，僅每個所述重摻雜區沿大致平行于所述第一邊方向的一側邊緣區域暴露在與自身接觸的相應所述集電電極之外；所述邊緣區域的寬度大于0、且小于等于60μm。
5.根據權利要求1所述的選擇性發射極電池，其特征在于，每個所述重摻雜區沿大致平行于所述第一邊方向的兩側邊緣區域均暴露在與自身接觸的相應所述集電電極之外；所述邊緣區域的寬度大于0、且小于等于60μm。
6.根據權利要求1所述的選擇性發射極電池，其特征在于，所述集電電極在所述目標面上的分布密度大于等于0.83根/mm、且小于等于0.9根/mm。<...
【技術特征摘要】
1.一種選擇性發射極電池，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的選擇性發射極電池，其特征在于，導電類型相同的相鄰兩個所述重摻雜區對應的兩個不同所述集電電極的間距大于等于1.1μm、且小于等于1.2μm。
3.根據權利要求1所述的選擇性發射極電池，其特征在于，所述選擇性發射極包括的每個所述重摻雜區的中軸線與自身接觸的相應所述集電電極的中軸線之間的夾角大于等于0、且小于0.019°。
4.根據權利要求1所述的選擇性發射極電池，其特征在于，僅每個所述重摻雜區沿大致平行于所述第一邊方向的一側邊緣區域暴露在與自身接觸的相應所述集電電極之外；所述邊緣區域的寬度大于0、且小于等于60μm。
5.根據權利要求1所述的選擇性發射極電池，其特征在于，每個所述重摻雜區沿大致平行于所述第一邊方向的兩側邊緣區域均暴露在與自身接觸的相應所述集電電極之外...
【專利技術屬性】
技術研發人員：程一銘，曹紅亮，張健超，譚軍政，
申請(專利權)人：西安隆基樂葉光伏科技有限公司，
類型：新型
國別省市：
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