【技術實現步驟摘要】
本申請涉及真空鍍膜，特別是涉及大面積等離子體放電結構及真空鍍膜設備。
技術介紹
1、隨著太陽能電池技術的發展，高效太陽能電池的開發已經成為各大企業的研究重心，其中異質結太陽能電池作為一種新型技術已成為行業研究的熱點，該技術最重要的一點是采用等離子體增強化學氣相沉積(plasma?enhanced?chemical?vapor?deposition,pecvd)在單晶硅片上沉積非晶硅或微晶硅膜層。在具體的制備過程中，工藝氣體從陰極噴淋頭進氣口進入真空鍍膜腔室內，逐漸擴散至待鍍膜硅片表面，在射頻源激發的電場作用下，工藝氣體產生等離子體并發生化學反應，在待鍍膜硅片表面形成非晶硅或微晶硅膜層。
2、目前為了實現異質結太陽能電池的降本增效，企業通常采用大面積的陰極噴淋頭在多個單晶硅片表面沉積大面積膜層，以此提高單批次的鍍膜效率。但生成的大面積膜層往往出現中間厚邊緣薄或者中間薄邊緣厚等膜層均勻性差的情況，降低了異質結太陽能電池的良品率。
技術實現思路
1、基于此，有必要針對目前生產大面積沉積膜層中存在的均勻性差的問題，提供一種大面積等離子體放電結構及真空鍍膜設備。
2、一種大面積等離子體放電結構，所述大面積等離子體放電結構包括上電極模組和下電極模組，所述上電極模組與所述下電極模組間形成有鍍膜電場，所述上電極模組包括：
3、背板，所述背板連接射頻電源及用于通入工藝氣體；
4、噴淋頭，所述噴淋頭安裝于所述背板，其背離所述背板的一側具有凹陷部；
...【技術保護點】
1.一種大面積等離子體放電結構，其特征在于，所述大面積等離子體放電結構包括上電極模組和下電極模組，所述上電極模組與所述下電極模組間形成有鍍膜電場，所述上電極模組包括：
2.根據權利要求1所述的大面積等離子體放電結構，其特征在于，所述介質板包括導電體及覆蓋所述導電體表面的介質層。
3.根據權利要求2所述的大面積等離子體放電結構，其特征在于，所述介質層的介電常數為2-1000。
4.根據權利要求3所述的大面積等離子體放電結構，其特征在于，所述介質層的介電常數為優選的2-40。
5.根據權利要求1所述的大面積等離子體放電結構，其特征在于，所述介質板的材料為陶瓷材料。
6.根據權利要求5所述的大面積等離子體放電結構，其特征在于，所述陶瓷材料為滑石陶瓷、鎂橄欖石陶瓷、堇青石陶瓷、尖晶石陶瓷、莫來石陶瓷、玻璃陶瓷、賽隆陶瓷、氟化釔陶瓷，氮化硅陶瓷、氧化鎂陶瓷、氧化鈹陶瓷、氧化陶瓷、氧化鈰陶瓷、氮化硼陶瓷、碳化硼陶瓷、氧化鋁陶瓷、氧化釔陶瓷、氮化鋁陶瓷、碳化硅陶瓷、氧化鋯陶瓷及氧化鉍陶瓷中的至少一種。
7.根據權利要求1所
8.根據權利要求7所述的大面積等離子體放電結構，其特征在于，所述介質板的長度和寬度均在100mm-250mm之間，所述介質板的厚度在1mm-5mm之間。
9.根據權利要求7所述的大面積等離子體放電結構，其特征在于，每個所述介質板的四邊開設有2個上邊槽和2個下邊槽，相鄰兩個所述介質板的一個所述上邊槽與另一所述介質板中的所述下邊槽相搭接。
10.根據權利要求1所述的大面積等離子體放電結構，其特征在于，所述介質板開設有安裝通孔，所述安裝通孔沿所述介質板的厚度方向貫穿所述介質板，所述噴淋頭開設有承接孔，連接緊固件穿過所述安裝通孔及所述承接孔將所述介質板與所述噴淋頭可拆卸地連接為一體。
11.根據權利要求10所述的大面積等離子體放電結構，其特征在于，所述連接緊固件中遠離所述噴淋頭的第一端部不超出所述介質板背離所述噴淋頭一側的表面。
12.根據權利要求1所述的大面積等離子體放電結構，其特征在于，所述噴淋頭面向所述介質板的一側開設有容置孔，所述上電極模組還包括定位柱，所述定位柱的一端位于所述容置孔內，所述定位柱的另一端與所述介質板相抵接。
13.根據權利要求1所述的大面積等離子體放電結構，其特征在于，所述噴淋頭的凹陷部呈弧形結構或者階梯結構，所述噴淋頭和所述介質板之間的間距由中心區域到邊緣區域逐漸減小。
14.一種真空鍍膜設備，其特征在于，所述真空鍍膜設備包括真空腔體、射頻源及如權利要求1-13任一項所述的大面積等離子體放電結構，其中：
...【技術特征摘要】
1.一種大面積等離子體放電結構，其特征在于，所述大面積等離子體放電結構包括上電極模組和下電極模組，所述上電極模組與所述下電極模組間形成有鍍膜電場，所述上電極模組包括：
2.根據權利要求1所述的大面積等離子體放電結構，其特征在于，所述介質板包括導電體及覆蓋所述導電體表面的介質層。
3.根據權利要求2所述的大面積等離子體放電結構，其特征在于，所述介質層的介電常數為2-1000。
4.根據權利要求3所述的大面積等離子體放電結構，其特征在于，所述介質層的介電常數為優選的2-40。
5.根據權利要求1所述的大面積等離子體放電結構，其特征在于，所述介質板的材料為陶瓷材料。
6.根據權利要求5所述的大面積等離子體放電結構，其特征在于，所述陶瓷材料為滑石陶瓷、鎂橄欖石陶瓷、堇青石陶瓷、尖晶石陶瓷、莫來石陶瓷、玻璃陶瓷、賽隆陶瓷、氟化釔陶瓷，氮化硅陶瓷、氧化鎂陶瓷、氧化鈹陶瓷、氧化陶瓷、氧化鈰陶瓷、氮化硼陶瓷、碳化硼陶瓷、氧化鋁陶瓷、氧化釔陶瓷、氮化鋁陶瓷、碳化硅陶瓷、氧化鋯陶瓷及氧化鉍陶瓷中的至少一種。
7.根據權利要求1所述的大面積等離子體放電結構，其特征在于，所述介質板呈矩形結構，所述介質板的長度和寬度均在40mm-400mm之間，所述介質板的厚度在0.5mm-10mm之間。
8.根據權利要求7所述的大面積等離子體放電結構，其特征在于，所述介質板的長...
【專利技術屬性】
技術研發人員：曹新民，陳晨，周劍，王登志，田罡煜，張斌，房現飛，王青松，王鳳明，
申請(專利權)人：蘇州邁為科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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