【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及氣相沉積，尤其涉及一種靜電吸附掩膜板、氣相沉積設備及其使用方法。
技術介紹
1、氣相沉積技術，包括熱蒸鍍真空氣相沉積，磁控濺射，分子束沉積，化學氣相沉積，原子層沉積等各種物理和化學氣相沉積方法。在包括半導體及顯示器制造等很多領域，我們希望在一定的襯底上氣相沉積具有特定圖案的薄膜。通常使用的增材氣相沉積方法包括無掩模光刻和掩模板氣相沉積等。掩模氣相沉積方法是在對襯底進行氣相沉積的過程中，以一個具有特定排列孔洞的薄膜或薄板遮擋在襯底的薄膜沉積表面，使被薄膜或薄板遮擋區域無法沉積薄膜，孔洞區域沉積薄膜。這個用來使襯底在薄膜沉積過程中區域選擇性沉積薄膜的薄膜或薄板裝置，一般被稱為掩模板或掩膜版。
2、對于掩模圖案非常小的精細掩模板，為了降低堵孔和陰影效應，掩模板的厚度要非常小，這造成掩模板在布置在氣相沉積設備的上方時，掩模板在重力的作用下會產生一定的下垂，使得掩模板與襯底之間產生較大的間隙，這造成陰影效應的加劇，降低了薄膜沉積圖案的質量。現有精細掩模為了減小掩模板的下垂，往往是使用強度非常高的材料制作掩模板，降低其在重力作用下的下垂，但這一方法的效果一般比較有限。
3、在對襯底進行物理和化學氣相薄膜沉積過程中，氣相材料對襯底表面的碰撞及化學反應會使襯底和掩模板升溫。對于需要制作小于100μm甚至1μm量級及以下尺度精細圖案的掩模板，熱膨脹會使掩模板產生形變，降低薄膜圖案的質量。
4、因此，高質量的精細掩模板需要解決以下幾個問題：降低掩膜板的熱膨脹變形；減小掩模板像素區的厚度和像素定義區的
5、如公開號為cn?113215529?a的專利公開了一種精密掩膜板，精密掩膜板包括掩膜板主體，掩膜板主體包括呈行列分布的多個蒸鍍開口和圍繞各蒸鍍開口分布的遮掩區，在掩膜板主體的垂直于自身厚度方向的任意截面內，位于沿行方向，和/或沿列方向上相鄰排布的蒸鍍開口之間的遮掩區的最小距離至少包括第一最小距離h1和第二最小距離h2，h1≠h2，且沿掩膜板自身厚度方向上的各截面中，與第一最小距離h1與第二最小距離h2中較大者對應的截面的面積較大；其中，當行沿第一方向延伸時、列沿第二方向延伸，當行沿第二方向延伸時、列沿第一方向延伸，第一方向和第二方向相交。該精密掩膜板解決的是減少張網出現褶皺的風險，以提升蒸鍍良率的技術問題，依然無法解決掩膜板下垂和蒸鍍變形的技術問題。
技術實現思路
1、為了解決上述技術問題，本專利技術提供了一種靜電吸附掩膜板、氣相沉積設備及其使用方法，其中的掩膜板結構簡單，制作成本低，可通過靜電吸附的作用貼緊襯底，可有效避免掩膜板的下垂，保證了襯底蒸鍍的質量。
2、為實現上述目的，本專利技術解決其技術問題所采用的技術方案是：所述靜電吸附掩膜板，包括復合膜層，所述復合膜層包括與襯底表面貼合的低熱膨脹層及其表面的導電層，所述復合膜層的像素區上均布設置有像素開口。
3、所述低熱膨脹層的線性熱膨脹系數小于2×10-6/k，厚度為50-20000nm。
4、所述低熱膨脹層由低熱膨脹的玻璃材質或聚合物制備而成，所述聚合物包括低膨脹聚酰亞胺或低熱膨脹聚芳酰胺。
5、所述導電層由金屬導電材料或非金屬導電材料制備而成，所述導電層的電導率≤10-4mω·cm，所述導電層的厚度為50-2000nm。
6、所述導電層遠離所述低熱膨脹層的一側與承載架相連，所述承載架上設置有與所述像素區相對的避讓開口。
7、所述承載架包括支撐框架和環形石英片，所述支撐框架與環形石英片的一側膠粘相連，所述環形石英片的另一側與所述導電層的外周膠粘相連。
8、所述避讓開口包括所述環形石英片中心處設置的避讓孔ⅰ和所述支撐框架中心處設置的避讓孔ⅱ，所述避讓孔ⅰ和所述避讓孔ⅱ的孔徑均大于所述像素區的直徑。
9、一種氣相沉積設備，包括反應室，所述反應室內定位設置所述靜電吸附掩膜板，所述反應室的上部和下部分別設置有伸入其中的承載臺和反應源，所述承載臺上安裝有靜電吸盤，所述靜電吸盤下方吸附有襯底，所述襯底與所述靜電吸附掩膜板貼合相連。
10、一種所述的氣相沉積設備的使用方法，包括以下步驟：
11、步驟1：將襯底放置在所述靜電吸附掩膜板上，使襯底所要沉積的一側對準所述靜電吸附掩膜板的像素開口；
12、步驟2：將所述靜電吸附掩膜板和襯底靜電貼附在靜電吸盤上；
13、步驟3：將所述靜電吸附掩膜板定位固定；
14、步驟4：反應源向反應室內輸入氣源，使襯底表面完成氣相沉積。
15、本專利技術的有益效果是：
16、本專利技術通過在低熱膨脹系數的低熱膨脹層上設置導電層，制造出復合膜層，在此復合膜層上制作出一定形狀排列的像素開口的圖案陣列，成為氣相沉積精細掩模板，此掩模板在工作過程中，通過靜電吸盤可使掩膜板通過靜電吸附的作用貼緊襯底，可有效避免掩膜板的下垂，而且在蒸鍍的過程中，上述掩膜板變形較小，均保證了襯底蒸鍍的質量。
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1.一種靜電吸附掩膜板，其特征在于，包括復合膜層，所述復合膜層包括與襯底表面貼合的低熱膨脹層及其表面的導電層，所述復合膜層的像素區上均布設置有像素開口。
2.根據權利要求1所述的靜電吸附掩膜板，其特征在于：所述低熱膨脹層的線性熱膨脹系數小于2×10-6/K，厚度為50-20000nm。
3.根據權利要求2所述的靜電吸附掩膜板，其特征在于：所述低熱膨脹層由低熱膨脹的玻璃材質或聚合物制備而成，所述聚合物包括低膨脹聚酰亞胺或低熱膨脹聚芳酰胺。
4.根據權利要求1所述的靜電吸附掩膜板，其特征在于：所述導電層由金屬導電材料或非金屬導電材料制備而成，所述導電層的電導率≤10-4mΩ·cm，所述導電層的厚度為50-2000nm。
5.根據權利要求1所述的靜電吸附掩膜板，其特征在于：所述導電層遠離所述低熱膨脹層的一側與承載架相連，所述承載架上設置有與所述像素區相對的避讓開口。
6.根據權利要求5所述的靜電吸附掩膜板，其特征在于：所述承載架包括支撐框架和環形石英片，所述支撐框架與環形石英片的一側膠粘相連，所述環形石英片的另一側與所述導電層
7.根據權利要求6所述的靜電吸附掩膜板，其特征在于：所述避讓開口包括所述環形石英片中心處設置的避讓孔Ⅰ和所述支撐框架中心處設置的避讓孔Ⅱ，所述避讓孔Ⅰ和所述避讓孔Ⅱ的孔徑均大于所述像素區的直徑。
8.一種氣相沉積設備，其特征在于，包括反應室，所述反應室內定位設置如權利要求1～7任意一項所述的靜電吸附掩膜板，所述反應室的上部和下部分別設置有伸入其中的承載臺和反應源，所述承載臺上安裝有靜電吸盤，所述靜電吸盤下方吸附有襯底，所述襯底與所述靜電吸附掩膜板貼合相連。
9.一種如權利要求8所述的氣相沉積設備的使用方法，包括以下步驟：
...【技術特征摘要】
1.一種靜電吸附掩膜板，其特征在于，包括復合膜層，所述復合膜層包括與襯底表面貼合的低熱膨脹層及其表面的導電層，所述復合膜層的像素區上均布設置有像素開口。
2.根據權利要求1所述的靜電吸附掩膜板，其特征在于：所述低熱膨脹層的線性熱膨脹系數小于2×10-6/k，厚度為50-20000nm。
3.根據權利要求2所述的靜電吸附掩膜板，其特征在于：所述低熱膨脹層由低熱膨脹的玻璃材質或聚合物制備而成，所述聚合物包括低膨脹聚酰亞胺或低熱膨脹聚芳酰胺。
4.根據權利要求1所述的靜電吸附掩膜板，其特征在于：所述導電層由金屬導電材料或非金屬導電材料制備而成，所述導電層的電導率≤10-4mω·cm，所述導電層的厚度為50-2000nm。
5.根據權利要求1所述的靜電吸附掩膜板，其特征在于：所述導電層遠離所述低熱膨脹層的一側與承載架相連，所述承載架上設置...
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉成元，李雪原，李維維，李文連，周浪，
申請(專利權)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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