【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及應用于ltcc濾波器的小型化諧振結構。
技術介紹
1、濾波器是由電容、電感和電阻組成的濾波電路。濾波器可以對電源線中特定頻率的頻點或該頻點以外的頻率進行有效濾除，得到一個特定頻率的電源信號，或消除一個特定頻率后的電源信號。
2、ltcc（low?temperature?co-fired?ceramic）低溫共燒陶瓷技術是將低溫燒結陶瓷粉制成厚度精確而且致密的生瓷帶，在生瓷帶上利用激光打孔、微孔注漿、精密導體漿料印刷等工藝制出所需要的電路圖形，并將多個被動組件（如低容值電容、電阻、濾波器、阻抗轉換器、耦合器等）埋入多層陶瓷基板中，然后疊壓在一起，內外電極可分別使用銀、銅、金等金屬，在900℃下燒結，制成三維空間互不干擾的高密度電路，也可制成內置無源元件的三維電路基板，在其表面可以貼裝ic和有源器件，制成無源/有源集成的功能模塊，可進一步將電路小型化與高密度化，特別適合用于高頻通訊用組件。
3、現有的ltcc濾波器，會在陶瓷體中設置諧振桿層，諧振桿層常采用條狀諧振桿，但為了達到一定的諧振頻率，需要較長的諧振桿，即諧振桿層的長度較長，這會加大ltcc濾波器的體積。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種應用于ltcc濾波器的小型化諧振結構，包括：陶瓷體，設于陶瓷體外表面的外電極，以及設于陶瓷體內部的金屬層；
2、所述外電極包括：設于陶瓷體左端的第一電極，設于陶瓷體右端的第二電極；
3、所述金屬層包括：與第一電極連接、且
4、其特征在于：
5、所述金屬層還包括：與第一電極連接、且由第一電極向第二電極延伸的兩層諧振桿延長層；該兩層諧振桿延長層分設在諧振桿層的上下兩側。
6、優選的，所述諧振桿層為條狀。
7、優選的，所述兩層諧振桿延長層包括：位于諧振桿層上方的上諧振桿延長層，位于諧振桿層下方的下諧振桿延長層；且上諧振桿延長層、下諧振桿延長層都為條狀。
8、優選的，所述上諧振桿延長層位于諧振桿層的正上方；所述下諧振桿延長層位于諧振桿層的正下方。
9、優選的，所述上諧振桿延長層、下諧振桿延長層以諧振桿層對稱設置。
10、優選的，所述金屬層還包括：與第二電極連接、且由第二電極向第一電極延伸的兩層諧振地層；該兩層諧振地層分設在諧振桿層的上下兩側。
11、優選的，所述兩層諧振地層包括：位于諧振桿層上方的上諧振地層，位于諧振桿層下方的下諧振地層；且上諧振地層、下諧振地層都為條狀。
12、優選的，所述上諧振地層位于諧振桿層的正上方，且上諧振地層位于諧振桿層和上諧振桿延長層之間；所述下諧振地層位于諧振桿層的正下方，且下諧振地層位于諧振桿層和下諧振桿延長層之間。
13、優選的，所述上諧振地層、下諧振地層以諧振桿層對稱設置。
14、優選的，所述金屬層還包括：位于上諧振桿延長層上方的上屏蔽層，以及位于下諧振桿延長層下方的下屏蔽層；上屏蔽層、下屏蔽層分別由第一電極延伸至第二電極。
15、本專利技術的優點和有益效果在于：提供一種應用于ltcc濾波器的小型化諧振結構，通過增加諧振單元的印刷層（即增加上諧振桿延長層、下諧振桿延長層），來增加諧振單元的有效長度（即增加了上諧振桿延長層、下諧振桿延長層的長度），進而實現在陶瓷體體積不變的情況下降低諧振頻率，從而使ltcc濾波器的體積更小。
16、本專利技術具有如下特點：
17、1、本專利技術采用微波低損耗介質陶瓷，所需要的微帶線、金屬層通過在生瓷片表面印刷形成圖案；多層結構疊壓在一起，再通過切割燒結成瓷，最后制做成產品。
18、2、本專利技術采用分布設計方式設計ltcc濾波器。
19、3、本專利技術通過增加諧振單元的印刷層來有效降低諧振頻率。
20、本專利技術通過低溫共燒陶瓷（ltcc）三維集成技術實現高集成度，是可大批量生產應用于北斗導航的小型化濾波器。
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1.一種應用于LTCC濾波器的小型化諧振結構，包括：陶瓷體，設于陶瓷體外表面的外電極，以及設于陶瓷體內部的金屬層；
2.根據權利要求1所述的應用于LTCC濾波器的小型化諧振結構，其特征在于，所述諧振桿層為條狀。
3.根據權利要求2所述的應用于LTCC濾波器的小型化諧振結構，其特征在于，所述兩層諧振桿延長層包括：位于諧振桿層上方的上諧振桿延長層，位于諧振桿層下方的下諧振桿延長層；且上諧振桿延長層、下諧振桿延長層都為條狀。
4.根據權利要求3所述的應用于LTCC濾波器的小型化諧振結構，其特征在于，所述上諧振桿延長層位于諧振桿層的正上方；所述下諧振桿延長層位于諧振桿層的正下方。
5.根據權利要求4所述的應用于LTCC濾波器的小型化諧振結構，其特征在于，所述上諧振桿延長層、下諧振桿延長層以諧振桿層對稱設置。
6.根據權利要求5所述的應用于LTCC濾波器的小型化諧振結構，其特征在于，所述金屬層還包括：由第二電極向第一電極延伸的兩層諧振地層；該兩層諧振地層分設在諧振桿層的上下兩側。
7.根據權利要求6所述的應用于LTCC
8.根據權利要求7所述的應用于LTCC濾波器的小型化諧振結構，其特征在于，所述上諧振地層位于諧振桿層的正上方，且上諧振地層位于諧振桿層和上諧振桿延長層之間；所述下諧振地層位于諧振桿層的正下方，且下諧振地層位于諧振桿層和下諧振桿延長層之間。
9.根據權利要求8所述的應用于LTCC濾波器的小型化諧振結構，其特征在于，所述上諧振地層、下諧振地層以諧振桿層對稱設置。
10.根據權利要求9所述的應用于LTCC濾波器的小型化諧振結構，其特征在于，所述金屬層還包括：位于上諧振桿延長層上方的上屏蔽層，以及位于下諧振桿延長層下方的下屏蔽層；上屏蔽層、下屏蔽層分別由第一電極延伸至第二電極。
...【技術特征摘要】
1.一種應用于ltcc濾波器的小型化諧振結構，包括：陶瓷體，設于陶瓷體外表面的外電極，以及設于陶瓷體內部的金屬層；
2.根據權利要求1所述的應用于ltcc濾波器的小型化諧振結構，其特征在于，所述諧振桿層為條狀。
3.根據權利要求2所述的應用于ltcc濾波器的小型化諧振結構，其特征在于，所述兩層諧振桿延長層包括：位于諧振桿層上方的上諧振桿延長層，位于諧振桿層下方的下諧振桿延長層；且上諧振桿延長層、下諧振桿延長層都為條狀。
4.根據權利要求3所述的應用于ltcc濾波器的小型化諧振結構，其特征在于，所述上諧振桿延長層位于諧振桿層的正上方；所述下諧振桿延長層位于諧振桿層的正下方。
5.根據權利要求4所述的應用于ltcc濾波器的小型化諧振結構，其特征在于，所述上諧振桿延長層、下諧振桿延長層以諧振桿層對稱設置。
6.根據權利要求5所述的應用于ltcc濾波器的小型化諧振結構，其特征在于，所述金屬層還包括：由第二電極向第一電...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李江峰，李凱，
申請(專利權)人：蘇州希拉米科電子科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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